在硅(SI)和氮化硅(SIN)基于光子整合电路(PICS)的基于硅(SI)上的薄膜(SIN)上的薄膜(PICS)的异质整合在未来未来的纳米光子薄片调制器的发展中起着至关重要的作用。由于铁电薄膜的电形(EO)特性在很大程度上取决于它们的晶体相和质地,因此在这些平台上的Batio 3薄系统的整合远非微不足道。到目前为止,已经开发了使用SRTIO 3模板结合使用SRTIO 3模板纤维与高真空沉积方法结合使用的常规集成途径,但是它的吞吐量较低,昂贵,需要单晶基板。要缩小这一差距,需要一种成本效率,高通量和可扩展的方法来集成高纹理的Batio 3薄膜。因此,提出了使用LA 2 O 2 CO 3模板膜与化学溶液沉积(CSD)过程结合使用LA 2 O 2 CO 3模板膜整合的替代方法。在这项工作中,溶液处理的BATIO 3薄片的结构和EO特性是表征的,并评估了其整合到光圈谐振器中。BATIO 3纤维表现出纹理,其大型皮孔系数(r E e镜)为139 pm v-1,并且在基于环的谐振器调制器中积分显示为1.881 V cm的V le,带宽为40 GHz。这可以使Batio 3薄膜在PIC平台上进行低成本,高通量和富裕整合,并在PIC平台上以及潜在的大规模制造纳米光子BATIO 3薄片调制器。