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硅光子学已成为用于广泛应用的光子集成电路(PIC)的最广泛使用的平台之一。几乎所有这些都需要高速,低功率操作。调节剂仅基于硅,仅依赖于血浆分散效应来实现调节。血浆分散效应通过游离载体的移动引起材料的折射率变化,这意味着操作速度受这些载体的寿命限制,从而在数十吉哈特兹的命令下提供了最大可实现的带宽。在硅上新型材料的异质整合被认为是仅基于硅的调节剂的替代品。钛酸钡(BTO)就是一种可以集成到硅上的材料。在光子芯片上沉积为薄膜时,BTO表现出所有电极(EO)材料的最大塞子系数之一,同时是化学和热稳定的[1]。根据以下方程式,由于施加的电场e而导致的折射率n变化之间的线性关系给出了简化的描述:

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