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叶酸对血液学参数和
已知抽象电离辐射会引起对造血系统的重大损害，这主要损害骨髓功能。叶酸在单碳代谢和各种细胞过程（包括DNA合成和修复）中起着至关重要的作用。本研究研究了叶酸参数对X射线照射的雄性兔子中血液学参数和骨髓组织学的潜在辐射保护作用。实验设计包括四个组：（1）对照，（2）补充叶酸，（3）X射线暴露，以及（4）补充叶酸和X射线的合并。血液学分析表明，X射线暴露后，白细胞（WBC），红细胞（RBC）和血小板（PLT）计数显着下降，表明辐射诱导的造血抑制。值得注意的是，补充叶酸部分恢复了这些参数，表明其在促进造血恢复中的作用。此外，对骨髓的组织学检查显示，叶酸处理的组的细胞性增加，进一步支持其针对辐射引起的骨髓抑制的保护作用。这些发现表明，补充叶酸可能会减轻电离辐射的不良造血作用，从而强调其作为辐射保护剂的潜力。关键字。放射保护，叶酸，血液学，骨髓，组织病理学。引入辐射引起的对造血系统的损害是电离辐射暴露的有据可查的结果，主要影响骨髓功能和外周血细胞计数。电离辐射会产生活性氧（ROS），导致氧化应激和细胞凋亡，尤其是在造血干细胞和祖细胞中[1,2]。叶酸是参与DNA合成和修复的必需B维生素，已假设具有辐射保护性能。急性辐射综合征（ARS）通常称为辐射疾病，是由于全身暴露于高剂量的电离辐射而发生的。这种情况的特征是生化参数严重中断，可能会对多个器官系统产生不利影响，包括造血[3]，心血管[4]和胃肠道系统[5]。此外，大脑发育尤其容易受到电离辐射的影响，如大量研究所证明[6]。产前暴露于X-radiation与人类和实验动物的大脑的组织学变化有关，从而导致学习和记忆障碍[7]。造血干细胞以其高放射敏感性而闻名，在维持血细胞计数中起着至关重要的作用，这仍然是评估疾病状况的关键诊断工具。长时间暴露于X射线会导致外周血细胞谱发生显着改变，包括由于血小板水平降低而导致中性粒细胞计数，严重的淋巴细胞减少症和血小板减少症。电离辐射通常会抑制骨髓活性，导致外周循环中血细胞的产生降低，尽管其对大多数细胞或组织的直接影响相对较少[8]。在Geng等人的一项研究中。在Geng等人的一项研究中。全身辐射的全身作用主要在血液学，胃肠道和脑血管系统中表现出来，从而导致广泛的功能障碍和器官损伤[9,10]。这些见解强调了电离辐射对细胞和全身水平的广泛而复杂的生物学影响。造血干细胞高度放射敏感，在监测疾病状况中起着至关重要的作用，血小板计数是可靠的诊断指标。暴露于0.5至1 Gy的电离辐射剂量可能会导致外周血细胞谱的显着变化，包括中性粒细胞计数升高，严重的淋巴细胞减少症和血小板水平降低（血小板减少症）。淋巴细胞特别容易受到辐射诱导的损伤，即使在低剂量为0.05-0.15 Gy的情况下也经历了相间死亡。电离辐射抑制骨髓活性，导致外周血细胞产生的减少，尽管它对大多数细胞或组织造成了最小的直接伤害[8]。辐射的全身效应扩展到各种器官系统，包括胃肠道，脑和循环系统，导致了广泛的器官功能障碍[9,10]。辐射诱导的骨髓抑制和降低的外周血计数突出了造血恢复在治疗辐射损伤中的重要性[11]。Li及其同事（2014）[12]的研究表明，辐射不仅减少造血细胞数量，而且还刺激其余细胞的激活。[8]，暴露于
生物活性牙髓水凝胶：从参数到个性化医学
1组织生物学实验室和本文论文，UMR 5305 CNRS/UCBL，69007 LYON，法国； marianne.leveque@ibcp.fr（M.L。）; mourad.bekhouche@univ-lyon1.fr（M.B.）; jean-christophe.farges@univ-lyon1.fr（J.-C.F.）2克劳德·伯纳德·里昂大学1，里昂大学，法国69008，法国里昂。 kadia2sy@gmail.com（K.S.）; raphael.richet@insa-lyon.fr（R.R.）3牙牙服务，里昂的民用临时医院，69007法国里昂4 Biotis -Biotis -Laboerergonering（UMR INSERM 1026），波尔多大学，Inserm，Inserm，33076 Bordeaux，法国，法国； audreyaussel@hotmail.com 5 Ufr d'Odontologie，波尔多大学，33600 Bordeaux，France 6 Chu de Bordeaux，p's ledeMédemédecineand Oral Decine and Oral Surgery，33076 BORDEAUX，BORDEAUX，BORDEAUX，FRANCE 7实验室7实验室7实验室和Interfaces，umr Cnrs 5615，claude claude claude，claude by y，信件：maxime.ducret@univ-lyon1.fr
分析微藻 - - 细菌种群的变化，以响应改善废水处理的环境参数
1。pormidium。camptonemaplanktothrixOscillas ......................................................................... Tychonema lyngbya 134 6。 pleurocapsa 134 7。 Pseudanaaaaena 135 8。 leptolyngby 135Oscillas .........................................................................Tychonemalyngbya 134 6。pleurocapsa 134 7。Pseudanaaaaena 135 8。leptolyngby 135
使用瞳孔平面波前数据导出动态测距瑞利信标弗里德参数值的湍流剖面分析
摘要。大气湍流通常会阻碍远距离光学成像应用。湍流对成像系统的影响可以表现为图像模糊效应，通常通过系统中存在的相位失真来量化。模糊效应可以根据沿传播路径测量的大气光学湍流强度及其对成像系统内相位扰动统计的影响来理解。获取这些测量值的一种方法是使用动态范围的瑞利信标系统，该系统利用沿传播路径的战略性变化的信标范围，有效地获得影响光学成像系统的像差的估计值。我们开发了一种从动态范围的瑞利信标系统中提取断层扫描湍流强度估计值的方法，该系统使用 Shack - Hartmann 传感器作为相位测量装置。介绍了从快速序列中获得的战略性范围变化的信标测量中提取断层扫描信息的基础，以及典型湍流场景的建模示例。此外，处理算法还用于模拟孤立强湍流层的识别。我们介绍了所选处理算法的基础，并讨论了该算法作为大气湍流分析方法的实用性。© 作者。由 SPIE 根据 Creative Commons Attribution 4.0 Unported 许可证出版。分发或复制本作品的全部或部分内容需要完全署名原始出版物，包括其 DOI。[DOI：10.1117/1.OE.59.8.081807]
利用天问一号H-ENA观测反演火星上游太阳风参数
发展了一种通过测量近火星空间中氢能中性原子（H-ENA）反演太阳风参数的算法。假设H-ENA是由太阳风中的质子与外大气层中性子发生交换碰撞而产生的，在磁流体力学（MHD）模拟太阳风与火星相互作用的基础上，建立了H-ENA模型，研究了H-ENA的特性。结果表明，太阳风H-ENA与太阳风一样，是高速、低温的粒子束，而磁鞘H-ENA速度较慢、温度较高，能量分布较广。假设太阳风H-ENA通量服从麦克斯韦速度分布，高斯函数最适合拟合太阳风H-ENA通量，由此可以反演太阳风的速度、密度和温度。进一步基于H-ENA模型模拟的ENA通量研究表明，反演太阳风参数的精度与ENA探测器的角度和能量分辨率有关。最后，利用天问一号任务的H-ENA观测数据验证了该算法。反演后的上游太阳风速度与原位等离子体测量结果接近。我们的结果表明，从H-ENA观测数据反演的太阳风参数可以作为火星空间环境研究数据集的重要补充，因为火星空间环境研究缺乏对上游SW条件的长期连续监测。
电池模型的参数确定的强化学习：文献研究和实施
电池建模的中心步骤是识别模型参数。但是，参数的确定是时间耗尽，通常是次优的。强化学习提供了一种有希望的替代方案，其中代理通过交互和目标奖励来学习最佳参数。本学士学位论文的目标是对基于RL的参数确定的全面搜索和一个简单示例的实际实现。
锂离子电池状态和参数估计的新级联框架
摘要：锂离子电池在线监视由于其内部状态的不可衡量的特征而具有挑战性。到目前为止，电池监视的最有效方法是基于等效电路模型应用高级估计算法。此外，一种估计缓慢变化的不可估计的参数的通常方法是将它们包括在零时间导数条件下，构成所谓的扩展等效电路模型，并已广泛用于电池状态和参数估计。尽管将各种高级估计算法应用于联合估计和双重估计框架，但这些估计框架的本质尚未更改。因此，电池监视结果的改进有限。因此，本文提出了一种新的电池监视结构。首先，由于叠加原则，提取了两个子模型。对于非线性，进行了可观察性分析。表明，局部可观察性的必要条件取决于电池电流，电池容量的初始值以及相对于充电状态的开路电压的衍生物平方。然后，获得的可观察性分析结果成为提出新的监测结构的重要理论支持。选择并使用常用的估计算法，即卡尔曼过滤器，扩展的卡尔曼过滤器和无香的卡尔曼过滤器。使用合成数据的数值研究已证明了所提出的框架的有效性。使用合成数据的数值研究已证明了所提出的框架的有效性。除了提供电池开路电压的同时估算外，电池容量估计更快，更易用的电池容量估计是新提出的监测结构的主要优势。
面向设计的全制度全区域7参数短路...
摘要 本文提出了一种基于反转电荷的 MOS 晶体管 7 参数分析模型，旨在开发考虑 MOS 晶体管物理特性的简化分析电路设计方法。所提出的面向设计的模型首次能够描述先进纳米技术的主要短沟道效应以及晶体管漏极电流对漏极电压的依赖性，同时该模型对所有偏置状态（从弱到强反转）和所有工作区域（线性和饱和）均有效。提出了一种基于器件物理的简单程序来估算给定技术的晶体管模型参数。此外，针对不同的设计场景开发了电流导数的解析表达式。通过直接与 28 nm FD-SOI 技术中 N-MOS 晶体管的硅测量值（沟道宽度为 1 µ m，沟道长度为 30 nm、60 nm 和 150 nm）以及使用行业标准紧凑模型执行的模拟进行比较，验证了所提模型的准确性。
