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沉积技术在TOPCON过程中起关键作用。最初通过使用LPCVD来沉积多晶硅的早期采用者最初在半导体行业的脚步中遵循。但是，这种方法遭受了前面多硅层的不希望沉积，称为环绕式，必须主动去除。这不仅会随着涉及的步骤增加而增加成本，而且导致产量下降。鉴于其具有创新的倾向，PV行业开始使用经过调整的水平载荷LPCVD配置，以使环绕型保持在限制范围内。我们还看到了其他几种同时开发的沉积技术。今天，几乎所有在PV中已知的沉积技术，包括PECVD，PVD和Peald，都有一个调整的版本，用于在TopCon中应用。这些工具旨在覆盖后表面工程的所有方面 - 应用氧化隧道的应用，多硅烷沉积和随后的掺杂。更重要的是，他们已经能够处理高达210毫米的较大晶片（G12）。
TopCon太阳能技术
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