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自然与养育：他们如何在连环杀手及其受害者（1970-1999）中发挥作用
该论文是由学生出版物在林奇堡大学的Digital Showcase免费提供给您的。已被数字展示案 @林奇堡大学的授权管理员纳入本科论文和顶峰项目。有关更多信息，请联系digitalshowcase@lynchburg.edu。
使用快速自动化制备
成年大鼠用cacodylate缓冲的戊二醛 - 丙甲甲醛灌注。用于ASP制备，将皮层样品（1-3 mm）定向MPREP/S胶囊，加载到ASP上，所有制备试剂均在ASP阶段的Microwell板中等分。ASP通过在编程时间内将连续的试剂吸入每个胶囊来执行协议（图1，表1）每隔几秒钟就通过温和流动提供的搅动。然后将胶囊中的环氧浸润的样品从ASP中取出，并在60℃下固化过夜。手动制备在小瓶中进行，并在扁平模具中固化[2]。用T1 BSE检测器在高真空下，在2.0 kV，0.1 na下成像的热燃料体积块。从70 nm的部分摄入的体积约为60 x 60 um x 20 UM。摄入的体积约为60 x 60 um x 20 UM。
MNEMOSYNE - 带串行接口的磁性非易失性随机存取存储器
程序存储器是太空应用的关键组件。它们永久存储在微控制器上执行的程序或现场可编程门阵列 (FPGA) 的配置数据。它们在可靠性、容错性和抗辐射性方面具有最严格的要求。欧盟资助的 MNEMOSYNE 项目旨在展示新一代具有串行接口的抗辐射高密度非易失性程序存储器。该技术将基于最先进的商用嵌入式磁性 RAM，采用 22 nm FD-SOI 工艺。如果成功，该项目将推出第一款密度高于 64 Mb 的抗辐射非易失性程序存储器，用于太空应用。存储器是太空应用的关键组件。它们可分为三种类型：大容量、高速缓存和程序存储器。后者永久存储可作为 MCU 启动存储器或 FPGA 配置非易失性存储器 (NVM) 执行的程序。在太空应用中，程序存储器是需要最高可靠性、零错误容忍度和最高辐射强度的存储器，因为它与系统上电直接相关。另一方面，随着系统性能要求的提高，集成电路（IC）越来越密集。最近的太空程序存储器需要更高的速度和密度。例如，欧洲辐射硬化 FPGA BRAVE NG-Medium 至少需要 13Mb 的配置。下一代 NG-large 和 NG-Ultra 将需要 128Mb 和高达 512Mb 的高速、低引脚数配置存储器。目前，对于这种关键存储器，没有可用的欧洲辐射硬化存储器组件。MNEMOSYNE 项目旨在基于最先进和成熟的欧洲商用 22 nm FDSOI 磁性 RAM (MRAM) 技术开发（设计和原型）新一代具有串行接口的辐射硬化高密度 NVM。得益于 FDSOI 半导体结构，该工艺自然提供了良好的辐射耐受性。此外，MRAM 技术天然具有 SEU 免疫力。关键创新包括：• 第一个密度高于 1Mb 的欧洲 RHBD（抗辐射设计）空间 NVM；• 第一个密度高于 16Mb 的全球 RHBD 空间 NVM；• 第一个采用低于 65nm 工艺的欧洲嵌入式 RHBD 高性能空间 NVM IP 核；• 第一个用于空间应用的新一代自旋转移力矩 (STT) MRAM；• 第一个在 22nm FDSOI 上应用于数字和模拟 IP 的 RHBD，用于缓解 TID 和 SEE；高密度 MRAM 的开发将重塑航天工业及其他领域的整个存储器芯片市场。
省略知识：5个选择串行反应时间任务中遗漏的重要性
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
时变功能连接可预测连续敲击任务中持续注意力的波动
摘要 大规模大脑网络如何促进持续注意力的机制尚不清楚。注意力时时刻刻都在波动，这种持续的变化与参与注意力内外分配的大脑网络之间功能连接的动态变化相一致。在本研究中，我们调查了大脑网络活动在不同注意力集中水平（即“区域”）之间的变化情况。参与者执行了手指敲击任务，根据先前的研究，区域内的表现或状态由低反应时间变异性确定，而区域外则由低反应时间变异性确定。区域内会话往往比区域外会话更早发生。考虑到注意力随时间波动的方式，这并不奇怪。采用一种称为准周期模式分析（即可靠的网络级低频波动）的新型时变功能连接方法，我们发现默认模式网络 (DMN) 和任务正网络 (TPN) 之间的活动在区域内状态与区域外状态相比明显更负相关。此外，前顶叶控制网络 (FPCN) 开关区分了这两个区域状态。背侧注意网络 (DAN) 和 DMN 中的活动在两个区域状态下都不同步。在区域外期间，FPCN 与 DMN 同步，而在区域内期间，FPCN 切换到与 DAN 同步。相比之下，腹侧注意网络 (VAN) 在区域内期间与 DMN 的同步程度高于在区域外期间。这些发现表明，不同大脑网络中低频波动的时变功能连接会随着持续注意力或其他随时间变化的过程的波动而变化。
DAC8811 16 位串行输入乘法数模转换器数据表 (Rev. D)
DAC8811 是单通道电流输出、16 位数模转换器 (DAC)。图 18 所示的架构是一种 R-2R 梯形配置，其中三个 MSB 分段。梯形的每个 2R 支路都可以切换到 GND 或 I OUT 端子。通过使用外部 I/V 转换器运算放大器，DAC 的 I OUT 端子保持在虚拟 GND 电位。R-2R 梯形连接到外部参考输入 V REF，该输入决定 DAC 满量程电流。R-2R 梯形对外部参考呈现 5k Ω ±25% 的代码独立负载阻抗。外部参考电压可以在 -15 V 至 15 V 的范围内变化，从而提供双极 I OUT 电流操作。通过使用外部 I/V 转换器和 DAC8811 R FB 电阻器，可以生成 -V REF 至 V REF 的输出电压范围。
发行者校正：多色多尺度大脑成像使用色素多光子串行显微镜
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TMP108 低功耗数字温度传感器，带 WCSP 封装的双线串行接口
从 TMP108 读取时，写入操作存储在指针寄存器中的最后一个值用于确定读取操作读取哪个寄存器。要更改读取操作的寄存器指针，必须将新值写入指针寄存器。此操作通过发出 R/W 位低的从地址字节，然后发出指针寄存器字节来完成。无需其他数据。然后，主机可以生成起始条件并发送 R/W 位高的从地址字节以启动读取命令。有关此序列的详细信息，请参见图 3。如果需要从同一寄存器重复读取，则无需连续发送指针寄存器字节，因为 TMP108 会存储指针寄存器值，直到下一次写入操作更改它为止。
TMP108 低功耗数字温度传感器，具有 WCSP 封装中的两线串行接口
从 TMP108 读取时，写入操作存储在指针寄存器中的最后一个值用于确定读取操作读取哪个寄存器。要更改读取操作的寄存器指针，必须将新值写入指针寄存器。此操作通过发出 R/W 位为低的从属地址字节，然后发出指针寄存器字节来完成。无需其他数据。然后，主机可以生成启动条件并发送 R/W 位为高的从属地址字节以启动读取命令。有关此序列的详细信息，请参见图 3。如果需要从同一寄存器重复读取，则无需连续发送指针寄存器字节，因为 TMP108 会存储指针寄存器值，直到下一次写入操作更改它为止。
Agilex™ 7 器件系列高速串行接口信号完整性设计指南
© Altera Corporation。Altera、Altera 徽标、“a”徽标和其他 Altera 标志是 Altera Corporation 的商标。Altera 和 Intel 保证其 FPGA 和半导体产品的性能符合 Altera 或 Intel 的标准保修（如适用），但保留随时更改任何产品和服务的权利，恕不另行通知。除非 Altera 或 Intel 明确书面同意，否则 Altera 和 Intel 不承担因应用或使用本文描述的任何信息、产品或服务而产生的任何责任或义务。建议 Altera 和 Intel 客户在依赖任何已发布信息和订购产品或服务之前获取最新版本的设备规格。*其他名称和品牌可能被视为其他所有者的财产。