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fe3o4@cds纳米复合材料及其...
2化学系，数学和自然科学学院，安达拉斯大学，印度尼西亚帕登，电子邮件：syukriarief@sci.unand.ac.id（2023年2月2日收到； 2024年2月13日修订； 2024年2月13日； 2024年4月3日接受）。 摘要：重新沉淀技术已成功创建了氧化铁（Fe 3 O 4）纳米颗粒。 然后用发光材料（即碳圆点（CD））对Fe 3 O 4纳米颗粒的表面进行修饰。 CD使用简单的加热方法从干香蕉叶合成。 然后，使用单锅和两锅合成的热液方法合成Fe 3 O 4 @CDS纳米复合材料。 CD在可见光下是透明的，在紫外线照明下看起来蓝色和绿色。 使用光致发光（PL）分光光度计表征CD和Fe 3 O 4 @CDS纳米复合材料的光致发光特性。 fe 3 O 4 @CD使用单盘技术合成具有一个发射带，可向更长的波长或“红移”拓宽。 相比之下，使用两盘技术合成的Fe 3 O 4 @CD具有比纯CD的发光强度更高。 透射电子显微镜（TEM）图像显示了Fe 3 O 4 @CDS纳米复合材料的核心壳结构。 振动样品磁力测定法（VSM）结果表明，纳米复合材料具有22.3 EMU/G的饱和磁化强度，并且具有85.41 OE的固化场。 Fe 3 O 4 @CDS纳米复合材料中的官能团是Fe-O键，表明Fe 3 O 4的形成，而O-H和C = O键表示CD的形成。 关键字：纳米复合材料，磁性材料，生物相容性，碳点2化学系，数学和自然科学学院，安达拉斯大学，印度尼西亚帕登，电子邮件：syukriarief@sci.unand.ac.id（2023年2月2日收到； 2024年2月13日修订； 2024年2月13日； 2024年4月3日接受）。摘要：重新沉淀技术已成功创建了氧化铁（Fe 3 O 4）纳米颗粒。然后用发光材料（即碳圆点（CD））对Fe 3 O 4纳米颗粒的表面进行修饰。CD使用简单的加热方法从干香蕉叶合成。然后，使用单锅和两锅合成的热液方法合成Fe 3 O 4 @CDS纳米复合材料。CD在可见光下是透明的，在紫外线照明下看起来蓝色和绿色。使用光致发光（PL）分光光度计表征CD和Fe 3 O 4 @CDS纳米复合材料的光致发光特性。fe 3 O 4 @CD使用单盘技术合成具有一个发射带，可向更长的波长或“红移”拓宽。相比之下，使用两盘技术合成的Fe 3 O 4 @CD具有比纯CD的发光强度更高。透射电子显微镜（TEM）图像显示了Fe 3 O 4 @CDS纳米复合材料的核心壳结构。振动样品磁力测定法（VSM）结果表明，纳米复合材料具有22.3 EMU/G的饱和磁化强度，并且具有85.41 OE的固化场。Fe 3 O 4 @CDS纳米复合材料中的官能团是Fe-O键，表明Fe 3 O 4的形成，而O-H和C = O键表示CD的形成。关键字：纳米复合材料，磁性材料，生物相容性，碳点基于光学和磁性表征，可以得出结论，可以为生物医学应用（例如生物成像材料）开发该材料。
氧化锌的聚合物封装
3。RESULTS......................................................................................52 3.1.ZnO nanoparticles and their nanohybrids ..............................52 3.1.1.晶体结构......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 52 3.1.2。Nanostructures and morphology.......................................56 3.1.3.Chemical bonding............................................................64 3.1.4.X射线光电子光谱.............................................................................................................. 67 3.1.5。拉曼光谱法..................................................................................................................... 72 3.1.6。频段间隙........................................................................................................................................................... 75 3.1.7。光致发光发射光谱............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 77 3.2。ZnO nanorods ........................................................................83 3.2.1.结晶结构........................................................................................................................................................................................................................................................................................... 83 3.2.2。Morphology......................................................................84 3.2.3.光学特性......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 86 3.2.4。Electrical properties studied by I-V and I-t measuremesnts............................................................................88 3.3.Photodiodes............................................................................93 3.3.1.形态..................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 93 3.3.2。I-V characteristics in dark.................................................94 3.3.3.理想因素计算........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 95 3.3.4。I-V辐射下的I-V特征................................................................................................................................................................................................................................................................................. 95 3.3.5。I-t characteristics: UV on/off cycles...................................97 3.3.6.Figures of merit................................................................98
必须将本文引用为-riunet
光学性质的精确知识，特别是折射率的折射率，即折射率/无机钙钛矿，对于推动从这些材料开发的当前pho-to-to-To-To-To-To-To-To-To-To-To-To-To伏设备的性能至关重要。在这里，我们显示了一种可靠的方法，用于确定Mapbbr3薄膜折射率的真实和假想部分和具有平面几何形状的千分尺尺寸的单晶。同时拟合，光发光和光致发光光谱向理论模型明确定义了折射率和晶体厚度。由于该方法依赖于在这些微观结构中发生的光学共振现象，因此它可用于进一步从钙钛矿或其他光学材料中发展出光学微腔。
Mg和Cu共掺杂的ZnO纳米结构的光电特性A. Ullah A，N。Ali B，*，A。A. A. A. Bahajjaj C，A。A. Shahid A，Q. S. S. Ahmad A，M。Ja
b非洲可持续农业研究所（ASARI）Mohammad VI理工大学（UM6P），Laayoune，摩洛哥C C C型化学系，沙特国王大学，里亚德大学11451年，沙特阿拉伯，阿拉伯人11451 Sheffield，S1 3JD，英国，在这项工作中，纯和MG-CU共掺杂的氧化锌薄膜都是由Sol-Gel Spin涂层技术制备的。微观玻璃基板用于合成薄膜。通过X射线光谱（XRD），光致发光光谱（PL），扫描电子显微镜（SEM），紫外线可见光谱（UV-VIS）和能量分散X射线分析（EDX）检查薄膜。XRD揭示了膜的六边形Wurtzite阶段。对于纯和MG-CU共掺杂的ZnO，观察到的晶粒尺寸分别为23.34 nm至15.94 nm。SEM图像显示了晶粒尺寸的增加，并通过MG-CU共掺杂表面平滑。通过EDX分析证实了ZnO纳米膜中Mg和Cu的存在。紫外线分析显示，掺杂的透射百分比增加。TAUC关系用于估计样品的带隙，并观察到带隙的显着转移。光致发光图显示出更大的发射和掺杂的表面缺陷。可见的光谱完全被低水平的发射覆盖。（2024年7月1日收到； 2024年10月8日接受）关键字：掺杂；传播；纳米颗粒；光致发光1。[3，4]。引言Nano材料有可能通过提高能源转换，存储和传输的效率来彻底改变能源领域。纳米材料可以设计为具有独特且通常是出乎意料的特性，这些特性在散装材料中没有看到，这使得它们对能源应用特别有希望。在当今时代，纳米赛车在舒适人类的能源生产和分配方面做出了巨大的改进。现代技术进步，最终要求更有效的物理和化学技术来开发和生产高级系统，以及不同形式的能源的转换。尽管有一个事实，即尚未耗尽全球化石资产，但是我们目前使用的不同形式的能源的不适当模式的破坏性健康，社会和生态效应是显而易见的[1，2]。能源生产的最大规模替代品以维持和改善由于人口增长和全球化的生命标准，并改善了我们的生活标准素。似乎很可能会增加温室气体的排放，并在未来50年中导致未来的全球变暖。能源与气候变化之间的联系强调了迫切需要过渡到更可持续和弹性的能源系统，该系统可以支持经济发展并改善人民和地球的福祉。这需要政府，企业和个人的共同努力，以优先考虑和投资清洁能源技术和实践，并减少经济各个部门的温室气体排放。
一项关于自动驾驶占用感知的调查
抽象2D铁电/石墨烯异质结构是通过机械去角质制造的，横穿异质结构界面的载体动力学已通过拉曼，光致发光和瞬态吸收测量值进行了系统地研究。由于有效的界面照片激发电子传递和捕获孔的光吸收效果，异质结构设备显示出卓越的性能，最大响应性为2.12×10 4 A/W，在λ= 532 nm laseer Illumuminention下，探测率为1.73×10 14 jones和快速响应时间（241 µS）。此外，还研究了受铁电化场影响的照片反应。我们的工作确认铁电β-inse/石墨烯异质结构是敏感光电应用的出色材料平台。
来自PMMA波导的随机激光作用，用CDSE/ZNS CQD掺杂，可通过Ag Nanoislands增强
摘要：在这封信中，随机激光是通过覆盖聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）掺杂的CDSE/ZNS胶体量子点（CQDS）构建的活性波导结构来制造的。由于CQD的光致发光光谱以及Active波导层提供的强限制机制，因此具有较低的阈值，因为Ag Nanoislands的等离子共振出色的重叠。随机激光的性能可以通过AG纳米兰州结构的灵活制造来调节。由于CDSE/ZNS CQD的超级化学和照片稳定性以及PMMA矩阵提供的CDSE/ZNS CQD的稳定外部环境，光谱演化显示在不间断激光照射下随机激光的稳定性。
eva aa pogna curriculum vitae 12.11.2024
§近场成像：在包括拓扑绝缘子和黑色磷（包括拓扑绝缘子和黑磷）中研究远红外极性子。她已经开发了基于THZ量子级联激光器（单模，随机，频率梳）的新型近场成像方法，可实现用于台式源的记录频谱覆盖率（不是基于FEL或同步器），从而使精液的进步使THZ表面波浪理解。§超快光谱：研究石墨烯的光学特性，半导体的二维晶体及其范德华异质结构，以及最近的非线性介电元面。她已经开发了最新的设置，用于瞬时吸收，时间分辨的光致发光，时间分辨的法拉第旋转，时间撤销的圆形二色性和时间分辨的第二谐波产生。
操纵电荷和2D原子之间的能量转移...
Xue Liu 1 , Jiajie Pei 1, 2 , Zehua Hu 1 , Weijie Zhao 1 , Sheng Liu 1 , Mohamed-Raouf Amara 1 , Kenji Watanabe 3 , Takashi Taniguchi 4 , Han Zhang 2 , Qihua Xiong 1, 5 * 1 Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological大学，新加坡637371，新加坡。2 2， 伊巴拉基305-0044，日本5低维量子物理学的国家主要实验室和北京北京大学的物理系，中国摘要：二维（2D）van der waals异质结构因其出现的电气和光学性质而引起了巨大的研究兴趣。 此类设备中对层间耦合的全面理解和有效的控制对于实现其功能以及提高其性能至关重要。 在这里，我们通过改变由石墨烯，六边形硝化硼和二硫化钨的不同堆叠层改变了2D材料之间的层间电荷转移。 在可见光的兴奋下，尽管被氮化硼隔开了，但二硫化石和钨二硫化物表现出清晰的掺杂水平的调制，即，石墨烯中费米水平的变化是120 MEV，以及WS 2中的净电子积累。2， 伊巴拉基305-0044，日本5低维量子物理学的国家主要实验室和北京北京大学的物理系，中国摘要：二维（2D）van der waals异质结构因其出现的电气和光学性质而引起了巨大的研究兴趣。 此类设备中对层间耦合的全面理解和有效的控制对于实现其功能以及提高其性能至关重要。 在这里，我们通过改变由石墨烯，六边形硝化硼和二硫化钨的不同堆叠层改变了2D材料之间的层间电荷转移。 在可见光的兴奋下，尽管被氮化硼隔开了，但二硫化石和钨二硫化物表现出清晰的掺杂水平的调制，即，石墨烯中费米水平的变化是120 MEV，以及WS 2中的净电子积累。伊巴拉基305-0044，日本5低维量子物理学的国家主要实验室和北京北京大学的物理系，中国摘要：二维（2D）van der waals异质结构因其出现的电气和光学性质而引起了巨大的研究兴趣。 此类设备中对层间耦合的全面理解和有效的控制对于实现其功能以及提高其性能至关重要。 在这里，我们通过改变由石墨烯，六边形硝化硼和二硫化钨的不同堆叠层改变了2D材料之间的层间电荷转移。 在可见光的兴奋下，尽管被氮化硼隔开了，但二硫化石和钨二硫化物表现出清晰的掺杂水平的调制，即，石墨烯中费米水平的变化是120 MEV，以及WS 2中的净电子积累。伊巴拉基305-0044，日本5低维量子物理学的国家主要实验室和北京北京大学的物理系，中国摘要：二维（2D）van der waals异质结构因其出现的电气和光学性质而引起了巨大的研究兴趣。此类设备中对层间耦合的全面理解和有效的控制对于实现其功能以及提高其性能至关重要。在这里，我们通过改变由石墨烯，六边形硝化硼和二硫化钨的不同堆叠层改变了2D材料之间的层间电荷转移。在可见光的兴奋下，尽管被氮化硼隔开了，但二硫化石和钨二硫化物表现出清晰的掺杂水平的调制，即，石墨烯中费米水平的变化是120 MEV，以及WS 2中的净电子积累。通过使用微拉曼和光致发光光谱的组合，我们证明了调制起源于同时操纵电荷和/或在每个两个相邻层之间的能量转移。关键字：2D材料，范德华异质结构，拉曼和光致发光光谱，层间电荷和能量传递，带工程
CV -HAPOSAN_JAN25.pdf- TOBIAS HAPOSAN个人页面
•对X射线应用的机械化合物合成的铜卤化物钙钛矿（CHP）的闪烁特性和陷阱状态研究的构想研究。表征技术的分析包括光致发光/UV-VIS，辐射发光，热发光和脉冲高度光谱（pHS） - 闪烁衰减。•通过溴掺杂和降低尺寸降低，提高了CHP上的闪烁参数和性能的工作，实现了增强的快速衰减组件（短〜9.3 ns，43％，43％，43％）和可调陷阱深度，用于闪烁应用。•在湿实验室，科学仪器维护和监督（拉曼光谱）和消耗品监控上进行了进一步的工作。•进行了网站创建组信息（apcresearch.org），并在组网站（Management.apcresearch.org/resources/h）上管理了专有技术/SOP文档。
飞秒激光诱导的硅在硅 - 绝缘子底物中的G和W-中心的创建
在硅中产生荧光缺陷是确保量子光子设备进入现有技术的关键垫脚石。在这里，我们证明了飞秒激光退火的创建，该创建的W and g-Centers in Commercial Silicon上的绝缘体（SOI）先前植入了12 C +离子。它们的质量与使用常规植入过程获得的相同发射器相媲美；通过光致发光辐射寿命来量化，其零孔线（ZPL）的拓宽以及这些定量随温度的进化。除此之外，我们还表明，这两个缺陷都可以在没有碳植入的情况下创建，并且我们可以在增强W-Centers Emision的同时退火来消除G-Centers。这些演示与硅在硅中的确定性和操作生成有关。