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利用纳米级暗场 X 射线显微镜研究 GaN 聚结
这项研究展示了暗场 X 射线显微镜 (DFXM)（一种纳米结构的 3D 成像技术）在表征 GaN/AlN/Si/SiO 2 纳米柱顶部的新型氮化镓 (GaN) 外延结构以用于光电应用方面的潜力。纳米柱旨在使独立的 GaN 纳米结构聚结成高度取向的薄膜，因为 SiO 2 层在 GaN 生长温度下变软。在纳米级的不同类型的样品上展示了 DFXM，结果表明，通过这种生长方法可以实现取向极好的 GaN 线（标准偏差为 0.04）以及面积高达 10 10 平方毫米的区域的高度取向材料。在宏观尺度上，高强度 X 射线衍射表明 GaN 金字塔的聚结会导致纳米柱中硅的方向错误，这意味着生长按预期进行（即柱在聚结过程中旋转）。这两种衍射方法证明了这种生长方法对于微型显示器和微型 LED 的巨大前景，这些显示器和 LED 需要小岛状的高质量 GaN 材料，并提供了一种新方法来丰富对最高空间分辨率下光电相关材料的基本理解。
对金属添加剂制造的评论
摘要由于其弱特性而将使用硅橡胶作为植入物的使用受到限制。在这项研究中，研究了各种增强剂的影响，例如TIO 2或SIO 2纳米颗粒，碳或聚丙烯纤维微增强对机械，热和粘弹性橡胶复合物具有RTV-4125 Matrix的机械，热和粘弹性特性的影响。通过多项测试评估复合材料，包括拉伸，压缩，FTIR，TGA，DMTA和水吸附测试。发现复合材料的拉伸强度和压缩应力通过添加增强剂增加，对SIO 2观察到的拉伸强度产生了最显着的影响，并且在观察到的0.5菌株的压缩应力上，对聚丙烯纤维的压缩应力产生了最明显的影响。此外，随着加固的添加，基质的吸水量增加，二氧化钛纳米颗粒的增加最高。TGA分析表明，所有复合材料的热稳定性都比普通基质高，并且SR-C纤维复合材料的降解温度最高，而SR-TIO 2观察到的最高降解速率。此外，DMTA分析表明，TIO 2纳米颗粒大大降低了基质的玻璃过渡温度（％28.5），而其他增强件对此温度的影响可忽略不计。引入钢筋对机械，热和粘弹性
GASE和INSE转变后金属葡萄球源层的拉曼光谱石墨烯和相关材料的拉曼光谱
单层石墨烯（SLG）（Novoselov等，2004）可以使用显微镜（如果放置在Si+SiO 2厚度100 nm或300 nm上）（Casiraghi等，2007a）。SIO 2层充当光的腔，并根据其厚度导致建设性或破坏性干扰（Casiraghi等，2007a）。图1显示了计算出的光学对比度作为激光波长和SIO 2厚度的函数，对比度最大值在100和300 nm厚度，对于450至600 nm之间的常用激光波长。虽然通过光学对比进行成像可以使其厚度有一个了解，但它不足以获取更多的定量信息，例如掺杂，混乱，应变等。拉曼光谱镜通常是一种强大的特征技术，通常是碳，范围从富勒烯，纳米管，石墨碳到无定形和类似钻石的碳（Ferrari and Robertson，2000; Tuinsstra and Koenig and Koenig，1970; 1970; Fresselhaus et al。在石墨烯中，拉曼光谱现在可以通常用于提取层n的层数，以估计掺杂和应变的类型和数量，以及检查石墨烯的质量，因为这种光谱技术对缺陷也很敏感（Ferrari和Basko，2013年）。
社论：量子材料中的创新者
“量子材料”的概念在各种科学和技术纪律中获得了突出的重要性，在这些纪律中，它们的量子现象（例如，纠缠，叠加，叠加，隧道和自旋轨道相互作用）推进了科学和技术的新兴领域，例如量子计算（Nielsen和Chuang，Chuang，Chuang，2000），Teleport（teleport）（teleport and teleport）（bennet and and and and and and and and et n.193），Eth。 2002年; Pirandola等，2020），感应（Degen等，2017），以及包括自旋奥梁型（Manchon等，2015），升温器（Bauer等人，2012年）的新型电子设备（Manchon等，2015） Schaibley等人，2016年），为新的全球商业市场提供了有效的驱动力。积极研究量子材料的科学家面临着各种挑战，这些挑战位于物理，材料科学和工程学的先锋方面。如果没有在世界各地工作的才华横溢的研究人员社区，包括诺贝尔奖获奖者到入门水平的学生，这些进步将是不可能的。该研究主题旨在强调那些处于这一重要领域最前沿的科学家。二氧化硅 - 硅硅质无定形界面（A -SIO 2 /Si）是硅设备的关键组成部分。Liu等。 报告第一原则计算，该计算检查应力对A -SIO 2 /Si（111）界面上P B缺陷的深度活化反应的影响，并且在A-SIO 2 /Si（100）界面上的P B1缺陷。 借助第一原则计算，Zhang等。 Liu等。Liu等。报告第一原则计算，该计算检查应力对A -SIO 2 /Si（111）界面上P B缺陷的深度活化反应的影响，并且在A-SIO 2 /Si（100）界面上的P B1缺陷。借助第一原则计算，Zhang等。Liu等。Liu等。他们的调查对工程实践很重要，因为它有助于促进对真实设备中性能变性的理解。提供了急需的理论基础，描述了-SIO 2 /Si中H 2 O和界面缺陷的相互作用（100）。量子材料的领域已扩大，以涵盖二维（2D）材料系统和相关的异质结构，其相互作用和基本反应性受范德华力支配。此外，由于潜在的信息处理和存储领域的潜在用途，越来越多的科学家将注意力引导到2D磁性材料。构建了Crgete 3 /Nio异质结模型，并在第一原则计算的帮助下研究了Crgete 3 /Nio界面的电气和磁性。可以通过将拓扑的基本定理和拓扑概念纳入声子的研究来开发，类似于拓扑电子领域所证明的。借助第一原则计算，李提出了
使用高κ门...
摘要：有能力以能量的方式处理数据，建议神经形态计算来克服传统的von Neumann计算系统的问题。神经形态计算由神经元和突触的两个关键特征组成，其中神经元整合了所有电荷，而突触则保留了这些电荷。在本文中，我们制造和分析了模仿单个基于Si的金属氧化物半导体fimect-eect-ectect晶体管（MOSFET）结构中神经元和突触的设备。我们制定和分析2 O 3/Si 3 N 4（A/N）和Al 2 O 3/HFO 2/Si 3 N 4/SiO 2（A/H/N/N/O）设备，以使A/N设备建议用作神经元设备，因为它可以用作快速电荷发射特征，而将其用作a/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/长期收费。我们建议通过在MOSFET中采用不同的栅极绝缘体堆栈结构来制造神经元和突触的可能性。关键字：神经形态计算，突触设备，神经元设备，场效应晶体管，保留，高κ，HFO 2，SI 3 N 4 4■简介
4H-SIC MOS电容器的氧化栅极
硅是电子中使用的主要材料。电力电子的演变以及对更多功率效率的半导体设备的需求，将硅带到了极限。碳化硅是一种具有宽带隙，高临界电场，高温电导率和饱和速度的电子应用的有希望的材料。除了其优越性，碳化硅碳化物具有与硅2界面相比，在SIC/SIO 2界面中的界面陷阱的缺点大约有两个数量级。此缺点的结果是将压力在MOS电容器和功率MOSFET的门上施加应力时，带有带电压的转移。为了研究SIC/SIO 2界面的纯特性，两种应力方法，当前的脉搏应力和栅极电压升压，已应用于室温和较高温度下的硝基氧化物的4H-SIC电容器上。检查了频段电压恢复。可以在室温下恢复频带电压，而在较高温度下则不需要恢复，而在室温下可以恢复。研究了最大电压（初始电压）和下降的电压速率，并显示出更高的初始电压和较低的电压速率，显示出更好的V FB恢复。实施了200毫秒的电流脉冲应力，并且几乎具有与持续50秒的电压上升相似的影响。
研究固体颗粒材料的太阳吸收和热稳定性的研究
使用固体颗粒作为传热液（HTF）具有克服商业浓缩太阳能（CSP）植物中缺点的巨大潜力。固体颗粒热量储存（TES）系统允许从材料的角度从高温和低成本中实现高热性能。高温下基于CSP固体颗粒系统的转化效率在很大程度上取决于用作HTF和存储培养基的材料的光学特性和热物理性能。本研究旨在提供更多的实验数据和证据，证明使用颗粒固体进行CSP应用。在750ºC和900ºC下不同的老化时间后，研究了碳化硅（SIC），硅砂（SiO 2）和赤铁矿（Fe 2 O 3）的硅（Sio 2）和赤铁矿（Fe 2 O 3）的比热容量。太阳能吸收率在衰老过程中略有增加，除了二氧化硅砂，在最初的100小时内降低了其吸收性，达到了高原。在老化治疗后，SIC和二氧化硅砂的比热容量增加。但是，对于氧化铁，衰老后的特异性热容量较低。黑色硅碳化物SIC被证明是最高900ºC的最佳选择，因为它显示出最高的太阳能吸收率（96％）和最高的热量存储能力。关键字：太阳吸收；浓缩太阳能（CSP）；固体颗粒，热能
纳米压印光刻用光刻胶
micro resist technology GmbH 自 1999 年以来一直为纳米压印光刻 (NIL) 提供量身定制的光刻胶配方。我们产品的独特关键特性是出色的成膜和压印性能以及出色的图案保真度和等离子蚀刻稳定性。我们的纳米压印光刻胶主要用作干蚀刻掩模，用于将图案转移到各种基板上，例如 Si、SiO 2、Al 或蓝宝石。
WEAO SDC 2025指南
a）三线性QD链的3D示意图和在Si/SiO 2界面以下1 nm处采取的示例静电电势。b）栅极几何形状的2D视图。白色虚线指示在何处采用一片电势用于穿梭模拟。c）沿着黑色虚线的示意图b）显示了使用“ via”门在柱塞闸门头部配置电子电子的使用。
适用于单片后端生产线的“零变化”平台……
图 1 用于 PCM 后端集成的 SiN 辅助硅光子工艺。(a) 器件制造流程图。(b) 测量具有不同数量级联沟槽的波导的透射光谱。插图是级联器件的布局。(c) 采用切割法评估 SiO 2 沟槽蚀刻工艺引入的波导损耗。(d) 制造后的器件的 3D 示意图。后端集成的 SbSe 可实现推挽式 MZI 开关的微调