MA Gorlach. et al. Nat. Commun., (2018)干法蚀刻是电介质超表面的必要部分!
将石墨烯集成到电子、光子或传感设备中的限制因素之一是无法在隔离器上直接生长大规模石墨烯。因此,需要将石墨烯从供体生长晶片转移到隔离目标晶片上。在本研究中,通过电化学分层程序将石墨烯从化学气相沉积的 200 毫米锗/硅 (Ge/Si) 晶片转移到隔离 (SiO 2 /Si 和 Si 3 N 4 /Si) 晶片上,使用聚甲基丙烯酸甲酯作为中间支撑层。为了影响石墨烯的粘附性能,本研究调查了目标基板的润湿性。为了增加石墨烯在隔离表面上的粘附性,在石墨烯转移过程之前用氧等离子体对它们进行预处理。润湿接触角测量表明,表面与氧等离子体相互作用后亲水性增加,从而提高了石墨烯在 200 毫米目标晶圆上的附着力,并可能在标准 Si 技术中对基于石墨烯的器件进行概念验证开发。
使用脉冲电沉积法制造纯镍和纳米复合镍-SI 3 N 4涂层。制造过程的初始条件是当电流密度为4 a.dm -2,占空比为50%,脉冲频率为10 Hz。原子力显微镜(AFM)用于执行评估每个涂层表面的任务。该实验的目标是通过增加每个参数,然后将结果与被认为是基线的条件进行比较,从而更好地了解情况。由于已经进行了观察结果,似乎平均正方形和根平均平均平均平均粗糙度高于其纯镍构成的纳米复合镍涂层的平均粗糙度。平均间距和波浪数量数据表明,在表面上存在偏爱的成核位点的任何位置都增加了。无论位置如何,情况就是这种情况。这些发现得到了以下事实的支持:两个指标都表现出向上的趋势。
摘要:本文结合数值分析和实验验证,研究了基于氮化硅 (Si3N4) 平台的脊形波导的波长相关灵敏度。在第一部分中,详细分析了 Si3N4 脊形波导的模式特性,重点分析了有效折射率 (neff)、衰减场比 (EFR) 和传播损耗 (αprop)。这些参数对于理解引导光与周围介质的相互作用以及优化用于传感应用的波导设计至关重要。在第二部分中,通过实验证明了基于 Si3N4 波导的赛道环谐振器 (RTRR) 的波长相关灵敏度。结果表明,随着波长从 1520 nm 移至 1600 nm,RTRR 的灵敏度明显提高,从 116.3 nm/RIU 上升到 143.3 nm/RIU。这一趋势为设备在较长波长下的增强性能提供了宝贵的见解,强调了其在需要在该光谱范围内高灵敏度的应用方面的潜力。
摘要:氮化硅 (Si3N4) 是开发低损耗光子集成电路的理想候选材料。然而,标准光纤和 Si3N4 芯片之间的有效光耦合仍然是一项重大挑战。对于垂直光栅耦合器,较低的折射率对比度会导致较弱的光栅强度,从而导致较长的衍射结构,限制了耦合性能。随着混合光子平台的兴起,采用多层光栅排列已成为提高 Si3N4 耦合器性能的一种有前途的策略。在本文中,我们介绍了一种用于带有非晶硅 (α-Si) 覆盖层的 Si3N4 平台的高效表面光栅耦合器的设计。表面光栅完全形成在 α-Si 波导层中,利用亚波长光栅 (SWG) 设计的超材料,可通过单步图案化轻松实现。这不仅为控制光纤-芯片耦合提供了额外的自由度,而且还有助于移植到现有的代工厂制造工艺。使用严格的三维 (3D) 有限差分时域 (FDTD) 模拟,设计了一种超材料工程光栅耦合器,其耦合效率为 − 1.7 dB,工作波长为 1.31 µ m,1 dB 带宽为 31 nm。我们提出的设计为氮化硅集成平台提供了一种开发高效光纤芯片接口的新方法,可用于数据通信和量子光子学等广泛应用。
9. 采用 Si3N4 电介质和 Au 梁材料设计和分析 MEMS 分流电容开关,以提高驱动电压和 RF 性能(考虑有无圆形穿孔):Kurmendra;Kumar,R.;电气电子材料学报。2019,20,299–308。SCOPUS/ESCI
•陶瓷上的高纯度粘合铜灯泡可提供高热电导率,当前容量和散热。•可选的凹痕特征通过减少热应力来显着提高热循环可靠性。•多功能铜的实用选择可确保出色的焊具有出色的焊接性,但仍能从180-800°C进行多次焊接和铜管操作,而不会降解。•NI-AU,PD和AG PLATINGINEDES可实现广泛的经济组装技术,包括SMT焊接,烧结的低温和高温模具附件,Al和Au电线以及丝带粘合。•通过(PTV®)技术通过(PTV®)技术传输DBC两侧的互连和AMB底物与PTV®CU插入或通过孔插入或镀板,以获得更高的电流承载能力。•SI3N4上的DBC和AMB可用于其他制造商无法娱乐的较低订单。
摘要:本文介绍了使用不同高介电常数 (高 k) 栅极介电材料的双栅极 (DG) 和栅极环绕纳米线 (GAA) MOSFET 的电气行为。为了研究高 k 介电材料对 DG 和 GAA 的影响,使用 Atlas Silvaco TCAD 工具模拟器件并确定电气特性。本研究选择的高 k 材料是氮化硅 (Si3N4)、氧化铝 (Al2O3)、氧化锆 (ZrO2) 和氧化铪 (HfO2)。栅极介电材料在设计新型高性能纳米级电气器件方面发挥了重要作用。可以观察到,当接近更高的介电常数值时,导通电流增加,而亚阈值斜率 (SS) 阈值电压 (Vth) 和漏电流减少。可以观察到,与其他模拟介电材料相比,HfO2 对 DG 和 GAA MOSFET 都表现出最佳性能。
除了结构紧凑、维护成本低之外,燃气轮机还可以使用多种燃料源,这使其成为高效生产能源的自然选择。 因此,在过去 40 年里,燃气轮机在电力行业(包括公用事业、工业工厂以及航空业)中的应用越来越广泛。 [6] 在联合循环运行中,当入口温度超过 1400°C 时,效率可高达 63%。 [2] 因此,人们采用了不同的策略来保护当前使用的镍基高温合金,例如沉积氧化钇稳定化氧化锆热障涂层 (TBC) 和强化薄膜冷却。然而,当考虑长时间使用(t>10000h)时,这一标准并不现实,因为TBC在900°C以上时会快速蠕变,再加上其热膨胀系数(CTE)与合金的热膨胀系数相差很大,会增加剥落的风险,并限制金属基部件在涡轮发动机中的使用。[7–10] 尤其是设想未来的燃气轮机将使用氢或氨等无碳燃料源,水蒸气是燃烧的主要产物之一,会加剧这些合金的降解。[5,11–13] 因此,为了减少温室气体排放和提高燃气轮机效率,需要用更坚固、耐氧化和腐蚀的材料来替代它们,这些材料可以在更高的温度下使用。由于密度低、热膨胀系数低(3-5.5×10−6K−1)、抗高温蠕变性和熔点高,Si3N4、SiC、SiC/SiC复合材料等非氧化物硅基陶瓷在燃烧环境中的应用非常突出[14–21]。
