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利用和AI用于实时监控和优化聚合物生产过程Tarun Madan Kanade 1， *，Dipeeka Chavan 2，Manish教授
Leveraging and Ai for Real-Time Monitoring and Optimization of Polymer Production Processes Tarun Madan Kanade 1 , *, Dipeeka Chavan 2 , Prof. Manisha Pagar 3 , Jonathan, Joseph 4 , Shriya Gokhale 5 , CMA Rajendra Shirsat 6 Abstract Integrating the Internet of Things (IoT) and Artificial Intelligence (AI) technology provides a transformational potential for the polymer manufacturing业务，允许实时监控并更好地控制生产过程。本文探讨了物联网和AI的协同应用，以在聚合物制造中实现更高的效率，可持续性和质量控制。IoT传感器和设备可能会从制造过程的不同阶段捕获大量数据，从而提供有关设备性能，环境条件和产品质量的实时信息。AI系统可以使用此数据来发现趋势，预测前瞻性问题，并优化生产环境，减少废物并增加资源使用情况。整合这些技术可以导致预测性维护，降低停机时间和运营成本，并确保遵守环境和安全标准。本文回顾了聚合物行业的物联网和AI集成的现状，讨论了技术挑战和机遇，并提出了证明成功实施的案例研究。此外，我们为聚合物生产中的物联网和AI系统部署提供了一个框架，强调了数据安全性，互操作性和可伸缩性的重要性。聚合物具有灵活性，弹性和轻巧的品质，是当代生产中的关键材料。调查结果表明，物联网和AI的联合使用可以显着增强聚合物生产过程的弹性和可持续性，从而定位该行业以更好地满足现代市场的需求。关键字：物联网（IoT），人工智能（AI），聚合物生产，实时监控，过程管理，可持续性，预测性维护，数据分析简介聚合物制造在许多领域中至关重要，包括汽车，航空航天，包装，包装，电子设备和医疗保健。全球对聚合物的需求不断增加，这是由于它们的多样化应用以及聚合物科学中持续的创新。有效的聚合物生产过程对于满足这一需求，确保高产品质量和维持成本效益至关重要。聚合物制造在许多领域至关重要，包括汽车，航空航天，包装，电子和医疗保健。聚合物具有灵活性，弹性和轻巧的品质，是当代生产中的关键材料[1]。物联网和AI技术的概述The Internet（IoT）是配备有传感器，软件和其他技术的物理项目网络，允许它们收集和共享数据。 在聚合物生产的背景下，物联网设备可以实时监视各种参数，例如温度，压力和湿度，物联网和AI技术的概述The Internet（IoT）是配备有传感器，软件和其他技术的物理项目网络，允许它们收集和共享数据。在聚合物生产的背景下，物联网设备可以实时监视各种参数，例如温度，压力和湿度，
尼泊尔公共财政管理改革的运行风险评估：挑战与机遇的回顾
致谢 本报告由 ODI 团队起草，该团队由 Philipp Krause、Stephanie Sweet、Edward Hedger 和 Bhola Chalise 组成。Hiramani Ghimire 和 Bigyan Pradhan 在世界银行驻尼泊尔国家办事处的 Tahseen Sayed 的指导下管理了这项研究。该团队谨对尼泊尔政府在 ODI 团队于 2012 年 10 月和 2013 年 2 月访问尼泊尔期间给予的热情款待和支持表示感谢。特别感谢 PEFA 指导委员会成员，该委员会由财政部长 Krishna Hari Baskota 于 2012 年 10 月担任主席，由 Shanta Raj Subedi 于 2013 年 2 月担任主席。我们还要感谢 Pratap Kumar Pathak 和 Narendra Dahal 在不同时期担任金融审计长时给予的指导和支持。Mahesh Prasad Dahal 领导 PEFA 秘书处，是政府方面研究的联络人，他为研究团队提供了宝贵的支持。Suresh Pradhan 接替他担任 PEFA 秘书处的协调员，并提供类似的支持，并加入团队进行实地考察。FCGO/PEFA 秘书处的 Rajendra Bajracharya 和 Baburam Subedi 通过协调 FCGO 对报告草案的回应来支持这项工作。该团队还想记录下对 DTCO 负责人及其在 Kavre、Chitwan、Rupandehi 和 Palpa 的同事的感谢，感谢他们非常热情的支持，不仅在收集信息方面，而且在召集与各地区相关对话者的互动方面。特别感谢 Suresh Pradhan 及其在 FCGO 的团队，他们在协助会议和提供数据和报告方面发挥了重要作用。如果没有他们的帮助，团队不可能在有限的时间内覆盖如此多的内容。尽管还有其他紧迫的任务，但加德满都和全国各地的所有受访者（请参阅附录 B 中的受访者名单）都非常慷慨地付出时间和见解。我们要感谢世界银行和 PFM 多捐助方信托基金的成员，包括 DFID、AusAID、挪威、丹麦和欧盟，感谢他们在国家访问期间和远程与团队合作并提供资金。世界银行华盛顿特区办事处的 Verena Fritz 在整个过程中提供了有益的评论和指导，并参加了两次国家访问。我们收到了来自 Hiramani Ghimire、Bigyan Pradhan 和 Verena Fritz 以及多个政府机构和发展伙伴对本报告早期草稿的大量评论和反馈。Ruth Larbey 和 Roo Griffiths 编辑了本报告。Suran KC Shrestha 在团队在尼泊尔期间提供了宝贵的后勤支持。所有事实或判断错误均由作者负责。本报告中表达的调查结果、解释和结论完全是作者的观点，并不一定代表世界银行集团、其执行董事或他们所代表的国家的观点，也不应该归咎于他们。
2025 年 3 月 20 日至 21 日
1. Maguy Abi Jaoude Kahwaji 博士，英国哈利法大学副教授 2. Ajeet Kaushik 博士，佛罗里达理工大学，佛罗里达 3. Rajendra S. Varma 博士，巴西圣卡洛斯联邦大学 4. Mustanser Hussain 教授，美国新泽西理工学院 5. Shinichi Komaba 博士，日本东京理科大学 6. SK Singh 教授，印度科塔拉贾斯坦技术大学校长 7. OP Dhankaher 博士，美国马萨诸塞大学 8. Vinay Jha 博士，尼泊尔特里布万大学 9. Himanshu Ojha 博士，INMAS、DRDO 德里，印度科学家 10. Barnabe Mari 博士，西班牙巴伦西亚理工大学 11. Shri Arvind Kumar，CFEES 主任，新德里 12. OP 教授Agarwal，Maharshi Dayanand 大学，罗赫塔克 13. Virender Sharma 教授，德克萨斯农工大学，美国德克萨斯州 14. KK Bhasin 教授，旁遮普大学，昌迪加尔 15. Avtar Singh 博士，美国佛罗里达州南佛罗里达大学 16. Man Singh 教授，中央大学，古吉拉特 17. Ranjana Agarwal 教授，主任，印度CSIR-NISTADS，新德里 18. RK Soni 教授，密拉特大学，密拉特 19. Satender Sharma 教授，NSUT，德里 20. Rajeev Gupta 教授，德里大学，德里 21. Sonia 博士，葡萄牙诺瓦大学 22. SK Mehta 教授，拉达克大学副校长 23. Pawan Kumar Maurya 教授 (CUH) 24. Ajay Kumar Mishra 教授，大学南非西开普省 25. Pratima Solanki 博士，贾瓦哈拉尔尼赫鲁大学，新德里 26. Rita Mehra 教授，Mahrashi Dayanand Sarawati 大学，阿杰梅尔 27. Suman Singh 博士，CSIR-CSIO，昌迪加尔 28. Rajan Patel 教授，化学，Jamia Millia Islamia 29. Moonis Ali Khan 教授，沙特国王大学，阿杰梅尔沙特阿拉伯利雅得 30. D. Kumar 教授，新德里德里科技大学 31. Sabu Thomas 教授，克尔拉科塔亚姆圣雄甘地大学副校长 32. Lakhveer Singh Thakur 博士，曼迪萨达尔帕特尔大学研究院长 33. Surender Kumar 博士，CSIR-AMPRI，博帕尔 34. Ramanand Sagar 博士，Kirori Mal 学院，大学德里 35. 博士。 Muhammad Bilal Tahir，巴基斯坦 KFUIT 研究主任 36. Payal Joshi 博士，孟买 Shefali 研究实验室主任 37. Nisha Yadav 博士，瑞典 KTH 皇家理工学院
Enigma-Chronic疼痛：识别慢性疼痛相关的全球倡议
John Jahanshad，Andoh D，Georgia Antoniou，Apkar Vania Apkarian，Laurco-Hino-Hininal IS。 Martin Domin，Natalia Egorova-Brumley DN，James Fachon，OO，Jodi M. Gilman。 Marco L. Loggia和BBB，Marco L.Loggia和BBB，Marco L.Loggia，Marco L. Millard的评估，Susanne，Samantha K. Millard，Rajeny A.公园，小龙格GGG，耶稣·普约尔P，琳达·罗博波，施特林·桑，德林·孙，MMM，A。AnnaWoodbury ckk，www，www，Fadel XXX，Ravi R. Bhatt C，Christopher R.K. Paul M. Thompson C
印度理工学院布巴内斯瓦尔 - 印度理工学院...
作为主宾出席会议 布巴内斯瓦尔，2024 年 12 月 28 日：印度理工学院 (IIT) 布巴内斯瓦尔于 2024 年 12 月 28 日举办了第 12 届和第 13 届联合毕业典礼。印度政府教育部部长 Shri Dharmendra Pradhan 作为主宾出席了会议并发表了毕业典礼致辞。印度政府首席科学顾问 Ajay Kumar Sood 教授、印度政府原子能委员会主席兼原子能部秘书 Ajit Kumar Mohanty 博士和印度政府科技部秘书 Abhay Karandikar 教授是贵宾。印度理工学院布巴内斯瓦尔分校董事会 (BoG) 主席 Rajendra Prasad Singh 博士主持了毕业典礼。印度理工学院布巴内斯瓦尔分校校长 Shreepad Karmalkar 教授作了毕业典礼报告，并向学生颁发了学位。在毕业典礼上，学院为 2022-23 学年和 2023-24 学年的 1388 名学生颁发了学位。在这些学生中，8% 为博士，19% 为技术硕士，14% 为理学硕士，14% 为双学位（技术学士和技术硕士），45% 为技术学士。尊敬的部长 Shri Pradhan 在毕业典礼上表示：“印度理工学院布巴内斯瓦尔分校应该努力成为知识、研究和创新的学院。作为印度理工学院的毕业生，他们应该努力成为创造就业机会的人，而不是求职者。他们应该做好准备，成为工业革命 4.0 的贡献者。教育机构和教职员工应该努力重新定义学生对创业的态度和能力。”他强调，印度的研究应超越学术出版物，在创新和创业敏锐度方面达到全球基准。“印度理工学院布巴内斯瓦尔分校及其学生应努力促进创业和创业生态系统，以促进奥里萨邦到 2036 年的增长进程，到 2047 年促进整个国家的增长进程，”他补充道。阿贾伊·库马尔·苏德教授在演讲中强调，要通过研究和创新创造知识，从而提高全球竞争力。学术界和产业界之间的合作伙伴关系、培养多学科方法、为开创性研究和尖端基础设施提供资金和投资以及培养技术熟练和多样化的劳动力，对于研究生态系统的发展至关重要。他提到了阿努桑丹研究基金会 (ANRF) 及其目标。阿吉特·库马尔·莫汉蒂博士说，即使在人工智能和机器学习时代，人类的知识和能力也是不可替代的。他补充说，印度的年轻人具有创新潜力，他们应该利用这种力量促进国家的发展。 Abhay Karandikar 教授在致辞中对印度理工学院布巴内斯瓦尔分校成为尖端研究和创新中心表示赞赏。他提到，印度在科技领域取得了巨大进步，在全球版图上占有一席之地。印度已成为全球第三大创业生态系统国家，这展示了该国的创新和创业实力。印度青年应以此为榜样，努力为印度成为研究和创新领域的领导者做出贡献。
6T 1位全加器的实现与分析
VI. 参考文献 [1] DanWang, Maofeng & Wucheng，“180nm CMOS 技术中的新型低功耗全加器单元”，DOI:10.1109/ICIEA.2009.5138242，工业电子与应用，2009 年。ICIEA 2000。第四届 IEEE 会议，2009 年 6 月。 [2] Kamlesh Kukreti、Prashant Kumar 等人，“基于多米诺逻辑技术的全加器性能分析”，DOI:10.1109/ICICT50816.2021.9358544，印度哥印拜陀，2021 年。 [3] Umapathi.N、Murali Krishna、G. Lingala Srinivas。 (2021)“对进位选择加法器独特实现的综合调查”，IEEE 和 IAS 第四届两年一度的新兴工程技术国际会议，于 1 月 15 日至 16 日在印度新孟买举行。[4] Subodh Wairya、Rajendra Kumar 等人，“用于低压 VLSI 设计的高速混合 CMOS 全加器电路性能分析”，DOI：10.1155/2012/173079，2012 年 4 月。[5] N. Umapathi、G.Lavanya (2020)。使用 Dadda 算法和优化全加器设计和实现低功耗 16X16 乘法器。国际先进科学技术杂志，29(3)，918-926。[6] Pankaj Kumar、Poonam Yadav 等人，“基于 GDI 的低功耗应用全加器电路设计和分析”，国际工程研究与应用杂志，ISSN：2248-9622，第 4 卷，第 3 期（第 1 版），2014 年 3 月。[7] NM Chore 和 RNMandavgane，“低功耗高速一位全加器调查”，2010 年 1 月。[8] Gangadhar Reddy Ramireddy 和 Yashpal Singh，“亚微米技术下拟议的全加器性能分析”，国际现代科学技术趋势杂志第 03 卷，第 03 期，2017 年 3 月 ISSN：2455-3778。 [9] Chandran Venkatesan、Sulthana M.Thabsera 等人，“使用 Cadence 45nm 技术的不同技术分析 1 位全加器”，DOI：10.1109/ICACCS.2019.8728449，2019 年 3 月，印度哥印拜陀。[10] K.Dhanunjaya、Dr.MN.Giri Prasad 和 Dr.K.Padmaraju，“使用 45nm Cmos 技术的低功耗全加器单元性能分析”，国际微电子工程杂志（IJME），第 3 卷。 1，No.1，2015 年。[11] Karthik Reddy.G，“Cadence Virtuoso 平台中 1 位全加器的低功耗面积设计”，国际 VLSI 设计与通信系统杂志 (VLSICS) 第 4 卷，第 4 期，2013 年 8 月，DOI：10.5121/vlsic.2013.4406 55。[12] Kavita Khare 和 Krishna Dayal Shukla，“使用 Cadence 工具设计 1 位低功耗全加器”，引用为：AIP 会议论文集 1324，373 (2010)，2010 年 12 月 3 日。[13] Murali Krishna G. Karthick、Umapathi N.（2021）“低功耗高速应用的动态比较器设计”。引自：Kumar A.、Mozar S. (eds) ICCCE 2020。电气工程讲义，第 698 卷。Springer，新加坡。[14] Murali Anumothu、BRChaitanya Raju 等人“使用基于多路复用器的 GDI 逻辑设计和分析 45nm 技术中的 1 位全加器的性能”，第 3 卷(2016)，第 3 期，2016 年 3 月。[15] Partha Bhattacharyya、Bijoy Kundu 等人。al“低功耗高速混合 1 位全加器电路的性能分析”，第 23 卷，第 10 期，DOI：10.1109/TVLSI.2014.2357057，2015 年 10 月。
RI23 第 2 阶段 - BA 呼叫转发列表（2022 年 11 月 3 日）
12 RABIN GURUNG 44/01/75/01838 GORKHA 13 JARMAN GURUNG 44/01/77/03435 GORKHA 14 KESHAB GURUNG 44/01/78/02046 GORKHA 15 PRABIN GURUNG/RAKHA 14/01/144/1 IN GURUNG 44/01/76/05041 GORKHA 17 SAMUEL BARAMU 44/01/78/05167 GORKHA 18 BISHWO THAPA 44/01/78/07941 GORKHA 19 ADARSH KARKI 44/01/08047 GORKHA/GHALE 01/75/06226 GORKHA 21 MANISH GHALE 44/01/76/02674 GORKHA 22 ASHISH GURUNG 44/01/77/07071 GORKHA 23 BABIN GURUNG 44/01/76/058920GRUNG/GRUNGHALE 44/01/76/0 625 GORKHA 25 GANESH GURUNG 44/01/77/07129 GORKHA 26 ROSHAN GURUNG 44/01/76/06309 GORKHA 27 SULABH GURUNG 44/01/78/03842 GORKHA 25/0174/019/1 HA 29 PRABIN BHUJEL 44/01/75/05781 GORKHA 30 SONU GURUNG 44/01/76/05227 GORKHA 31 PRABIN SUNAR 44/01/78/06859 GORKHA 32 SANDESH 44/01/783/UTTAM GORKHA TAMANG 44/01/77/05211 GORKHA 34 PROCESH GURUNG 44/01/77/04023 GORKHA 35 SANSAR TAMANG 44/01/77/04233 GORKHA 36 ASHIS TAMANG 44/01/78/830 GORKHA/GORKHAIT 44/040 /77/00011 GORKHA 38 RUPENDRA GHALE 44/01/77/01029 GORKHA 39 ABHINASH GHALE 44/01/76/08052 GORKHA 40 UTTAM GURUNG 44/01/77/032888 GRUKHALE/GURUNG 44/01/1 1657 GORKHA 42 GAUTAM GURUNG 44/01/78/04752 GORKHA 43 SACHIN GURUNG 44/01/77/02032 GORKHA 44 GAJEN KUMAR GHALE 44/01/77/03422 GORKHA MINRAJ 44/01/77/0 GORKHA 46 SAGARMAN GHALE 44/01/77/01343 GORKHA 47 SUNIL GHALE 44/01/77/05566 GORKHA 48 TULA RAJ GHALE 44/01/75/07008 GORKHA 49 UKENDRA/GORKHA 44/015/0455 ASBIN GHALE 44/01/78/00634 GORKHA 51 BINOD GHALE 44/01/77/03158 GORKHA 52 KESH BAHADUR GHALE 44/01/78/04536 GORKHA 53 SURAJ GHALE 44/ 78/00634 GORKHA/ASHOKHA 44/01/8 44/01/77/07246 GORKHA 55 SUJAN GURUNG 44/01/78/04389 GORKHA 56 DHANE GURUNG 44/01/77/03415 GORKHA 57 SUBID GURUNG 44/01/78494 GORKHAEN GORKHAEN /01/76/05801 GORKHA 59 SUNIL GURUNG 44/01/76/01220 GORKHA 60 DIPESH GURUNG 44/01/78/10004 GORKHA 61 RAJU GURUNG 44/01/76/01206 GORKHA
DRDO 参加 2016 年 DEFEXPO
当地记者 艾哈迈德讷格尔：中校 AK Singh，车辆研究与发展机构（VRDE）；安贝尔纳特：Susan Titus 博士，海军材料研究实验室（NMRL）；巴拉索尔/昌迪普尔：Shri PK Mohanty，综合试验场（ITR）；AK Sannigrahi 博士，试验与实验机构（PXE）；班加罗尔：Shri Subbukutti S，航空发展机构（ADE）；Smt MR Bhuvaneswari，机载系统中心（CABS）；Smt Faheema AGJ，人工智能与机器人中心（CAIR）；Ms Tripty Rani Bose，军用适航与审定中心（CEMILAC）；Smt Josephine Nirmala M，国防航空电子研究机构（DARE）；Shri Kiran G，燃气轮机研究机构（GTRE）； Shri KM Veerabhadra，电子与雷达发展机构（LRDE）；Vishal Kesari 博士，微波管研究与发展中心（MTRDC）；昌迪加尔：Shri HS Gusain，雪与雪崩研究机构（SASE）；Shri Ashok Kumar Dahiya，终端弹道研究实验室（TBRL）；金奈：Shri PD Jayaram，战斗车辆研究与发展机构（CVRDE）；德拉敦：Shri Abhai Mishra，国防电子应用实验室（DEAL）；Shri JP Singh，仪器研究与发展机构（IRDE）；德里：Shri Ashutosh Bhatnagar，人事人才管理中心（CEPTAM）；Rajendra Singh 博士，火灾、爆炸与环境安全中心（CFEES）；KP Mishra 博士，国防生理与相关科学研究所（DIPAS）； Shri Ram Prakash，国防地形研究实验室 (DTRL)；Shri Navin Soni，核医学与相关科学研究所 (INMAS)；Smt Anjana Sharma，系统研究与分析研究所 (ISSA)；Dr Indu Gupta，激光科学与技术中心 (LASTEC)；Shri Sanjay Pal，招聘与评估中心 (RAC)；Smt Kamini Malhotra，科学分析组 (SAG)；Dr Rupesh Kumar Chaubey，固体物理实验室 (SSPL)；瓜廖尔：Shri RK Srivastava，国防研发机构 (DRDE)；哈尔德瓦尼：Dr Atul Grover，国防生物能源研究所 (DIBER)；海得拉巴：Shri Hemant Kumar，先进系统实验室 (ASL)；Dr JK Rai，先进数值研究与分析组 (ANURAG)；Shri JP Singh，高能系统与科学中心 (CHESS)； Shri ARC Murthy，国防电子研究实验室 (DLRL)；Manoj Kumar Jain 博士，国防冶金研究实验室 (DMRL)；K Nageswara Rao 博士，国防研究与发展实验室 (DRDL)；N Venkatesh，Imarat 研究中心 (RCI)；焦特布尔：Shri Ravindra Kumar，国防实验室 (DL)；坎普尔：Shri Ashok Kumar Gautam，国防材料与仓储研究与发展机构 (DMSRDE)；科钦：Shri S Radhakrishnan，海军物理与海洋实验室 (NPOL)；列城：Dorjey Angchok 博士，国防高海拔研究所 (DIHAR)；穆索里：Gopa Choudhury 博士，技术管理学院 (ITM)；浦那：JA Kanetkar 博士 (女士)，军备研究与发展机构 (ARDE)；AM Devale 先生，高能材料研究实验室 (HEMRL)；SS Arole 先生，研究与发展机构 (Engrs) [R&DE (E)]；特斯普尔：Jayshree Das 博士，国防研究实验室 (DRL)；维沙卡帕特南：V Vijaya Sudha 博士 (女士)，海军科学与技术实验室 (NSTL)