本文详细研究了通过金属有机化学气相沉积生长的 GaN ~ 1 nm ! /Al 0.2 Ga 0.8 N ~ 3.3 nm ! 20 周期超晶格的光致发光 ~ PL !。在低温状态下，PL 发射能量、线宽和强度对温度的依赖性与涉及带尾态的复合机制相一致，该复合机制归因于少量界面无序。我们超晶格中非辐射中心的活化能与我们得出的尾态分布宽度值非常吻合。此外，我们发现，在高温下控制带间 PL 能量的声子的平均声子能量对于超晶格来说比对于高质量 GaN 薄膜来说更大。这一观察结果与预测 GaN-AlN 基纤锌矿异质结构声子模式特性的模型计算结果一致。© 2000 美国物理学会。 @S0003-6951〜00！00915-3＃