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World File Search SystemPhotoluminescence
由纳米层INGAAS/GAAS异质结构作为量子信息技术的光学材料
摘要：基于应变的带结构工程是一种强大的工具，可以调整半导体纳米结构的光学和电子特性。我们表明，我们可以调整INGAAS半导体量子井的带结构，并通过将其整合到卷起的异质结构中并改变其几何形成，从而改变发光的光线。来自光致发光和光致发光激发光谱的实验结果表明，由于重孔在卷起的Ingaas量子井中的轻孔状态与轻孔的反转，价带状态的强型能量转移与结构相比具有强大的能量转移。带状态的反转和混合会导致滚动量子井的光学选择规则发生强烈的变化，这些量子井也显示出传导带中消失的自旋极化，即使在近乎谐振的激发条件下也是如此。的频带结构计算以了解电子过渡的变化，并预测给定几何构造的发射和吸收光谱。实验与理论之间的比较表明了一个极好的一致性。这些观察到的基本属性的深刻变化可以作为开发量子信息技术新颖的光学设备的战略途径。关键字：频带结构反演，半导体量子井，光学选择规则，滚动微管，拉伸和压缩混合状态，弯曲的半导体膜■简介
在二氧化硅上的ER掺杂平面波导的制造...
摘要我们报告了二氧化硅（SOS）晶状体上掺杂Erbium掺杂的平面波导的制造和表征，可提供低损耗和适用于用于工程光波导放大器（1530-1565 nm）的光纤维通信的较低的光限制。在这里，我们描述了一种超快的血浆掺杂（ULPD）技术，该技术是使用由飞秒激光（波长800 nm）诱导的血浆进行的，其重复速率为10 kHz，脉冲持续时间为45 fs。此处介绍的ULPD方法已成功应用于先前使用脉冲持续时间约为100 fs且重复速率为1 kHz的FS-LASER掺杂在SOS底物上的稀土材料。已经分析了厚度，折射率，光学传播损失，光致发光强度和光致发光寿命的厚度，折射率损失，光发光损失，光发光损失，光发光损失，光致发光的寿命。我们报告了C波段中<0.4dB/cm的低传播损失，长寿命为13.21 ms，在1532 nm和最大的寿命密度产物6.344 x10 19 s.cm -3。低损耗平面平板波导和高寿命密度的产品有望在SOS平台上制造带状的波导的进一步可能性。所提出的主动波导制造方法可能对制造平面的集成光学波导放大器和与基于硅的光子积分电路兼容的激光。
Jeganathan Kulandaivel博士的生物
NANO用户设施：（ Nano用户设施（NUF）服务以收费提供给外部和内部用户）原子力显微镜（AFM）AFM（AFM）AFM（Agilent 5500）可用于检查材料的表面形态（例如导电，非导向，聚合物，聚合物，组合生物学样品等，均具有Atomic solutive。也可以分析样品的粒度和粗糙度。它还具有多种其他模式，例如磁力显微镜（MFM），电流传感原子力显微镜（CSAFM）等。场发射扫描电子显微镜（FESEM）FESEM（Carl Zeiss）可用于以非常高（大约1.5 nm）（约1.5 nm）（约1.5 nm）的所有材料（导电和非导导）成像。FESEM系统还配备了牛津仪器，英国制造了能源色散X射线分析（EDAX）系统，以进行组成分析，包括映射要检查的材料。高分辨率TE冷却检测器可以检测到原子数大于5的元素。 室/低温光致发光光致发光光谱仪（Horiba Jobin yvon）用于探测材料的光学特性，例如带隙，重组机制和缺陷检测。 高性能热电冷却检测器可以通过允许良好的信号与噪声比和较长的整合时间来检测更好的频谱。 规格➢激发来源：HE-CD激光器（λ= 325 nm）➢检测范围：350-900 nm➢温度范围：10-300 k元素。室/低温光致发光光致发光光谱仪（Horiba Jobin yvon）用于探测材料的光学特性，例如带隙，重组机制和缺陷检测。高性能热电冷却检测器可以通过允许良好的信号与噪声比和较长的整合时间来检测更好的频谱。规格➢激发来源：HE-CD激光器（λ= 325 nm）➢检测范围：350-900 nm➢温度范围：10-300 k
探索近红外热敏感性的起源......
摘要：稀土掺杂纳米粒子 (RENPs) 因其光学、磁性和化学特性而引起材料科学界越来越多的关注。RENP 可以在第二生物窗口 (NIR-II，1000 − 1400 nm) 发射和吸收辐射，使其成为光致发光 (PL) 体内成像的理想光学探针。它们的窄发射带和长 PL 寿命可实现无自发荧光的多路复用成像。此外，其中一些 RENP 的 PL 特性具有很强的温度依赖性，这使远程热成像成为可能。钕和镱共掺杂的 NPs 就是一个例子，它们已被用作热报告基因，用于体内诊断，例如炎症过程。然而，由于缺乏关于这些 NP 的化学成分和结构如何影响其热敏感性的知识，阻碍了进一步优化。为了阐明这一点，我们系统地研究了它们的发射强度、PL 衰减时间曲线、绝对 PL 量子产率和热灵敏度与核心化学成分和尺寸、活性壳和外部惰性壳厚度的关系。结果揭示了每个因素在优化 NP 热灵敏度方面的关键贡献。最佳活性壳厚度约为 2 nm，外部惰性壳为 3.5 nm，可最大化 NPs 的 PL 寿命和热响应，这是由于温度相关的反向能量转移、表面猝灭效应和活性离子在薄层中的限制之间的竞争。这些发现为合理设计具有最佳热灵敏度的 RENPs 铺平了道路。关键词：稀土纳米粒子、核心@壳@壳、温度测定、光致发光发射、NIR、量子产率、PL 寿命。
光燃料测量设置-IITBNF
光致发光（PL）光谱是材料的强制性表征方法（例如III-V半导体）是一种无接触式的，无损害的，但同时非常有效且有用的实验，以研究材料的电子结构。如果光粒子（光子）的能量大于带隙能量，则可以吸收它，从而从价谱带从价值带到传导带，从而在禁止的能量间隙上升高。在这一点上，电子最终跌落回到价带失去能量作为从材料发出的发光光子。光子激发的过程随后是光子发射称为光致发光。
聚合物两性离子对 CsPbBr3 钙钛矿纳米粒子和纳米复合薄膜的稳定作用
摘要：以磺基甜菜碱或磷酰胆碱两性离子为侧链基团的功能性聚合物被证实既是 CsPbBr 3 钙钛矿纳米粒子 (PNP) 的配体，又是其基质。这些聚合物可制备出具有出色 NP 分散性、光学透明度和出色的抗 NP 降解性（暴露于水中时）的纳米复合膜。含两性离子的共聚物与 PNP 的多齿相互作用可诱导分散或弱聚集的纳米复合形态，具体取决于聚合物中两性离子官能团的程度。将其他官能团（例如二苯甲酮侧链基团）加入聚合物中可产生可光刻图案化的薄膜，而时间分辨光致发光测量可深入了解 PNP 在两性离子聚合物基质中的电子影响。
