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理解 NaPbmSbQm+2 (Q = S, Se, Te) 热电材料中的热激活电荷传输：弱介电屏蔽导致晶粒边界
完整作者列表： Slade, Tyler；西北大学，化学系 Grovogui, Jann；西北大学，材料科学与工程系 Kuo, Jimmy；西北大学，材料科学与工程系 Anand, Shashwat；西北大学，材料科学与工程系 Bailey, Trevor；密歇根大学，物理系 Wood, Max；西北大学，材料科学与工程系 Uher, Ctirad；密歇根大学，物理系 Snyder, G.；西北大学，材料科学与工程系 Dravid, Vinayak；西北大学，材料科学与工程系 Kanatzidis, Mercouri；西北大学，化学系
光伏材料 CsMI3 (M = Pb, Sn) 中的应变诱导结构相变、电极化和异常电特性
近年来由于人们环保意识的提高，将太阳能直接转化为电能引起了人们的极大关注。1,2有机-无机卤化物是一种光电转换材料，由于其成本较低、原料丰富，主要用于染料敏化太阳能电池（DSC），尤其是这种CH3NH3PbI3材料。3 – 6几十年来，CH3NH3PbI3材料的光伏效率已经达到近20％，但由于有机分子的挥发性和热力学不稳定性，实用性有待提高。7,8最近，基于第一性原理计算，已报道了一种稳定的六方相，其具有共面的PbI6八面体，而不是CH3NH3PbI3的角连接八面体。 9而全无机卤化物不仅弥补了有机分子热力学不稳定的特性，而且保持了较高的光伏效率。10-12大量研究表明，最理想的光伏材料具有
聚合物两性离子对 CsPbBr3 钙钛矿纳米粒子和纳米复合薄膜的稳定作用
摘要：以磺基甜菜碱或磷酰胆碱两性离子为侧链基团的功能性聚合物被证实既是 CsPbBr 3 钙钛矿纳米粒子 (PNP) 的配体，又是其基质。这些聚合物可制备出具有出色 NP 分散性、光学透明度和出色的抗 NP 降解性（暴露于水中时）的纳米复合膜。含两性离子的共聚物与 PNP 的多齿相互作用可诱导分散或弱聚集的纳米复合形态，具体取决于聚合物中两性离子官能团的程度。将其他官能团（例如二苯甲酮侧链基团）加入聚合物中可产生可光刻图案化的薄膜，而时间分辨光致发光测量可深入了解 PNP 在两性离子聚合物基质中的电子影响。
存储反铁电PbZrO3
基于反铁电的介电电容器因其出色的储能性能和在收集脉冲功率方面的非凡灵活性而备受关注。尽管如此，迄今为止，尚未阐明与储能过程固有耦合的原位原子级结构演化途径，以最终理解其机制。本文报道了反铁电PbZrO 3 在存储电子束照射的能量过程中的时间和原子分辨率结构相演变。通过采用最先进的负球差成像技术，本文介绍的定量透射电子显微镜研究阐明了与晶胞体积变化和极化旋转相关的极性氧八面体的层次演化解释了逐步的反铁电到铁电相变。特别是，在动态结构研究过程中建立了一种非常规的铁电类别——具有独特摆线极化序的铁电畸变相。通过阐明原子尺度相变途径，该研究的结果为探索具有非极性到极性相变的储能材料中的新型铁致畸变相开辟了一个新领域。
研究论文 控制能带退化和晶格应变以实现非凡的 PbTe 热电材料
事实证明，最大化能带简并度和最小化声子弛豫时间对于推进热电学是成功的。与单碲化物合金化已被公认为是收敛 PbTe 价带以改善电子性能的有效方法，同时材料的晶格热导率仍有进一步降低的空间。最近有研究表明，声子色散的加宽衡量了声子散射的强度，而晶格位错是通过晶格应变波动实现这种加宽的特别有效的来源。在本研究中，通过精细控制 MnTe 和 EuTe 合金化，由于涉及多个传输带，PbTe 价带边缘附近的电子态密度显著增加，而密集的晶内位错的产生导致声子色散有效加宽，从而缩短声子寿命，这是由于位错的应变波动较大，这已由同步加速器 X 射线衍射证实。电子和热改进的协同作用成功地使平均热电性能系数高于工作温度下 p 型 PbTe 的报道值。
封装材料对无铅焊点热机械循环过程中拉伸应力的影响
摘要 电子组件使用各种具有不同机械和热性能的聚合物材料来在恶劣的使用环境中提供保护。然而，机械性能的变化（例如热膨胀系数和弹性模量）会影响材料的选择过程，从而对电子产品的可靠性产生长期影响。通常，主要的可靠性问题是焊点疲劳，这是电子元件中大量故障的原因。因此，在预测可靠性时，有必要了解聚合物封装（涂层、灌封和底部填充）对焊点的影响。研究表明，当焊料中存在拉伸应力时，由于聚合物封装的热膨胀，疲劳寿命会大大缩短。拉伸应力的加入使焊点处于周期性多轴应力状态，这比传统的周期性剪切载荷更具破坏性。为了了解拉伸应力分量对微电子焊点疲劳寿命缩短的影响，有必要将其分离出来。因此，我们构建了一个独特的样本，以使无铅焊点经受波动的拉伸应力条件。本文介绍了热机械拉伸疲劳样本的构造和验证。热循环范围与灌封膨胀特性相匹配，以改变施加在焊点上的拉伸应力的大小。焊点几何形状的设计具有与 BGA 和 QFN 焊点相关的比例因子，同时保持简化的应力状态。进行了 FEA 建模，以观察焊点在热膨胀过程中的应力-应变行为，以适应各种灌封材料的特性。焊点中轴向应力的大小取决于热膨胀系数和模量以及热循环的峰值温度。样本热循环的结果有助于将由于灌封材料的热膨胀而导致焊点经历的拉伸应力的大小与各种膨胀特性相关联，并为封装电子封装中焊点的低周疲劳寿命提供了新的见解。简介大量电子元件故障归因于焊点疲劳故障。航空航天、汽车、工业和消费应用中的许多电子元件都在波动的温度下运行，这使焊点受到热机械疲劳 (TMF) 的影响。电子组件中的焊料疲劳是温度波动和元件与印刷电路板 (PBC) 之间热膨胀系数 (CTE) 不匹配的结果。在温度变化过程中，PCB 和元器件 CTE 的差异会引起材料膨胀差异，从而使焊点承受剪切载荷。为了减少芯片级封装 (CSP) 中焊点所承受的剪切应变，人们使用了各种底部填充材料来限制焊点的变形。芯片级焊料互连（例如倒装芯片封装中的焊料）尤其受益于底部填充材料，因为它可以重新分配热膨胀应力，从而限制施加在焊料凸点上的应变。除了限制剪切应变之外，底部填充材料的膨胀还会导致球栅阵列 (BGA) 焊点产生较大的法向应变。Kwak 等人使用光学显微镜的 2D DIC 技术测量了热循环下焊点的应变 [1]。他们发现，CTE 为 30 ppm/ºC 且玻璃化转变温度 (T g ) 为 80ºC 的底部填充材料在 100ºC 的温度下可以产生 6000 µƐ 的平均法向应变。这些高法向应变并不像 BGA 封装中的剪切应变那样表现出与中性点距离相同的依赖性。法向应变的大小与 CTE、弹性模量 (E)、封装尺寸和温度有着复杂的依赖关系。法向应变的增加使焊点受到剪切应变和轴向应变的组合影响，这反过来又使焊点在温度波动的条件下受到非比例循环载荷。
Canton (Pbsfertier
将糖、肉桂、盐、葡萄干、玉米淀粉和面粉与苹果混合 放入铺有糕点的九英寸平底锅中。在苹果上点上黄油，润湿修剪过的底部酥皮边缘 放在糕点顶部，修剪边缘并使其变脆。在 450 度的烤箱中烘烤 15 分钟。将温度降低到 350 度，再烘烤 20-25 分钟（时间长短取决于所用的苹果） 在馅饼皮的中心留一个缝隙，这样就可以用叉子测试苹果而不会破坏酥皮 可以热着吃苹果派或冷着吃苹果派，也可以直接吃或搭配切达干酪。在大部分烹饪时间内，将铝箔放在饼皮边缘周围，以防止边缘烧焦
幻灯片——倒装芯片凸块电迁移可靠性的比较——铜柱、高铅、SnAg 和 SnPb 凸块
倒装芯片凸块电迁移可靠性比较（铜柱、高铅、锡银和锡铅凸块） 倒装芯片凸块电迁移可靠性比较（铜柱、高铅、锡银和锡铅凸块）