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双激子中单光子的级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a ，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b ，56 µ m × 56 µ m 范围内 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等高线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c ，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV (P1) 和 1.7206eV (P2)。d ，P1 和 P2 的提取线宽，绘制为激发功率的函数。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的分辨率受限线宽。e，P1 和 P2 的光子发射积分计数随着
双激子级联发射单光子...
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的设备示意图。 b ，在 56 µ m × 56 µ m 上，能量范围在 1.525eV 和 1.734eV 之间的光致发光强度云图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c ，WSe 2 单层中局部发射极在 4.5K 下的光致发光光谱，随着激光功率的增加显示出不同的发射行为，以 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）处的峰值为主。d ，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，P1 和 P2 的光子发射的积分计数随着激光功率的增加显示出超线性和亚线性行为
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
硅量子点的双光子激发光谱及其对生物成像的影响
摘要：胶体纳米晶硅量子点 (nc-SiQDs) 在近红外 (NIR) 中的双光子激发以及在 NIR 中的光致发光在深度生物成像领域具有潜在的应用前景。使用双光子激发测量胶体 nc-SiQDs 的简并双光子吸收 (2PA) 截面的光谱，光谱范围为 1.46 < ℏ ω < 1.91 eV（波长 850 > λ > 650 nm），高于双光子带隙 E g (QD) /2，代表性光子能量为 ℏ ω = 0.99 eV（λ = 1250 nm），低于此带隙。直径为 d = 1.8 ± 0.2 nm 和 d = 2.3 ± 0.3 nm 的 nc-SiQDs（均用 1-十二烯钝化并分散在甲苯中）的双光子激发光致发光 (2PE-PL) 光谱强度与甲醇中已知浓度的罗丹明 B 染料的 2PE-PL 光谱强度一致。对于直径较小的纳米晶体，观察到 2PA 横截面较小，并且观察到 2PA 的起始点从块体 Si 的双光子间接带隙蓝移，这与激子的量子约束预期一致。在各种生物组织中模拟了使用 2PE-PL 进行生物成像的 nc-SiQDs 的效率，并将其与其他量子点和分子荧光团的效率进行了比较，发现在更深的深度下它们相当或更胜一筹。关键词：双光子吸收光谱、双光子吸收截面、硅纳米晶体、量子点、双光子激发光致发光、生物成像 N
单层MOS2中的室温电子孔液体
图1。单层MOS 2的光致发光中的异常功率依赖性。（a）（左列）光致发光区域的空间图像和（右列）在不同入射功率密度下PL的空间光谱曲线的二维图像。这两种类型的图像共享相同的垂直轴。如图所示，入射功率被标记。（b）PL光谱从照明区域的中心提取。（c）PL强度（黑色曲线）和PL区域的大小（红色曲线）具有入射力。（d）位置（具有最大振幅）和PL峰的FWHM作为入射力的函数。（c）和（d）中有白色的两个区域表示两个过渡，从游离激子（Fe）到电子孔等离子体（EHP），从电子孔等离子体（EHP）到电子孔液体（EHL）。
详细程序| 2024牛津太阳能研究研讨会
“Hafnium oxide: A thin film passivating dielectric with controllable etch resistance” 10:00am – Bruno Vicari Stefani CSIRO “Analysis of trends in the specific weight of silicon solar modules” 10:15am – Yifu Shi University of Oxford “Extracting Contact Recombination from FFT-filtered Photoluminescence Imaging of Half-Metallised Si Solar Cells” 10:30am – Yuelin Xiong University of Oxford “Investigation of Cu diffusion at the Cu/Si interface” 10:45am – Coffee Break _____________________________________________________________ Session 2: Perovskite Solar Cells 11:15am – Freya Leyland HZB “Encapsulation and stability testing of perovskite-based solar cells” 11:30am – Syed Nazmus萨基布麦格理大学“用于太阳能电池的钙钛矿材料的快速微波处理” 11:45 am - Jae Sung sung Yun University of Surrey University``在新兴空间应用中探索Halide Perovskite太阳能电池的机会'
材料加速平台（地图）：加速材料研发以应对紧急社会挑战在软X射线照射下Fapbbr3钙钛矿的降解和自我处理
广泛使用钙钛矿，因为光吸收器要求更深入地了解这些材料与光的相互作用。在这里，通过光膜光学光谱和微光亮度，在高毛利率同步源的软X射线光束下跟踪甲酰胺铅三溴（FAPBBR 3）的化学和光电特性的演变。在辐照过程中，两个对比过程正在发挥作用。材料的降解表现出PB 0金属簇的形成，气态BR 2的损失，减少和移位光致发光发射。由于PB 0的重新氧化以及FA +和Br-ions的迁移，因此延长光束暴露时间的光致发光信号归因于FAPBBR 3的自我修复。这种情况在通过AR +离子溅射处理的FAPBBR 3栏上进行了验证。降解/自我修复效应先前报道了辐照到紫外线状态，具有基于perovskites的X射线检测器的寿命。
碳纳米管的散发方式超过收到的
但令人惊讶的是，某些材料表现出相反的效果 - 对它们的光线亮起，它们发出了更高的能量光。这种奇怪的现象称为上转化光致发光（UCPL）。它可以通过将低能光转换为适合发电的高能量波长来提高太阳能电池的效率。