我们最近开发出了第一种非侵入性技术,它可以通过等离子体增强暗场 (DF) 纳米光谱在纳米尺度和环境条件下原位追踪材料形貌。[28–30] 在这里,我们利用纳米拉曼和纳米光致发光提供的附加功能对其进行扩展,以研究 MoS 2 中的切换机制。该方法的原理如图 1a 所示。将一个 80 nm 的金纳米粒子 (AuNP) 放置在金基底附近,用白光 (λ ≈ 400–900 nm) 照射,以在 AuNP 内产生等离子体共振 (单模),并在 AuNP 和基底之间的间隔物中产生等离子体共振 (间隙模式)。[31,32] 使用 DF 散射显微镜配置检测共振,间隙模式的波长和强度取决于间隔物的折射率、厚度和几何形状。 [31,32] 使用 AuNP 作为电开关的纳米尺寸(≈ 700 nm 2 )顶部触点 [29,33] 会导致纳米级开关通道内局部出现强场增强。这大大增强了拉曼和光致发光 (PL) 信号,[34] 方便地突出了原本无法检测到的纳米级开关动力学。文献中提出了许多针对 MoS 2 的开关机制,如表 1 所示。这些机制包括硫空位(VS)的迁移[3,9,10]、氧化 MoS 2 中氧的运动[6,12]、电荷捕获和脱捕获[2]、从半导体(2H)到金属(1T')的相变[4,7]、以及金属离子从电极中嵌入[5,13,17,18,20]。我们注意到,所有上述机制都会引起光信号(拉曼,PL)的变化,这些变化可以通过我们的实验能力检测到。特别是,通过透射电子显微镜(TEM)研究的所有 MoS 2 纳米片中都观察到的 VS 密度[36–38]与 ≈ 750 nm 处的 PL 峰[39,40]、MoS 2 的 A/B 激子的强度比[39,41]相关
本报告介绍了作为 DOE“技术合作伙伴计划”的一部分对八个玻璃窗系统进行的 V 值测量结果。测量的框架为 i) 隔热铝制框架;ii) 硬木框架;iii) UPVC 框架;iv) 高性能隔热双层窗。框架使用不同的充气双层玻璃单元进行测量,这些单元具有不同的气隙、低辐射涂层表面数量、间隔条系统和二级玻璃单元。测量是在 NFL 墙面防护热箱中进行的,使用 CEN 标准草案 prEN 12412-1 中规定的程序和传统的“直接”程序。NPL 报告 QMl15 中报告的两个玻璃校准板的热箱测量结果用于评估
2D 和混合维度 2D/3D 钙钛矿已成为一种比 3D 钙钛矿更稳定、用途更广的太阳能电池吸收材料。[1] 然而,用于实现低维结构的大型有机间隔阳离子的绝缘性质阻碍了光活性材料中光生电荷的迁移。因此,生长具有相对于基底垂直排列的有机片的薄膜对于促进有效的电荷载流子提取至关重要。 [2] 此前,人们曾利用热铸造[3,4] 或通过使用替代溶剂(如 N,N-二甲基乙酰胺 (DMAc))[2] 或添加剂(如硫氰酸铵 (NH 4 SCN)、[5,6] 甲脒氯化物 (FACl)、[7–9] PbCl 2 [10] 和甲基氯化铵 (MACl) [11,12])修改钙钛矿 (PSK) 前体溶液来诱导此类材料的择优取向。
u =单位包Clc-wsl-ext-b =通道连接器endfeed-wsl-u = end feed导管连接器grp-snf-u =抓地架吊架ayc-chain/set = 36“链挂架scf =固定的scf =固定的scf =固定的stem set(指定长度) =眼螺栓链(每个固定装置使用1套)A1B/SPACER-U =间隔1-1/2“ 1-1/2”至2-1/2”,从天花板(每个固定装置使用2使用)toggle =单切换号2(指定长度)y-toggle- -2pk =(2)y-toggle电缆套件(脚指定10或30的长度)(12)atg-4-u = tong hanger套件(一个为4 ft,2 ft,8 ft)
缩写:BI - 贝叶斯推断; FD - 铁蛋白;它 - 内部转录的间隔者; M 0 - 荧光升起的斜率(O – J); ML - 最大可能性; PAM - 脉冲振幅调制; PBR - 光生反应器; PC - 塑素蛋白; PCR - 聚合酶链反应; PQ - 质喹酮; RC - 反应中心; rDNA - 核糖体脱氧核糖核酸; RLC - 快速光曲线; ROS - 活性氧。致谢:作者承认,伊法勒支持Maorix项目,Cresica支持Microcomet项目,以及新喀里多尼亚的南部省,用于为V. Meriot的博士学位奖学金提供资金,并提供了采样授权(20274-2019/2-ISP/DENV)。我们要感谢Adecal Technopole的技术支持。†这些作者也同样贡献。利益冲突:作者声明他们没有利益冲突。
数十年来,由于摩尔法律[1],互补金属 - 氧化物半导体(CMOS)技术的连续扩展导致了信息技术的革命性发展,该法律规定,微芯片的密度每24个月增加了一倍。但是,由于由短通道效应等现象引起的泄漏电流,MOS场效应晶体管(MOSFET)会遇到限制[2]。尤其是由于载体的热极限,在室温下,子阈值秋千的极限为60 mV/dec [3]。使用隧道效应,使用影响电离的电离效果(i-MOS)[8-11]等各种设备,例如使用影响电离的电离MOS(I-MOS)[8-11] [12-24] [12-24] [12-24]使用反馈现象来克服这些限制。fbfet通过调节诸如p-n-p-n之类的结构中的潜在屏障,使用正反馈机制表现出陡峭的开关特性。第一次提出的FBFET通过将电荷捕获在栅极侧壁间隔物中来调节电势垒。然而,由于间隔区域的附加过程和不稳定性,已经提出了结构,以浓重的掺杂掺杂现有的间隔区区域,或用额外的栅极电极代替它[14,15]。这些结构相对稳定,可以在带有附加栅极电极的单个设备中重新配置p和n型[13]。但是,对于在P和N型操作模式中重新配置的四端设备结构的其他门电压调制是必需的。在这项研究中,我们提出了一个可重新选择的FBFET,可以通过控制单门电压调制来以P和N型模式进行操作。单门电压允许注射孔(P型)或电子(N型),以进行正反馈回路。与其他可重新配置的FET(RFET)[25-29]相反,该FET(25 - 29])通过阻碍注射不希望的荷载体,对电子和孔显示单极传导,可重新选择的FBFET使用电子和孔进行电流。因此,我们的设备表现出对P和N型配置的对称特征。
(稿件收到日期 2024 年 8 月 17 日;接受日期 2025 年 1 月 15 日;在线发表日期 2025 年 1 月 25 日)摘要:根据形态特征和核糖体 DNA 区域内部转录间隔区的系统发育分析,本文将 Coltricia sharmae 列为一个新物种。形态学和分子数据的结合证实了该物种的新颖性及其在 Coltricia 属中的属下位置。该物种与 Rhododendron arboreum 和 Quercus leucotrichophora 相关,主要特征是一年生担子,规则圆形的菌盖,同心分区,中心有深褐色环,边缘为淡橙褐色,不规则有棱角,担孢子球形至亚球形。关键词:Coltricia abieticola、nrITS、系统发育、多孔菌、分类学、北阿坎德邦。简介
Prime editing 是一种基于 CRISPR 的“搜索和替换”技术,可在没有双链断裂 (DSB) 或供体 DNA 模板 1 的情况下,在哺乳动物细胞中介导靶向 32 插入、删除和所有可能的碱基对碱基转换。Prime editing 34 酶 (PE2) 由与工程逆转录酶 (RT) 融合的 SpCas9 切口酶组成。35 PE2 通过 Prime editing 向导 RNA (pegRNA) 被招募到目标位点,该 RNA 除了标准基因组靶向间隔区和 SpCas9 结合发夹结构外,还包含 3' 序列,37 该序列充当融合 RT 的模板,以在一条切口 DNA 链上合成编程的 DNA 序列。当细胞 DNA 修复机制修复断裂的链时,这种 RT-39 延伸片段会与未编辑的片段竞争,而编辑后的序列有时会取代基因组中的原始序列 1,2。41
1 与破伤风类毒素载体蛋白结合 44 微克 说明 NIMENRIX(脑膜炎球菌多糖组 A、C、W-135 和 Y 结合疫苗)是一种四价脑膜炎球菌多糖结合疫苗,由脑膜炎奈瑟菌荚膜多糖 A、C、W-135 和 Y 组成,每个多糖都与破伤风类毒素结合作为载体蛋白。脑膜炎奈瑟菌血清群 A 和 C 多糖与己二酸二酰肼 (AH) 间隔物结合并间接与破伤风类毒素结合,而 W-135 和 Y 多糖直接与破伤风类毒素结合。该疫苗不含任何防腐剂或佐剂。适应症和临床用途 NIMENRIX 适用于对 6 周至 55 岁个体进行主动免疫,以预防由脑膜炎奈瑟菌血清群 A、C、W-135 和 Y 引起的侵袭性脑膜炎球菌疾病。
fi g u r e 2单倍型网络和四种培养的正弦素化种类的单倍型牙齿素(A),Kappaphycus alvarezii(b),K。Striatus(C),K。Malesianus(K。Malesianus(d),K。Malesianus(d),使用MiTochrial sequence cox-3--在单倍型网络中,节点的大小与GenBank中的序列数有关,内圆的颜色与地理起源有关,外圈的颜色表示样品起源(野生,野生本地,野生非本地)。对于地理分布样品,根据其在海洋生态区中的采样位置进行分组(Spalding等,2007年)。请注意,这不一定反映本地多样性,因为分子信息偏向耕种标本,并包括引入标本(有关主要简介事件,请参见图1)