XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemSIGE
Adriano Muzzio教授的课程 div>
自2001年以来的研究兴趣集中在硅（SIGE）异质结构和设备的外延生长和应用上。Over almost 20 years of activity, I had the chance to explore the wealth of possibilities offered by strain and bandgap engineering in SiGe heterostructures in a variety of application fields including: quantum transport in Ge quantum wells (QW), near- and mid- infrared integrated optics in SiGe waveguides and MQW modulators, thermoelectric generation in low-dimensional semiconductors, spintronics in Ge异质结构，在图案化底物上的外延生长，浓度掺杂的GE的等离激子效应以及基于GE的孔状态的Qubits的发展。总的来说，我的研究活动导致了国际期刊上280多个同行评审出版物的出版物（H-Index 40）。
硅和锗中的量子点阵列
量子点中限制的电子和空穴为量子涌现、模拟和计算定义了极好的构建块。硅和锗与标准半导体制造兼容，并且含有具有零核自旋的稳定同位素，因此可作为具有长量子相干性的自旋的极好宿主。在这里，我们展示了硅金属氧化物半导体 (SiMOS)、应变硅 (Si/SiGe) 和应变锗 (Ge/SiGe) 中的量子点阵列。我们使用多层技术进行制造以实现紧密限制的量子点并比较集成过程。虽然 SiMOS 可以从更大的温度预算中受益，而 Ge/SiGe 可以与金属形成欧姆接触，但定义量子点的重叠栅极结构可以基于几乎相同的集成。我们首次在 Ge/SiGe 中实现了每个平台的电荷感应，并展示了功能齐全的线性和二维阵列，其中所有量子点都可以耗尽到最后的电荷状态。在 Si/SiGe 中，我们使用 N + 1 方法调谐五重量子点，以同时达到每个量子点的少数电子状态。我们比较了电容串扰，发现 SiMOS 中的电容串扰最小，这与量子点阵列的调谐相关。我们将这些结果应用于量子技术，并将工业量子位、混合技术、自动调谐和二维量子位阵列确定为四个关键轨迹，当它们结合在一起时，可以实现容错量子计算。
![arXiv:2103.03747v1 [cond-mat.mes-hall] 2021 年 3 月 5 日](/simg/g:\will\search\icon\source\2\29284154c5f5c2ba7f73b81863d7cc342093cea5.webp)
arXiv:2103.03747v1 [cond-mat.mes-hall] 2021 年 3 月 5 日
近年来，超导量子处理器取得了重大进展。目前，包含几十个量子位的小型处理器已被证明 1 。处理器的运行保真度在不断提高 2–5 。我们有理由相信，量子算法很快就能在多个领域超越经典算法 6 。然而，要实现容错量子计算，还需要解决许多问题。基于超导电路的量子处理器的一个主要限制是量子位 (qubit) 的相干时间相对较短。通过提高量子位的固有相干性，可以减少操作容错逻辑量子位的开销 7 。因此，当在量子处理器中加入新组件或材料时，最重要的是不要降低物理量子位的相干性。传统上，超导量子电路是在未掺杂的硅衬底或蓝宝石衬底上制作的，以保持高相干性。人们对通过加入新材料和结构 8910 来扩展超导量子电路的功能性有着浓厚的兴趣。对于许多量子应用来说，一种备受关注的材料是 Ge 或 Ge 与硅的混合（硅锗 SiGe）。Ge 和 SiGe 已被用于从约瑟夫森场效应晶体管 11 到自旋量子比特 12 的各种应用中，最近有提议认为 SiGe 可以为片上光到微波转导提供途径 13 。在这里，我们研究了在 Si 衬底上制作的转导量子比特 14 的相干特性，其中已添加由额外层外延硅 (epi-Si) 覆盖的 SiGe 异质结构。将 SiGe 技术与高相干性超导量子电路相结合的可能性可能对量子设备和应用的开发具有重要意义。我们试图回答的主要问题是，是否可以结合 Si/SiGe/Si 堆栈的生长来制造高相干性超导量子电路。为了验证这一假设，我们制造了具有四种不同电容器垫设计的 transmon 设备，如图 1a 所示，
C1-撒酯酶抑制剂缺乏症的长期结局
AR的诊断通常是基于与致病过敏原相关的症状史以及通过皮肤刺测试（SPT）或血清特异性IGE（SIGE）评估的毒害过敏原敏感的症状史进行的。4,5但是，SPT或SIGE检测到Aeroallergen的阳性发现可能并不总是与临床过敏性疾病相关。 6最近的一项研究发现，有42％的SPT结果患者没有与测试过敏原相关的过敏性症状。 7鼻挑衅测试（NPT）是用于确认负责AR症状的过敏原的标准方法。 但是，NPT并未在临床实践中常规使用，因为它们耗时并且需要患者合作，尤其是儿童可能无法提供的患者合作。 房屋尘螨（HDM）是南亚国家（包括泰国）的鼻炎患者，最常见的是表现出敏感性。 8当前的研究旨在根据HDM NPT结果确定HDM SPT平均WHEAL直径（MWD）和SIGE水平的临界值。4,5但是，SPT或SIGE检测到Aeroallergen的阳性发现可能并不总是与临床过敏性疾病相关。6最近的一项研究发现，有42％的SPT结果患者没有与测试过敏原相关的过敏性症状。7鼻挑衅测试（NPT）是用于确认负责AR症状的过敏原的标准方法。但是，NPT并未在临床实践中常规使用，因为它们耗时并且需要患者合作，尤其是儿童可能无法提供的患者合作。房屋尘螨（HDM）是南亚国家（包括泰国）的鼻炎患者，最常见的是表现出敏感性。8当前的研究旨在根据HDM NPT结果确定HDM SPT平均WHEAL直径（MWD）和SIGE水平的临界值。
引用（APA）Stehouwer，L。E. A.，Tosato，A.，Degli Esposti，D.，Costa，D.，Veldhorst，M.，Sammak，A。，＆Scabpucci，G。（2023）。
我们通过在100 mm ge晶片上减少压力化学蒸气沉积来生长紧张的GE/SIGE异质结构。将GE晶片用作外部延长的底物可以使高质量的GE富含SIGE应变 - 释放的缓冲液具有螺纹位错密度为ð66 6 61Þ10 5 cm 2，与SI Wafers上的控制应变缓冲区相比，几乎是一个数量级的改善。相关的短距离散射的减少可以极大地改善二维孔气体的疾病性能，该特性在几个GE/SIGE异质结构领域效应的晶体管中测量。We measure an average low percolation density of ð 1 : 22 6 0 : 03 Þ 10 10 cm 2 and an average maximum mobility of ð 3 : 4 6 0 : 1 Þ 10 6 cm 2 = Vs and quantum mobility of ð 8 : 4 6 0 : 5 Þ 10 4 cm 2 = Vs when the hole density in the quantum well is satu- rated to ð 1 : 65 6 0 : 02 Þ 10 11 cm 2 。我们预计，这些异质结构即时应用于下一代，高性能的GE旋转量，并将其集成到更大的量子处理器中。
博士职位-C2N -Paris -Saclay University
Brillouin光学机电硅光子学电路Brillouin散射是一种非线性光学现象，基于光与结构的机械模式之间的相互作用。Brillouin散射允许生成新的光学频率，并且对于产生超稳定的微波信号或Opto-Microwave转换而引起了极大的兴趣。光力学或光学模式与机械模式之间的耦合最近在硅光子学界中引起了很多关注，其想法是受益于高容量和低成本制造技术[1-4]。然而，在硅光子学中常用的硅在绝缘子指南中自然没有机械模式的良好限制，而锗则可以同时提供良好的光学和机械模式限制[5]。在近年来，在我们的小组中，与Politecnico di Milano合作，在我们的小组中已经开发了GE-GE-GE-GE-GE-Chige Photonics。第一件作品主要针对接近IR范围的电流设备，利用GE量子井结构[6]。最近证明，可以在MID-IR的大波长范围内使用分级的索引sige波导，并且已经获得了包括MACH ZEHNDER干涉仪或集成谐振器的大量无源建筑集团[7]。然后，基于Sige波导的非线性光学效应[8]的芯片上大带宽光源的演示，而光电设备（调制器和光电探测器）的实现最近完成了PhotoNics平台[9]。研究活动将包括：在这种情况下，这项工作的目的是研究硅胶结构的锗，这似乎有望同时限制光学和机械模式。在这种情况下，博士学位项目的目标是研究和开发布里鲁因光学机械的新型平台，依靠Sige Waveguides对Si底物进行。将采用不同的策略来实现同时的机械和光学限制，并根据研究发现将开发创新的设备。
半导体制造设备 2023 年 10 月规则
描述 - 新的 SME 添加到 ECCN 3B001 和 3B002 3B001.a.4 控制用于硅 (Si)、碳掺杂硅、硅锗 (SiGe) 或碳掺杂 SiGe 外延生长的设备 3B001.d 沉积设备 3B001.f 光刻设备 3B001.k 控制用于“EUV”掩模版多层反射器的离子束沉积或物理气相沉积的设备。3B001.l 控制“EUV”薄膜。3B001.m 控制用于制造“EUV”薄膜的设备。3B001.n 控制用于涂覆、沉积、烘烤或显影为“EUV”光刻配制的光刻胶的设备。3B001.o 使用指定参数控制半导体晶圆制造退火设备。 3B001.p 对三种半导体晶圆制造清洗及移除设备的控制
已确认的全体会议和特邀发言人
Alyosha C. Molnar 康奈尔大学 超越 CMOS 的 N 路径混频器 Pascal Chevalier ST Microelectronics 用于有线、无线和卫星通信应用的 55 纳米灵活 SiGe BiCMOS 技术
设计二维Si量子点阵列，带有自旋量子通讯性Masahiro Tadokoro 1,2，Takashi Nakajima 2，Takashi Kobayashi 3，
参考文献1。Divincenzo，D。P.量子计算的物理实施。Fortschritte der Physik：物理进展48，771（2000）。2。Ladd，T。D.等。量子计算机。自然464，45（2010）。3。Ito，T。等。四个四倍量子点中的四个单旋rabi振荡。应用物理信函113，093102（2018）。4。Mills，A。R.等。将单个电荷穿过一维硅量子点。自然传播10，1063（2019）。5。Mortemousque，P.A。等。在二维量子点阵列中对单个电子旋转的相干控制。自然纳米技术（2020）。6。损失，D。，Divincenzo，D。P.用量子点进行量子计算。物理评论A 57，120（1998）。7。Veldhorst，M。等。具有容忍控制的可寻址量子点量子量子。自然纳米技术9，981（2014）。8。Veldhorst，M。等。硅中的两分逻辑门。自然526，410（2015）。9。Takeda，K。等。 天然硅量子点中的易耐故障可寻址自旋值。 科学进步2，E1600694（2016）。 10。 Watson，T。F.等。 硅中可编程的两分量子处理器。 自然555，633（2018）。 11。 Zajac，D。M.等。 电子旋转的共同驱动的CNOT门。Takeda，K。等。天然硅量子点中的易耐故障可寻址自旋值。科学进步2，E1600694（2016）。10。Watson，T。F.等。 硅中可编程的两分量子处理器。 自然555，633（2018）。 11。 Zajac，D。M.等。 电子旋转的共同驱动的CNOT门。Watson，T。F.等。硅中可编程的两分量子处理器。自然555，633（2018）。11。Zajac，D。M.等。电子旋转的共同驱动的CNOT门。科学359，439（2018）。12。Yoneda，J。等。 一个量子点旋转量子置量量子，一致性限制了电荷噪声，而忠诚度则高于99.9％。 自然纳米技术13，102（2018）。 13。 Takeda，K。等。 在诱导频移的存在下，对Si/Sige自旋量子置量置量的优化电控制。 NPJ量子信息4，1（2018）。 14。 Huang，W。等。 硅在硅中的两倍大门的保真基准。 自然569，532（2019）。 15。 Zheng，G。等。 使用芯片谐振器在硅中快速基于门的自旋读出。 自然纳米技术14，742（2019）。 16。 Volk，C。等。 通过高频累积门对Si/Sige量子点的快速电荷传感。 Nano Letters 19，5628（2019）。Yoneda，J。等。一个量子点旋转量子置量量子，一致性限制了电荷噪声，而忠诚度则高于99.9％。自然纳米技术13，102（2018）。13。Takeda，K。等。 在诱导频移的存在下，对Si/Sige自旋量子置量置量的优化电控制。 NPJ量子信息4，1（2018）。 14。 Huang，W。等。 硅在硅中的两倍大门的保真基准。 自然569，532（2019）。 15。 Zheng，G。等。 使用芯片谐振器在硅中快速基于门的自旋读出。 自然纳米技术14，742（2019）。 16。 Volk，C。等。 通过高频累积门对Si/Sige量子点的快速电荷传感。 Nano Letters 19，5628（2019）。Takeda，K。等。在诱导频移的存在下，对Si/Sige自旋量子置量置量的优化电控制。NPJ量子信息4，1（2018）。14。Huang，W。等。 硅在硅中的两倍大门的保真基准。 自然569，532（2019）。 15。 Zheng，G。等。 使用芯片谐振器在硅中快速基于门的自旋读出。 自然纳米技术14，742（2019）。 16。 Volk，C。等。 通过高频累积门对Si/Sige量子点的快速电荷传感。 Nano Letters 19，5628（2019）。Huang，W。等。硅在硅中的两倍大门的保真基准。自然569，532（2019）。15。Zheng，G。等。 使用芯片谐振器在硅中快速基于门的自旋读出。 自然纳米技术14，742（2019）。 16。 Volk，C。等。 通过高频累积门对Si/Sige量子点的快速电荷传感。 Nano Letters 19，5628（2019）。Zheng，G。等。使用芯片谐振器在硅中快速基于门的自旋读出。自然纳米技术14，742（2019）。16。Volk，C。等。 通过高频累积门对Si/Sige量子点的快速电荷传感。 Nano Letters 19，5628（2019）。Volk，C。等。通过高频累积门对Si/Sige量子点的快速电荷传感。Nano Letters 19，5628（2019）。
意大利肠易激综合症管理指南：意大利社会的共识：胃肠病学和内窥镜检查（SIGE
1血液学单位，意大利拉文纳（Ravenna）的Romagna移植网络； 2法国巴黎圣安托万医院的急性白血病工作组，巴黎的3个公共援助大门，法国巴黎圣安托万医院； 4法国巴黎的皮埃尔大学和玛丽·库里大学； 5法国巴黎938的Santè和医学研究所国家研究所混合研究； 6移植计划和蜂窝疗法，马赛癌症研究中心，法国马赛的Paoli Calmettes研究所； 7 Ospedale San Raffaele S.R.L.，Hematology and BMT，意大利米兰； 8土耳其Kocaeli的骨髓移植部Anadolu医疗中心医院； 9 Hopital Jean Minjoz，《血液学服务》，法国Besancon； 10巴黎世界炎，医院LaPitié-Salpêtrière，法国巴黎临床血液学； 11南特大学医院中心，部。d'Hematologie，法国南特，法国； 12 Hopital Saint-Louis，法国巴黎血液学服务-BMT； 13医院U.来自西班牙桑坦德的Servicio deHematología-Hemoterapia的Valdecilla。 14个医疗公园医院，土耳其安塔利亚的干细胞移植单元； 15血液学和医学肿瘤学系，范德比尔特大学医学中心，田纳西州纳什维尔，美国，16岁，圣坦医院，AP-HP，AP-HP，巴黎，法国，17血液学和骨髓移植司，Chaim Sheba医疗中心，以色列Tel-Hashomer，以色列； 18特拉维夫大学萨克勒医学院，以色列特拉维夫大学，法国巴黎索邦大学19号，索邦大学，法国巴黎938 Inserum umrs 938。