Xue Liu 1 , Jiajie Pei 1, 2 , Zehua Hu 1 , Weijie Zhao 1 , Sheng Liu 1 , Mohamed-Raouf Amara 1 , Kenji Watanabe 3 , Takashi Taniguchi 4 , Han Zhang 2 , Qihua Xiong 1, 5 * 1 Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological大学,新加坡637371,新加坡。2 2, 伊巴拉基305-0044,日本5低维量子物理学的国家主要实验室和北京北京大学的物理系,中国摘要:二维(2D)van der waals异质结构因其出现的电气和光学性质而引起了巨大的研究兴趣。 此类设备中对层间耦合的全面理解和有效的控制对于实现其功能以及提高其性能至关重要。 在这里,我们通过改变由石墨烯,六边形硝化硼和二硫化钨的不同堆叠层改变了2D材料之间的层间电荷转移。 在可见光的兴奋下,尽管被氮化硼隔开了,但二硫化石和钨二硫化物表现出清晰的掺杂水平的调制,即,石墨烯中费米水平的变化是120 MEV,以及WS 2中的净电子积累。2, 伊巴拉基305-0044,日本5低维量子物理学的国家主要实验室和北京北京大学的物理系,中国摘要:二维(2D)van der waals异质结构因其出现的电气和光学性质而引起了巨大的研究兴趣。 此类设备中对层间耦合的全面理解和有效的控制对于实现其功能以及提高其性能至关重要。 在这里,我们通过改变由石墨烯,六边形硝化硼和二硫化钨的不同堆叠层改变了2D材料之间的层间电荷转移。 在可见光的兴奋下,尽管被氮化硼隔开了,但二硫化石和钨二硫化物表现出清晰的掺杂水平的调制,即,石墨烯中费米水平的变化是120 MEV,以及WS 2中的净电子积累。伊巴拉基305-0044,日本5低维量子物理学的国家主要实验室和北京北京大学的物理系,中国摘要:二维(2D)van der waals异质结构因其出现的电气和光学性质而引起了巨大的研究兴趣。 此类设备中对层间耦合的全面理解和有效的控制对于实现其功能以及提高其性能至关重要。 在这里,我们通过改变由石墨烯,六边形硝化硼和二硫化钨的不同堆叠层改变了2D材料之间的层间电荷转移。 在可见光的兴奋下,尽管被氮化硼隔开了,但二硫化石和钨二硫化物表现出清晰的掺杂水平的调制,即,石墨烯中费米水平的变化是120 MEV,以及WS 2中的净电子积累。伊巴拉基305-0044,日本5低维量子物理学的国家主要实验室和北京北京大学的物理系,中国摘要:二维(2D)van der waals异质结构因其出现的电气和光学性质而引起了巨大的研究兴趣。此类设备中对层间耦合的全面理解和有效的控制对于实现其功能以及提高其性能至关重要。在这里,我们通过改变由石墨烯,六边形硝化硼和二硫化钨的不同堆叠层改变了2D材料之间的层间电荷转移。在可见光的兴奋下,尽管被氮化硼隔开了,但二硫化石和钨二硫化物表现出清晰的掺杂水平的调制,即,石墨烯中费米水平的变化是120 MEV,以及WS 2中的净电子积累。通过使用微拉曼和光致发光光谱的组合,我们证明了调制起源于同时操纵电荷和/或在每个两个相邻层之间的能量转移。关键字:2D材料,范德华异质结构,拉曼和光致发光光谱,层间电荷和能量传递,带工程
主要关键词