摘要:量子点因其明亮、尺寸可调的发光特性而被应用于研究实验室和商业应用中。虽然经验合成和工艺优化已使许多量子点系统的光致发光量子产率达到或接近 100%,但我们对这种性能背后的化学原理的理解以及我们按需获取此类材料的能力却落后了。在本期观点中,我们介绍了我们对表面化学和量子点发光之间联系的理解现状。我们遵循从壳层生长开始的历史弧线,然后导致对表面衍生电荷捕获的原子描述,最终使我们对表面化学在发光特性中的作用有了更细致的了解,包括表面偶极子和振动电子耦合等新兴概念。F
- 几何和波光学原理的介绍和概述:基本方程式和概念,包括光腔,极化,相干,激光束,差异和干扰。- 光的传播:罕见且密集的培养基,Huygens和Fermat的原理,光速,折射率,菲涅尔方程。- 傅立叶系列和傅立叶积分:连贯性,相关性和卷积的概念。傅立叶转化光谱以及对FTIR和相关振动光谱的应用。- 材料的表征:传播和反射,椭圆法,吸收,光致发光和阴极发光。- 光子学和纳米镜的介绍:光学领域的evaneScent Fimfiend和optical findice,表面等离子体,光触角的传播和聚焦。- 现代纳米光子设备的选定应用(例如,利用接近局部的光学技术,等离激光激光器,用于生物传感应用的表面等离子体)。
铅卤化物钙钛矿纳米晶体是经典和量子光发射的有前途的材料。要了解这些出色的特性,需要对带边的激子发射进行彻底的分析,这是由于扩大效果而在整体和室温研究中无法达到的。在这里,我们报告了中间量子限制方案中单个CSPBBR 3 NC的光致发光的低温温度研究。我们揭示了观察到的光谱特征的尺寸依赖性:亮点激子能量分裂,TRION和BIEXCITON结合能以及光学声子复制频谱。此外,我们表明明亮的三重能量分离与纯交换模型一致,并且可以简单地考虑发射偶极子和发射状态的种群的方向来合理化所记录的极性特性和光谱。
2 法政大学 关键词:GaN-on-GaN、肖特基势垒二极管、均匀性、光致发光、功率器件 摘要 为了大规模生产 GaN-on-GaN 垂直功率器件,n 漂移层在 10 15 cm 3 范围内的净施主浓度 ND NA 的晶圆级均匀性是一个重要因素,因为它决定了击穿电压 VB 。在本研究中,我们通过控制 GaN 衬底的偏角展示了 GaN 肖特基势垒二极管晶圆级均匀性的改善。通过 MOVPE 在具有各种偏角和偏差的独立 GaN 衬底上生长外延结构。使用电容电压测量(C V)、光致发光(PL)和二次离子质谱(SIMS)仔细分析了 ND NA 的变化。与碳有关的NA变化导致了NDNA的不均匀性,而这与晶圆的衬底偏角有关。通过最小化偏角的变化可以提高NDNA的均匀性。引言在GaN衬底上制造的垂直结构GaN功率开关器件对于高效功率转换系统很有前景,因为这些器件提供极低的导通电阻(R on)和高击穿电压(VB)[1-3]。减少对器件成品率和可靠性致命的致命缺陷是一个重要问题。GaN-on-GaN二极管初始故障机理已有报道[4],其中具有外延坑的二极管在非常低的反向电压下表现出严重击穿。此外,最近有报道称表面粗糙度会影响可靠性[5]。在使用金属有机 (MO) 源引入碳 (C) 杂质时,n 漂移层中的净施主浓度必须控制在 10 15 cm3 范围内才能获得高 VB [6]。通过低施主含量,可以在负偏置条件下抑制 pn 或肖特基界面处的峰值电场 [7, 8]。然而,关于垂直 GaN-on-GaN 器件中净施主浓度的晶圆级均匀性的报道很少。
掺杂氮的碳量子点是通过一步大气压微质量工艺合成的。使用一系列的光学和化学测量以及通过理论计算来研究观察到的光致发光发射及其与氮掺杂的关系。氮掺杂到核心和氧基团的表面状态的功能化产生了杂种结构,该结构造成了量子的发光量高达33%。载体乘积被视为量子产率中的阶梯状增强。对可见光发射的分析表明,发射的大部分源自表面状态,而不是由于量子点核心内的重组而引起的。表面官能团的作用在确定光学特性中的量子确定性上是主要的。©2021作者。由Elsevier Ltd.这是CC下的开放访问文章(http://creativecommons.org/licenses/4.0/)。
碳点(CD)是一类新型碳纳米材料,具有多种结构和优异的物理化学性质,因其在肿瘤诊疗,特别是在靶向生物成像和治疗中的潜在应用而引起了人们的极大兴趣。在这些领域,CD及其衍生物已被用作肿瘤细胞光致发光生物成像的高效成像剂。由于独特的结构、光学和/或剂量注意特性,CD已通过与其他功能纳米粒子结合或利用其固有的物理特性被用于针对不同肿瘤的各种纳米诊疗策略。到目前为止,CD因其在肿瘤精准靶向生物成像和治疗中的优异性能而被认可为新型生物材料。本文综述了CD在靶向生物成像和肿瘤治疗中发展的最新进展。同时,讨论并提出了CD在有前景的纳米诊疗策略中应用的挑战和未来前景。
摘要:从量子传感到量子计算,量子发射器在众多应用中必不可少。六方氮化硼 (hBN) 量子发射器是迄今为止最有前途的固态平台之一,因为它们具有高亮度和稳定性以及自旋-光子界面的可能性。然而,对单光子发射器 (SPE) 的物理起源的理解仍然有限。在这里,我们报告了整个可见光谱中 hBN 中的密集 SPE,并提出证据表明大多数这些 SPE 可以通过供体-受体对 (DAP) 很好地解释。基于 DAP 跃迁生成机制,我们计算了它们的波长指纹,与实验观察到的光致发光光谱非常匹配。我们的工作为物理理解 hBN 中的 SPE 及其在量子技术中的应用迈出了一步。关键词:六方氮化硼、单光子发射器、供体-受体对、量子光学■简介
本文详细研究了通过金属有机化学气相沉积生长的 GaN ~ 1 nm ! /Al 0.2 Ga 0.8 N ~ 3.3 nm ! 20 周期超晶格的光致发光 ~ PL !。在低温状态下,PL 发射能量、线宽和强度对温度的依赖性与涉及带尾态的复合机制相一致,该复合机制归因于少量界面无序。我们超晶格中非辐射中心的活化能与我们得出的尾态分布宽度值非常吻合。此外,我们发现,在高温下控制带间 PL 能量的声子的平均声子能量对于超晶格来说比对于高质量 GaN 薄膜来说更大。这一观察结果与预测 GaN-AlN 基纤锌矿异质结构声子模式特性的模型计算结果一致。© 2000 美国物理学会。 @S0003-6951〜00!00915-3#
摘要:我们报道了通过近距离氮空位 (NV) 单自旋传感器对磁性绝缘体 Y 3 Fe 5 O 12 薄膜中具有宽波矢范围的磁振子进行光学检测。通过多磁振子散射过程,激发的磁振子在 NV 电子自旋共振频率下产生波动磁场,从而加速 NV 自旋的弛豫。通过测量 NV 中心发射的自旋相关光致发光的变化,可以光学访问波矢可变至 ∼ 5 × 10 7 m − 1 的磁振子,从而为揭示磁系统中潜在的自旋行为提供了另一种视角。我们的结果凸显了 NV 单自旋量子传感器在探索新兴自旋电子材料的纳米级自旋动力学方面提供的重大机遇。关键词:量子传感、氮空位磁力仪、自旋波、磁绝缘体
