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用于高压功率、高性能 SiC 器件的先进碳膜
关键词：SiC、注入、碳帽、退火、注入、蚀刻我们建议使用高级图案化薄膜 (APF®)，这是一种通过 Applied Producer® 沉积的 PECVD 碳基薄膜系列，用于解决 SiC 器件的几个加工难题：特别是，我们讨论了它作为 (i) 灵活、高质量离子注入掩模的优势，以及 (ii) 在离子注入后高温活化退火期间作为平面和 3D SiC 结构的保护帽层。将 APF 薄膜集成到注入和蚀刻处理块中的好处与普通光刻胶 (PR)、PVD C 帽和 SiO 2 HM 等替代方法进行了对比。碳化硅 (SiC) 具有非常吸引人的特性 1，包括宽带隙（3X Si）、高 E 击穿（10X Si）、高热导率（3X Si 或 GaN）。大尺寸衬底（最大 200 毫米）的出现导致了 SiC 基器件的广泛应用，预计 2027 年的 TAM2 市场规模将达到 63 亿美元。然而，SiC 加工面临着一些独特的挑战，需要解决这些挑战才能充分挖掘这种化合物半导体的潜力。在本文中，我们建议使用高级图案化薄膜 (APF®)，这是一种通过应用材料生产者® 沉积的 PECVD 碳基薄膜系列，可解决几个 SiC 器件加工难题：特别是，我们讨论了它作为（i）灵活、高质量的离子注入掩模，（ii）在离子注入后高温活化退火期间平面和 3D SiC 结构的保护性覆盖层，和（iii）用于改善下一代 SiC 器件的 SiC 沟槽硬掩模 (HM) 图案化的薄膜的优势。在注入和蚀刻处理模块中集成 APF 的优势可与常见光刻胶 (PR)、PVD C-cap 和 SiO 2 HM 等替代方法相媲美。
石墨烯增强聚合物树脂
在这项工作中，开发了一种低成本且可扩展的制造技术，以将高度分散的石墨烯纳入环氧树脂和聚氨酯（PU），这些石墨烯是使用最广泛的聚合物材料之一。该研究涵盖了不同结构的广泛的石墨烯材料，包括合成的原始产物和功能化的产品，用作聚合物树脂的增强填充剂。此外，还研究了由血浆增强的化学蒸气沉积（PECVD）和石墨烯纳米片（GNP）产生的单层或几层石墨烯，这些石墨烯和石墨烯纳米片（GNP）（GNPS）（由十二或数十个石墨烯层组成，由石墨的外观产生。此外，在本文中还讨论了用混合石墨烯填充剂加强的环氧复合材料的性能以及石墨烯材料与其他填充剂的组合。
用于常关型 GaN HEMT 的新型纳米结构 P-GaN 栅极的设计优化
A. 具有 MBE 再生长 P-GaN 栅极的常关型 HEMT HEMT 结构的特点是具有 25 nm 厚的 AlGaN 势垒和 20 % 的铝率。首先，通过 PECVD（等离子增强气相沉积）沉积 100 nm 厚的氧化硅 SiO 2 层，作为 AlGaN 栅极蚀刻和选择性 GaN 再生长的掩模。在用 CF 4 RIE 蚀刻 SiO 2 层以确定栅极区域之后，通过 ICPECVD 对 AlGaN 层进行 Cl 2 部分蚀刻，条件如下：RF 功率为 60 W、压力为 5 mTorr 并且 Cl 2 流速为 10 sccm。蚀刻时间为 35 秒，去除了 19 nm 的 AlGaN。然后在 MBE（分子束外延）反应器中重新生长用镁（Mg）掺杂的 50 nm GaN 层，其标称受体浓度为 Na-Nd 为 4 x 10 18 cm -3。
Nelso Antolotti，Michael K. A. Khor和Daniel Sordelet
摘要：基于真空的蒸气沉积过程合成胶片和涂料，可以调整微观结构和组成，以获得良好的控制功能和多功能特性，结合了机械，摩擦学，电子化学，光学，光学，光学，电气，电气和其他属性的机械性能，以及其他覆盖的系统效果，以及均匀的覆盖系统。本演讲将描述一种对功能涂层和表面工程的整体方法，该方法依赖于对最终性能的材料，过程和微观结构之间相互作用的深入了解。In the first part, we will provide a brief overview of the advances in film fabrication technologies employing physical vapor deposition (PVD, in particular, magnetron sputtering including HiPIMS, and vacuum arc deposition) and chemical vapor deposition (CVD, in particular, plasma enhanced CVD (PECVD), and atomic layer deposition (ALD)), with a particular emphasis on the understanding of能量表面相互作用，用于控制纳米级涂层微结构的演变。在第二部分中，我们将通过特定的例子和案例研究来说明在航空航天和外层空间应用开发实用涂料方面的挑战，进度和新机会，并考虑了飞机和卫星的不同组成部分。选定的示例将包括：
Manoj Kumar 博士，理学硕士、哲学硕士、哲学博士
半导体学会（印度），注册号 -209，印度，http://www.ssi.org.in 国家热物理学会（NTPS），印度 名称列于《世界名人录》第 28 周年纪念版。 研究技能和专业知识 - 总结 19 年左右的经验，涉及重要技术电子材料（外延和多晶薄膜）的制造和特性以及设备开发：薄膜晶体管 (TFT)、非易失性存储器、发光二极管 (LED) 和光电探测器 (PD)。复合半导体纳米材料：II-VI 和 III-V（ZnO、GaN）全面的知识和专业技能 1）薄膜沉积技术：溅射、PLD、电子束蒸发器、溶胶-凝胶、ALD 和 PECVD 2）结构、光学和电学特性：XRD、AFM/SEM、TEM、PL、UV-VIS、霍尔效应等； 3）使用光刻、电感耦合等离子体反应离子刻蚀（ICP-RIE）、电子束蒸发器和剥离工艺等标准程序开发和表征 TFT、基于 TFT 的非挥发性存储器、LED 和 PD 设备；布局设计； 4）熟悉在高影响因子期刊上发表学术研究文章 研究兴趣领域：薄膜处理/纳米结构材料合成/器件制造
TopCon太阳能技术
沉积技术在TOPCON过程中起关键作用。最初通过使用LPCVD来沉积多晶硅的早期采用者最初在半导体行业的脚步中遵循。但是，这种方法遭受了前面多硅层的不希望沉积，称为环绕式，必须主动去除。这不仅会随着涉及的步骤增加而增加成本，而且导致产量下降。鉴于其具有创新的倾向，PV行业开始使用经过调整的水平载荷LPCVD配置，以使环绕型保持在限制范围内。我们还看到了其他几种同时开发的沉积技术。今天，几乎所有在PV中已知的沉积技术，包括PECVD，PVD和Peald，都有一个调整的版本，用于在TopCon中应用。这些工具旨在覆盖后表面工程的所有方面 - 应用氧化隧道的应用，多硅烷沉积和随后的掺杂。更重要的是，他们已经能够处理高达210毫米的较大晶片（G12）。
用于 MEMS 的晶圆级制造永久微磁体的研究
摘要：将永久微磁体单片集成到 MEMS 结构中可为磁性 MEMS 应用提供诸多优势。一种名为 PowderMEMS 的新技术已用于在 8 英寸晶圆上制造永久微磁体，该技术基于通过原子层沉积 (ALD) 聚集微米级粉末。在本文中，我们报告了由两种不同 NdFeB 粉末粒径制备的 PowderMEMS 微磁体的制造和磁性特性。在 75 ◦ C 的低 ALD 工艺温度下实现了 423 mT 的剩磁和 924 mT 的固有矫顽力，使该工艺与 MEMS 技术兼容。借助 Wohlfarth 方程讨论了微磁体中的磁可逆机制。为了确保这种集成微磁体在不同应用环境中的可操作性，我们进行了一系列实验，系统地研究了热稳定性和腐蚀稳定性。粉末颗粒尺寸较大（d50 = 25 µ m）的 NdFeB 微磁体在空气中表现出较高的热稳定性。此外，通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 沉积的额外氧化硅钝化层显著提高了微磁体的腐蚀稳定性。所给出的结果证明了 PowderMEMS 微磁体的耐用性，使其能够应用于微流体、传感器、执行器和微电子等各个领域。
氢含量对氮化硅薄膜介电强度的影响
为了制备高击穿电压薄膜，对高击穿电压材料有许多要求，[5，12]例如，介电常数要尽可能大，介电材料在硅衬底上必须是热力学稳定的。[6，8，13]目前对击穿强度的研究工作都是在PECVD/LPCVD上进行的，[10，14]但本实验采用ICP-CVD模型制备氮化硅薄膜，可以提供更多的能量，促进反应气体的分解，制备出击穿强度更大的薄膜。氮化硅薄膜中的氢含量对薄膜的击穿强度影响很大。[15]在薄膜的成分中，Si-H键在薄膜的组成中起着基础性的作用，随着薄膜中氢含量的变化，薄膜的电学性质将发生变化。 [6,16,17]当薄膜中氢含量较高时，硅的悬挂键会被H填充，会增加薄膜的稳定性，提高击穿强度。[18]但关于H含量与薄膜击穿电压的关系，在ICP-CVD机上进行的实验很少，结论也不完善，因此本实验采用ICP-CVD机进行薄膜沉积。[19,20]
卢德维克·马蒂努 (Ludvik Martinu)，蒙特利尔理工学院
摘要：通过真空气相沉积工艺合成薄膜和涂层可以定制微观结构和成分，以获得结合机械、摩擦学、电化学、光学、电气和其他特性以及涂层系统在恶劣环境中的耐久性等良好控制的功能和多功能特性。本演讲将介绍一种整体功能涂层和表面工程方法，依靠对材料、工艺和微观结构之间相互作用与最终性能的深入了解。在第一部分中，我们将简要概述采用物理气相沉积（PVD，特别是磁控溅射包括 HiPIMS 和真空电弧沉积）和化学气相沉积（CVD，特别是等离子增强 CVD（PECVD）和原子层沉积（ALD））的薄膜制造技术的进展，特别强调对能量表面相互作用的理解，以控制纳米级涂层微观结构的演变。在第二部分中，我们将通过飞机和卫星不同部件的具体示例和案例研究，说明航空航天和外层空间应用功能涂层开发面临的挑战、进展和新机遇。选定的示例包括：
利用碳纳米纤维提高碳纳米墙作为阳极材料的性能
摘要：本文利用碳纳米纤维 (CNF)/碳纳米墙 (CNW) 的优点，进行了一项新的合成方法，以改善锂离子电池负极材料的特性。在碳基纳米材料中，CNW 具有低电阻和高比表面积的特点。CNF 具有可拉伸和耐用的优势。使用微波等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统以甲烷 (CH 4 ) 和氢气 (H 2 ) 混合气体生长 CNW。将聚丙烯腈 (PAN) 和 N,N-二甲基甲酰胺 (DMF) 搅拌以制备溶液，然后使用静电纺丝法制备纳米纤维。然后使用热板在空气中进行热处理以稳定化。此外，使用快速热退火 (RTA) 在 800 ◦C 下进行 2 小时的热处理以生产 CNF。使用场发射扫描电子显微镜 (FE-SEM) 确认 CNFs/CNWs 负极材料的表面和横截面图像。使用拉曼光谱检查结构特征和缺陷。进行循环伏安法 (CV)、电化学阻抗谱 (EIS) 和恒流充电/放电测试以分析电气特性。合成的 CNFs/CNWs 负极材料具有易于进行氧化和还原反应的 CV 值，并确认了 93 Ω 的低 Rct 值。