II. 第 II 部分:安全性规范 ................................................................................................ 14 II.1 模块 SI:适应症和目标人群的流行病学 ........................................................................................ 14 II.2 模块 SII:安全性规范的非临床部分 19 II.2.1 非临床数据主要发现摘要 ................................................................................ 19 II.3 模块 SIII:临床试验暴露 ............................................................................. 23 II.3.1 EGFR 突变阳性不可切除(III 期)NSCLC - LAURA ............................................. 25 II.3.2 化疗组合 ............................................................................................. 27 II.3.3 EGFR 突变阳性 NSCLC – 单药治疗汇总数据集 ............................................. 30 II.4 模块 SIV:未在临床试验中研究的人群 ............................................. 34 II.4.1 开发计划中关键临床研究的排除标准 ............................................................................................................................. 35 II.4.2 临床试验开发计划中检测不良反应的局限性 ............................................................................................................. 40 II.4.3 与临床试验开发计划中通常代表性不足的人群有关的局限性 ............................................................................. 40 II.5 模块 SV:上市后经验 ............................................................................................. 42 II.5.1 上市后暴露 ............................................................................................................. 42 II.5.1.1 用于计算暴露的方法 ............................................................................................. 42 II.5.1.2 暴露 ............................................................................................................................. 42 II.6 模块 SVI:欧盟对安全规范的额外要求 ............................................................................................................. 43 II.6.1 滥用于非法目的的可能性 ............................................................................................................. 43 II.7 模块 SVII:已识别和潜在风险 ................................................................................................................................ 43 II.7.1 在初始 RMP 提交中识别安全问题 ...................................................................................................... 43 II.7.2 提交更新的 RMP 时出现新的安全问题并进行重新分类 ................................................................................................................ 43 II.7.3 已识别的重要风险、重要潜在风险和缺失信息的详细信息 ............................................................................................. 43 II.7.3.1 已识别的重要风险的呈现 ............................................................................................................. 43 II.7.3.2 缺失信息的呈现 ........................................................................................................................................................................................................ 52 II.8 模块 SVIII:安全问题摘要 .............................................................. 53 II.8.1 安全问题摘要 .............................................................................................. 53
固体对低温的光冷却是一个重要的开放挑战。当前的方法[1-3]是稀土掺杂玻璃中的抗荧光[4]。在此过程中,稀土离子会吸收光,从而产生激发的电子状态,然后在以较高频率重新调用光之前吸收声子。尽管非辐射衰减和背景吸收的竞争加热,但仍达到了低至91 K的温度[3]。这已达到可以有效吸收的声子设置的50 - 100 K [4]的基本极限。相同的特征声子能量也限制了在室温半导体中报道的光学声子的吸收可能的冷却[5,6](另见参考文献[7]),尽管已经考虑使用各种技术来提高性能以及不同的冷却方案[2,3,6,8 - 10],但它们并未解决这个问题。达到较低温度的一条途径可利用半导体中的连续电子分散体[11-15],但尚未达到[7]。在这封信中,我们提出了一种机制,使用合适的缺陷状态的Quasiresonant激发可以克服固态激光冷却的温度底。我们专注于钻石的IV组颜色中心,尤其是带负电荷的硅空缺缺陷(SIV)。该缺陷的状态包括一个地面状态和激发状态歧管,并在两者之间进行偶极运动光学转变[16-19]。对于较弱的驾驶,此过程非常敏感。在足够低的温度下,光谱显示了四条线,其中两条可以互环驱动以产生一种抗孔的形式。但是,为了更强的驱动动力学,动力学会受到激光态的状态而不是原始的电子本征态的控制。通过自动镇效应[20]形成这些状态,导致更复杂的冷却过程,许多
TuT1(教程)- 可靠性物理与工程简介,Joe McPherson,McPherson Reliability Consulting LLC 所有材料和设备都会随着时间的推移而退化。因此,可靠性物理具有重要的理论和实践意义。可靠性调查通常从测量材料/设备在应力下的退化率开始,然后对失效时间与施加应力的关系进行建模。这里使用的术语“应力”非常笼统:应力指任何外部因素(电气、机械、化学、热、电化学等)能够产生材料/设备退化的因素。当退化量达到某个临界阈值水平时,就会发生失效时间。由于设备通常需要不同程度的退化才能引发故障,因此故障时间本质上是统计性的,并讨论了两种常见的故障分布:威布尔和对数正态分布。故障时间 (TF) 建模通常假设幂律或指数应力依赖性,具有 Arrhenius 或 Eyring 类活化能。从这些 TF 模型中,可以推导出加速因子,这些因子往往作为加速测试的基础。在本演讲中,将回顾几种半导体故障机制:电迁移 (EM)、应力迁移 (SM)、时间相关电介质击穿 (TDDB)、热载流子注入 (HCI)、负偏置温度不稳定性 (NBTI)、等离子体诱导损伤 (PID)、单粒子翻转 (SEU)、表面反转、热循环疲劳和腐蚀。本教程应为参会者提供坚实的基础,以便更好地理解 IRPS 上发表的论文。TuT2(教程) - 集成电路和半导体器件可靠性分析的机器学习,伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校 Elyse Rosenbaum 本教程适用于对机器学习(“ML”)如何在其学科中应用感兴趣的可靠性物理专家。它将使用机器学习的广泛定义,将 ML 等同于数据驱动建模,并将其与基于物理知识(即机械模型)的模型和预测进行对比。神经网络是一种流行的数据驱动建模模型结构,因为它具有灵活性;它通常被称为通用近似器。本教程将介绍神经网络训练的基础知识。本文将介绍将 ML 应用于可靠性分析各个方面的研究成果。TuT3(教程)- BEOL 和 MOL 可靠性,Shinji Yokogawa,电气通信大学 BEOL 可靠性在半导体技术中发挥着至关重要的作用,从开发到质量保证。典型的磨损机制包括电迁移 (EM)、应力迁移/应力诱导空洞 (SM/SIV)、热机械稳定性、低介电击穿 (TDDB) 和芯片/封装相互作用 (CPI)。最近,围绕栅极/接触或 MOL 可靠性的可靠性问题已被添加到列表中。由金属和电介质界面中的缺陷及其产生引起的互连、通孔和接触可靠性挑战被认为是重要问题,即使代数、结构和材料发生变化。了解它们以及如何抑制它们是实现高可靠性的关键。了解每个集成电路的寿命分布行为对于确定由许多部分组成的集成电路的可靠性也至关重要。本教程将介绍物理和统计
TuT1(教程)- 可靠性物理与工程简介,Joe McPherson,McPherson Reliability Consulting LLC 所有材料和设备都会随着时间的推移而退化。因此,可靠性物理具有重要的理论和实践意义。可靠性调查通常从测量材料/设备在应力下的退化率开始,然后对失效时间与施加应力的关系进行建模。这里使用的术语“应力”非常笼统:应力指任何外部因素(电气、机械、化学、热、电化学等)能够产生材料/设备退化的因素。当退化量达到某个临界阈值水平时,就会发生失效时间。由于设备通常需要不同程度的退化才能引发故障,因此故障时间本质上是统计性的,并讨论了两种常见的故障分布:威布尔和对数正态分布。故障时间 (TF) 建模通常假设幂律或指数应力依赖性,具有 Arrhenius 或 Eyring 类活化能。从这些 TF 模型中,可以推导出加速因子,这些因子往往作为加速测试的基础。在本演讲中,将回顾几种半导体故障机制:电迁移 (EM)、应力迁移 (SM)、时间相关电介质击穿 (TDDB)、热载流子注入 (HCI)、负偏置温度不稳定性 (NBTI)、等离子体诱导损伤 (PID)、单粒子翻转 (SEU)、表面反转、热循环疲劳和腐蚀。本教程应为参会者提供坚实的基础,以便更好地理解 IRPS 上发表的论文。TuT2(教程) - 集成电路和半导体器件可靠性分析的机器学习,伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校 Elyse Rosenbaum 本教程适用于对机器学习(“ML”)如何在其学科中应用感兴趣的可靠性物理专家。它将使用机器学习的广泛定义,将 ML 等同于数据驱动建模,并将其与基于物理知识(即机械模型)的模型和预测进行对比。神经网络是一种流行的数据驱动建模模型结构,因为它具有灵活性;它通常被称为通用近似器。本教程将介绍神经网络训练的基础知识。本文将介绍将 ML 应用于可靠性分析各个方面的研究成果。TuT3(教程)- BEOL 和 MOL 可靠性,Shinji Yokogawa,电气通信大学 BEOL 可靠性在半导体技术中发挥着至关重要的作用,从开发到质量保证。典型的磨损机制包括电迁移 (EM)、应力迁移/应力诱导空洞 (SM/SIV)、热机械稳定性、低介电击穿 (TDDB) 和芯片/封装相互作用 (CPI)。最近,围绕栅极/接触或 MOL 可靠性的可靠性问题已被添加到列表中。由金属和电介质界面中的缺陷及其产生引起的互连、通孔和接触可靠性挑战被认为是重要问题,即使代数、结构和材料发生变化。了解它们以及如何抑制它们是实现高可靠性的关键。了解每个集成电路的寿命分布行为对于确定由许多部分组成的集成电路的可靠性也至关重要。本教程将介绍物理和统计
在聚合矩阵中掺入二维纳米结构的复合材料具有多种技术(包括气体分离)的功能成分。前瞻性地,使用金属有机框架(MOF)作为多功能纳米燃料,将显着扩大功能范围。但是,事实证明,以独立纳米片的形式合成MOF是具有挑战性的。我们提出了一种自下而上的合成策略,用于可分散的铜1,4-苯二甲基甲酸MOF MOF薄片,层层层和纳米尺寸。将MOF纳米片掺入聚合物矩阵中赋予所得的复合材料,具有与CO2/CH4气体混合物的出色二氧化碳分离性能,以及与压力分离选择性的异常和高度期望的提高。通过层压板浓缩的离子束扫描电子显微镜揭示,与各向同性晶体相比,MOF纳米片对膜横截面的优越占用源于膜横截面,从而提高了分子歧视的效率,并消除了无可生度的持续性途径。这种方法为各种应用打开了超薄MOF - 聚合物复合材料的门。