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PBTE的光发射中的光子散射（111 ...
据我们所知，本手稿是第一个全面的多体光发射框架，其中包括相干的三体电子 - 光子 - photon-Phonon散射，以预测来自单晶光子座的体积光电子的跨性能分布和平均横向能量（MT）。需要开发这种理论的需求源于缺乏研究，这些研究提供了对管理从单晶发出的光电子横向动量分布的基本基本过程的完整理解。例如，基于密度功能性电子质量的密度官能理论计算的初始谓词表明，PBTE的（111）表面会产生非常小的MTE（≤15meV），而我们的实验产生的MTES比这些预测大十到二十倍，并且还表现出比较低的光学发射阈值比预测较低的预测。本手稿中介绍的AB从头算框架正确地从我们的PBTE（111）中的测量值和在预测阈值下方观察到的光学范围中从我们的测量中重现了MTE的大小。我们的结果表明，在大部分材料和相干的多体电子散射过程中，两种光兴奋的状态都在忽略的初始预测中，它们在PBTE的光发射中起着非常重要的作用（111）。最后，从所吸取的教训中，我们建议一项程序，以快速计算对下一代超快电动局部应用的潜在单晶光阴极和X射线自由电子激光器的应用，这将使在凝聚力问题研究中实现可显着的进步。
电荷载体扩散动力学中的二级烷基铵限制的CSPBBR3钙钛矿纳米晶固体
摘要：CSPBBR 3量子点（QD）是光电设备的有希望的候选者。用二烷基铵（例如二二二烷基二甲基溴化物溴化物（DDAB））取代油酸（OA）和油胺（OLA）盖剂，表明外部量子效率（EQE）的含量增加了0.19％（OA/OLA）至13.4％（dd.4％）。设备的性能显着取决于QD固体中光激发载体的分解长度和迁移率。因此，我们通过构造双尺寸的QD混合物来研究DDAB限制的CSPBBR 3 QD固体中的电荷载体传输动力学。可以通过定量改变两个尺寸的QD之间的比率来监测荷兰载波的差异，从而改变了每个QD群集中载体的平均自由路径。从超快瞬态吸收光谱获得的QD固体的激发态动力学表明，由于强量量子的构造，光生的电子和孔很难在小型QD（4 nm）中使用。另一方面，大型QD（10 nm）中的光诱导的电子和孔都将与小型QD插入界面，然后进行重组过程。将载载物的不同研究与混合物中的QD组件上的蒙特卡洛模拟相结合，我们可以在10 nm cspbbr 3 qds中计算出电荷载体的差值长度为〜239±16 nm，以及电子和电子的迁移率，以及2.1（2.1（2.1（0.6））和0.6（0.6）（0.69（±0.6）（0.69）（0.69）（±0.69）（±0.69（±0.6）（±0.69）（±0.69）（±0.69）（±0.69）（±0.69）（±0.69）（±0.69）（±±0.6）（±±0.6）（±±±9）（±±0.6） 分别。这两个参数均表示DDAB限制的QDFIFM中有效的电荷载体传输，这合理化了其LED设备应用程序的完美性能。关键字：超快光谱，扩散长度，cspbbr 3，ddab，量子点光伏，载体传输，电荷转移■简介
snte/pbte单层异质结构中的面向涡流的铁电域
valleytronic，光学，热，磁性和铁电性能在新型异质结构和设备中。它们的弱层间耦合可以通过机械堆叠2D材料来相对简单地制造垂直侵蚀。另一方面，侧面异质结构（LHSS）的层次是现代金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化导向器磁场晶体效应的基于微电极的基本结构，由于需要更多的复杂生长和兴奋剂技术，因此受到了探索的较少。受到可能从2D LHSS出现的潜在杰出性能和多功能调整自由的鼓励，在该领域进行了多项实验和理论研究。[1] The earliest experimentally realized 2D LHSs were those between graphene and hexagonal boron nitride (hBN) [2–6] grown by chemical vapor depo- sition (CVD), from which prototype field effect transistors (FETs) were demonstrated [2–5] Shortly later, a series of transition metal dichalcogenide (TMDC) mono layer (ML)通过一步或两步的CVD方法制备LHSS，包括MOS 2，MOSE 2，WS 2和WSE 2的组合。[7-12]所有这些TMDC LHSS都显示二极管样电流的整流效应。[26]同时，制造了具有高性能的原型设备，包括光电二极管和互补的金属 - 氧化物 - 半导体晶体管逆变器，[7,10–12]通过控制良好的气体流量切换技术或光刻辅助辅助阴离子的替代品，TMDC LHS的脱位量很清晰。 LHSS仅由一种材料组成，但具有不同的厚度，[16,17]或介电环境[18]在其界面上，产生了电子带隙，整流和光伏效应的修饰。将材料与不同空间对称性组合的2D LHS的其他形式，例如石墨烯-TMDC LHSS [19-22] HBN-TMDC LHSS，[19]石墨烯纳米替伯型LHSS与不同的兴奋剂[23]或宽度[23]或宽度[24] [24]单钙化剂 - 二甲基二苯二苯lhss [26]是通过各种增强的CVD方法创建的，例如机械 - 脱落的辅助CVD，[19]种子促进的CVD，[20]由等离子体蚀刻定义的模板生长，由等离子体蚀刻[21] [21] [21]和热层转化化学构图。
通过无偏统计分析来分析 CsPbBr3 钙钛矿量子点的间歇性
摘要：我们应用无偏贝叶斯推理分析方法分析了 CsPbBr 3 钙钛矿量子点的强度间歇性和荧光寿命。我们应用变点分析 (CPA) 和贝叶斯状态聚类算法来确定切换事件的时间以及以统计无偏方式发生切换的状态数，我们已对其进行了基准测试，以适用于高度多状态的发射器。我们得出结论，钙钛矿量子点显示出大量的灰色状态，其中亮度一般与衰减率成反比，证实了多个复合中心模型。我们利用 CPA 分区分析来检查老化和记忆效应。我们发现，量子点在跳转到暗状态之前往往会返回到亮状态，并且在选择暗状态时，它们往往会探索可用的整个状态集。■ 简介
CSPBBR3钙钛矿纳米晶体中的连贯的自旋进动和寿命限制的自旋脱发
摘要：半导体纳米晶体中的载体旋转是量子信息处理的有前途的候选者。使用时间分辨的法拉第旋转和光致发光光谱的组合，我们证明了胶体CSPBBR 3纳米晶体中的光学自旋极化和相干自旋进液，这些纳米晶体一直持续到室温。通过抑制具有少量施加的磁场的不均匀性高纤维的影响，我们证明了接近纳米晶光发光生命周期的不均匀孔横向旋转旋转时间（T 2 *），从而几乎所有发射的光子都来自colent colehent colent colent colent spins spins spins spins。热激活的LO声子在升高温度下驱动额外的自旋去向，但在室温下仍观察到连贯的自旋进动。这些数据揭示了纳米晶和散装CSPBBR 3中的自旋之间的几个主要区别，并为在基于自旋的量子技术中使用金属 - 甲基钙钛矿纳米晶体打开了门。关键字：钙钛矿纳米晶体，旋转dephasing，t 2 *，时间分辨的法拉第旋转，旋转式，量子信息
IRLR9343PbF IRLU9343PbF IRLU9343-701PbF
重复雪崩曲线说明，图 14、15：（有关更多信息，请参见 www.irf.com 上的 AN-1005）1. 雪崩故障假设：纯粹的热现象，故障发生在远超过 T jmax 的温度下。这适用于每种零件类型。2. 只要不超过 T jmax，就可以在雪崩中安全运行。3. 以下公式基于图 17a、17b 所示的电路和波形。4. PD (ave) = 每个雪崩脉冲的平均功率耗散。5. BV = 额定击穿电压（1.3 倍因子考虑雪崩期间的电压增加）。6. I av = 允许的雪崩电流。7. ∆ T = 允许的结温上升，不得超过 T jmax（在图 14、15 中假设为 25°C）。 t av = 雪崩平均时间。D = 雪崩占空比 = t av ·f Z thJC (D, t av ) = 瞬态热阻，见图 11) PD (ave) = 1/2 ( 1.3·BV·I av ) = T/ Z thJC I av = 2 T/ [1.3·BV·Z th ] E AS (AR) = PD (ave) ·t av
IRLR9343PbF IRLU9343PbF IRLU9343-701PbF
关于重复性雪崩曲线的注释，图 14、15：（有关更多信息，请参阅 www.irf.com 上的 AN-1005）1.雪崩故障假设：纯粹的热现象和故障发生在远超过 T jmax 的温度下。这已针对每种零件类型进行了验证。2.只要不超过 T jmax，就可以在雪崩中安全运行。3.以下公式基于图 17a、17b 中所示的电路和波形。4.P D (ave) = 每个雪崩脉冲的平均功率耗散。5.BV = 额定击穿电压（1.3 倍因数表示雪崩期间电压增加）。6.I av = 允许的雪崩电流。7.∆ T = 允许的结温升高，不得超过 T jmax（在图 14、15 中假设为 25°C）。t av = 雪崩平均时间。D = 雪崩占空比 = t av ·f Z thJC (D, t av ) = 瞬态热阻，见图 11) P D (ave) = 1/2 ( 1.3·BV·I av ) = � � T/ Z thJC I av = 2 � T/ [1.3·BV·Z th ] E AS (AR) = P D (ave) ·t AV
加纳原位热循环条件下 c-Si 太阳能光伏电池互连中 Sn60Pb40 和 Sn3.8Ag0.7Cu（无铅）焊料的蠕变损伤研究
摘要：使用等效蠕变应变、累积蠕变应变和累积蠕变能量密度方法对 c-Si 太阳能光伏电池中焊接互连件的蠕变损伤进行了数值研究。该研究使用了三年（2012-2014 年）期间光伏 (PV) 模块户外风化数据来生成温度循环曲线，这些曲线作为热负荷和边界条件，用于研究焊接互连件在暴露于实际条件下时的热机械响应。还使用了之前研究中确定的 2012-2014 年数据的测试区域平均 (TRA) 温度循环。利用构成典型太阳能电池的组成材料的适当本构模型来生成准确的材料响应，以评估热循环造成的损坏。本研究模拟了两种形式的焊接互连件：Sn60Pb40 (SnPb) 和 Sn3.8Ag0.7Cu (无铅)。使用累积蠕变应变法对热循环载荷产生的互连损伤进行分析的结果显示，在 TRA、2012、2013 和 2014 年温度循环中，无铅焊料互连的损伤大于锡铅焊料互连。从锡铅到无铅的百分比变化分别为 57.96%、43.61%、44.87% 和 45.43%。这表明在 TRA 条件下无铅焊料受到了严重的损伤。累积蠕变能量密度 (ACED) 方法的结果显示，在 TRA 热循环期间用无铅焊料互连替换锡铅焊料互连后，累积蠕变能量密度的百分比变化为 71.4%（从 1.3573 × 10 5 J/mm 3 到 2.3275 × 10 5 J/mm 3 ）。在加纳库马西的 KNUST 测试点，研究结果表明，Sn60Pb40 焊料互连可能比无铅焊料互连更可靠。本研究采用的系统技术将对热机械可靠性研究界大有裨益。本研究还为光伏设计和制造工程师提供了有用的信息，帮助他们设计出坚固耐用的光伏模块。
（PEA）2fan-1pbnbr3n+1 Quasi-2d ...
完整的作者清单：džiugas的Litvinas；维尔纽斯大学，物理学院，光子学研究所和纳米技术Aleksiejunas，Ramunas； Vilnius大学，Patrik的光子学和纳米技术学院物理学院； Vilniaus Universitetas，Baronas，Paulius；维尔尼乌斯大学，索里奥特，维瓦； Vilnius大学，Chuanjiang光子学和纳米技术学院物理学院；富希拉（Takashi）的聚合物物理与化学的国家主要实验室；信息技术和纳米技术（ISIT）Matsushima，Toshinori；京都大学，吉哈亚国际碳中性能源研究所ADACHI；九州大学，有机光子和电子研究中心（Opera）Jursenas，索利乌斯；维尔纽斯大学，应用研究所
CSPBBR3钙钛矿量子点的纳米群体中带电颗粒的辐射发光
带电粒子诱导的cspbbr 3（CPB）perovskite量子点（QD）的辐射发光（RL）。用光电倍增管（PMT）与脉冲数字技术相结合分析了RL响应，从而可以评估单个A辐射事件的时间分辨波形。发现电脉冲的上升和衰减过渡时间非常接近仪器限制，而比常规无机闪烁体中通常测得的数量级要短。基于对时序特征的统计分析，我们的研究评估了在使用CSI（TL）闪烁体进行比较测量中证明的钙钛矿纳米材料的潜力。将脉冲电荷的分布转换为发光强度，并用蒙特卡洛模拟拟合，估计RL产量为2.95个光子/KEV，而检测效率（DE）的估计值为29.2％，指的是我们的平均簇厚度为5 QD层。2021作者。由Elsevier B.V.这是CC BY-NC-ND许可证（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章。