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评估旋转记忆中包含的关键金属，特别关注PT替代以改善可持续性
由于其独特的属性组合：非挥发性，速度，密度和写入耐力，称为自旋转移磁性磁性随机接入记忆（STT-MRAM）的自旋记忆有望在物联网（IoT）的未来发展中起重要作用（IOT），并且在信息和通信技术中更笼统地发挥作用。这种类型的自旋装置通常是由材料制成的，其中一些可以归类为关键。最近的研究评估了磁随机访问记忆中包含的关键材料[1，2]。但是，在那些情况下，分析的记忆类型属于2000年代初期开发的第一代MRAM。如今，存储器设备被垂直于层平面磁化，并包含合成反铁磁铁（SAF）（SAF），该抗fiferromagnet（SAF）可为STT-MRAM参考层具有较低的流浪场提供高温。此SAF通常由钴（CO）和铂（PT）多层制成，抗铁磁性在薄扁桃（RU）层上耦合。由于铂金属（PGMS）的高体能量引起的，评估这些材料的普遍关注点是与其生产相关的环境风险。在这里首先报道对使用此类多层的环境和经济风险的评估，然后对其供应风险进行讨论。用CO/NI多层替换CO/PT多层替代可以导致与使用这些多层人士使用相关的能量需求或全球变暖潜力（GWP）的3-4个数量级。尽管如此，与PGMS相关的高供应风险仍然是提高意识的原因。基于垂直形状各向异性（PSA）的替代概念也可以在这些量中减少1-2个数量级。然而，对于Stt-Mram的情况，与硅晶片的质量相比，使用了少量的PGM层，这些硅晶片生长了这些类型的设备。因此，发现硅晶片制造的环境和经济影响要比STT-MRAM堆栈中纳入的PGM材料高得多。一个探索的可能性是基于Co/ni多层的SAF结构，其性能相似。还基于上述PSA概念提出了更具挑战性的选择。最后，我们解决了欧洲委员会确定的其他几种金属的案例，这些金属在MRAM（例如W或TA）中使用，最近都包括在2021年1月发布的欧盟冲突矿产法规中[3]。
为什么我们必须打开这台洗衣机？ ...
还要简化技术问题问题的方法将对新技术的抵抗力定义为“技术恐惧症”（Brosnan 1998），从而加强了进步的IDEO阶段，这是一个关于适应新技术创新的必要性的某种规范假设。那些偏离进步之路的人患有“ pho bia” - 一种疾病，一种疾病。使用诸如“技术恐惧症”之类的词的使用表明，发展和进步需求的主要叙述可能是压迫性的。萨莉·怀亚特（Sally Wyatt）以她从未拥有过汽车的供词开始了她的有关此主题的文章（2007年，第67页）。同时，她强调自己已经通过了驾驶测试（两次），在极其困难的天气条件下（暴风雪），因此她不使用汽车的原因并不缺乏能力。Wyatt以供认完成了她的自传陈述，即她的社交圈子无法理解她的决定不拥有汽车，并将其描述为“怪异”，“异常”，甚至是不成熟的表现（“真正的”成人驾驶汽车）。这种经历使Wyatt反思了不使用技术的人是否被视为处于弱势群体，需要帮助或康复，教育或告诫，就像她的朋友对她一样。怀亚特强调自己的技能 - 即使在雪风中，她也可以开车，并给出了几个论点，证明了她选择的合理性（经济学，环境，对自己和他人的健康和生活的关注）。怀亚特的论点旨在说服读者，她的决定不开车的决定与她的朋友的决定一样有效，理性和值得称赞。换句话说，怀亚特认为，不必用的不属于使用。它不必源于缺乏能力/技能或经济剥夺。怀亚特没有从中解释，除了她自己的例子外，她指出了有意和理性的论点 - 优势和缺点的平衡。她也只显示两种可能性：成为活跃的用户或非用户。在本第1条中，我将研究人们在某些家用电器（清洁，洗涤和烹饪的设备）方面不愿，抵抗或保留的原因，
Jules Michael Stuart -DTIC
在过去的几十年中，被困的离子已成为实现大规模量子信息处理的顶级竞争者之一。迄今为止，使用离子的实验达到了数十个离子量子位的水平，但是将离子添加到长链中的当前模型可能不会扩展到某些计算所需的数字。最近已经探索的替代架构是将离子排列在一个大数组中，以便可以将它们改组以在芯片周围传输量子信息。这种方法有望大大增加Qubits的数量，同时保持速度，忠诚度和连接性，但是随着这些阵列的规模的增加，控制系统的所需密度可能会与当前方法变得棘手。在本文中，我们探讨了经典控制技术与离子陷阱的集成，并研究了这是否可以提供所需的控制水平，以建立阵列体系结构作为通往更复杂的捕获离子量子计算机的更可行的路径。我们首先关注经典的低温电子将其整合到离子陷阱中，该陷阱用于控制离子的陷阱频率并表现出基本的运动。一个集成开关允许将离子与电压噪声的影响隔离。接下来，我们演示了刺激的布里鲁因散射（SBS）激光器以解决原子时钟协议中的离子的操作。在我们的实验中，SBS激光器的线宽与散装型稳定的激光具有相称的线宽，并且可能为在离子陷阱包装中产生高度连接光的路径。随后，我们探讨了光子波导和光栅耦合器的整合，这些耦合器可以在片上绕激光射线光，并将光聚焦到被困在芯片上方的离子上。考虑了流浪电场的效果，并且表征了综合光源的好处。在阵列架构中，能够在区域之间在区域之间运输离子而不引入过度的运动反应将很重要。我们提出了一种使用电路模拟的技术，以预延伸电压波形，以快速运输，并演示了旨在快速拆分和连接离子链的陷阱的基本操作。这里涵盖的研究有助于告知未来的离子陷阱架构决策，并为在这些不同技术之间进行进一步分析奠定了基础。
量子流体的作用：大型强子对撞机中的超导性和超流氦
从而大幅节省房地产和基础设施。此外，紧凑性还会降低给定光束强度的光束存储能量，这是高能、高亮度机器中的一个重要问题。最后，超导性也是通过两个复合过程降低加速器功耗并因此降低运行成本的一种手段：通过使其变得更小（上述紧凑性论点），以及通过降低电磁铁单位长度的功率。超导同步加速器的功耗本质上是低温制冷的功耗，它与机器的周长成比例，而与磁铁中的磁场无关。 LHC 的主要技术要点是研发、工业化生产 1232 个超导偶极子（场强为 8.3 T）、400 个超导四极子（梯度为 223 Tm -1 ）和数千个其他超导磁体，这些超导磁体用于校正主场误差、调整束流参数和使束流在高亮度下发生碰撞 [3]。所有这些磁体均由工业制造，能够重复产生正确强度和均匀性的场，精度高达 10 -4 。主偶极子（图 1）具有双孔径，具有相等且相反的场，以便沿平行路径弯曲两束反向旋转的质子或离子束。两组相同的线圈组装在一个通用的机械和磁性结构中，并安装在一个低温恒温器内。这种解决方案在横向空间占用方面既紧凑又高效，因为一个孔径的杂散场由磁轭引导，会对相邻孔径的场产生影响。每个孔径中的线圈都用卢瑟福型 Nb-Ti 电缆缠绕，分为两层，电流密度分级，遵循“cos θ”几何形状。当磁体通电时，巨大的电磁力往往会打开结构，而非磁性奥氏体钢的刚性环会对此作出反应，这些环位于磁性钢轭上。整个组件包含在一个奥氏体不锈钢压力容器中，该容器充当氦气外壳。随着磁场的增加，超导体的临界电流会降低，这限制了它们在高场应用中的使用。这严重限制了众所周知的 Nb-Ti 合金在 4.2 K 的正常沸腾氦气中的使用。更先进的超导体，如 Nb 3 Sn
问题手册号300117
候选人的说明1。在大大的同志之后，候选人Shouid立即检查本小册子是否没有任何未打印的，撕裂或缺少的页面/51。编号等。如果发现任何缺陷，候选人不应在OMR响应上写下或标记任何内容，并立即将其报告给房间的监护人，以通过完整的问题手册进行重复。2。候选人应仔细阅读OMR Rtrsponse Shbet背面的说明。他们不应该在OMR rtrspoiise Shebt的两侧写下标记或写任何无关紧要的内容。言论除答案和必要的细节外，将被视为re'u，对您的身份进行审查，并在身体验证后（如果发现这种备注），将无效的OMR响应板表，并取消了候选人资格。在OMR响应shetrt上没有粗糙的vrcrk shouid。问题手册中提供的粗糙工作空间可用于相同。3。候选人应在适当的盒子中输入正确的数字，小册子编号和其他细节，并使OMR响应中的相应气泡变暗。4。候选人shouid不以肢体折叠等的方式处理他/她的OMR rbsponse表。5。本问题手册包含宽松的问题，每个问题都带有1（一个）标记。每个问题包含四个回答。在OMR响应表上的气泡中，每个问题的一个回答/答案应适当标记。6。7。8。如果标记了多个响应，则答案将被认为是错误的。候选人被严格禁止拥有任何书籍，笔记本或宽松的纸张，计算器，手机，任何电子小工具，数字手表等，除了他/她的独特ID，允许卡和仅写作材料外，在Fina1 Bel1之后，立即表示检查检查，候选人应停止标记答案。候选人应保持坐在Ti1l lnvigilator的OMR响应Shetrt B3的盘座。他们U，I1L在SUL之后离开了Exarnination Hall：仅在OMR被监护人允许之后，才能对它们进行。 违反上述任何一个Ruies都将使候选人有可能被驱逐并取消考试的资格，并且根据HLS/她的罪行的性质和重力，他/她可能会被委员会和其他这样的组织从未来的考试中撤销和Intervierx。 nb：候选人只有在1％（一个和harff小时的trme）之后才与他们一起接受这本问题手册。。他们U，I1L在SUL之后离开了Exarnination Hall：仅在OMR被监护人允许之后，才能对它们进行。违反上述任何一个Ruies都将使候选人有可能被驱逐并取消考试的资格，并且根据HLS/她的罪行的性质和重力，他/她可能会被委员会和其他这样的组织从未来的考试中撤销和Intervierx。nb：候选人只有在1％（一个和harff小时的trme）之后才与他们一起接受这本问题手册。
磁性和自旋器件特刊社论
随着半导体器件的缩小尺寸出现饱和迹象，微电子学的研究重点转向寻找基于新颖物理原理的新型计算范式。电子自旋是电子的另一个固有特性，它为目前在微电子学中使用的基于电子电荷的半导体器件提供了附加功能。自旋电流注入、自旋传播和弛豫以及栅极的自旋方向操控等几个基本问题已成功得到解决，从而使电子自旋能够用于数字应用。为了通过电方法产生和检测自旋极化电流，可以采用磁性金属触点。Boroš 等人 [1、2] 讨论的铁磁触点应足够小，以构成具有明确磁化方向的单个磁畴。小畴的磁矩在过去曾被成功利用，现在仍用于在磁性硬盘驱动器中存储信息。由此，二进制信息被编码到畴的磁化方向中。畴的磁化会产生可检测到的杂散磁场。交变磁矩会产生方向相反的磁场。读头可以检测到磁场并读取信息。Khunkitti 等人 [ 3 ] 的研究显示，高灵敏度磁头是实现超高磁密度磁数据存储技术的重要因素。为了写入信息，需要通过流入磁头的电流产生接近磁畴的磁场。正如 Khunkitti 等人 [ 4 ] 所指出的，记录密度主要取决于磁性介质的特性。如果没有外部磁场，磁畴的磁化将得以保留，不会随时间而改变。因此，在电子设备中添加磁畴可实现非易失性，即无需外部电源即可保持设备功能状态的能力。此外，可以通过在小磁畴中运行自旋极化电流来操纵其磁化方向。如果电流足够强，磁畴的磁化方向与自旋电流极化方向平行。通过电子电流对磁畴进行纯电操控，为开发一种具有更高可扩展性的概念上新型的非易失性存储器提供了令人兴奋的机会。冲击自旋极化电流可以由流经另一个铁磁体的电荷电流产生，该铁磁体与小磁畴之间由金属间隔物或隧道屏障隔开。由两个铁磁触点组成的夹层结构的电阻在很大程度上取决于触点在平行或反平行配置中的相对磁化方向。因此，编码到相对磁化中的二进制信息通过夹层的电阻显示出来。这种新兴的存储器被称为磁阻存储器。磁阻存储器结构简单。它们具有出色的耐用性和高运行速度。磁阻存储器与金属氧化物半导体场效应晶体管制造工艺兼容。它们为概念上新的低功耗数据计算范式开辟了前景
手性诱导的复合材料中的自旋选择性
视频：磁性是巨大的基本和技术重要性领域。在原子水平上，磁性起源于电子“自旋”。纳米融合（或基于纳米级的自旋电子学）的领域旨在控制纳米级系统中的旋转，这在过去几十年中导致了数据存储和磁场传感技术的天文学改善，并获得了2007年诺贝尔物理学奖的认可。纳米级固态器件中的旋转也可以充当新兴量子技术的量子位或量子位，例如量子计算和量子传感。由于磁性与旋转之间的基本联系，铁磁体在许多固态自旋装置中起着关键作用。这是因为在费米水平上，状态的电子密度是自旋偏振的，这允许铁磁体充当自旋的电气喷射器和检测器。铁磁体在费米水平的低自旋极化，流浪磁场，串扰和纳米级的热不稳定性方面存在局限性。因此，需要新的物理学和新材料，以将自旋和量子设备技术推向真正的原子极限。出现的新现象，例如手性诱导的自旋选择性或CISS，其中观察到载体自旋与中性的有趣相关性，因此可以在纳米杂交中发挥作用。这种效果可以允许分子尺度，手性控制自旋注射和检测，而无需任何铁磁铁，从而为装置旋转的基本方向打开了一个新的方向。■密钥参考CISS在此重点的账户中发现了在手性分离，识别，检测和不对称催化等不同领域的无数应用，但由于其对未来旋转基因技术的巨大潜力，我们专门回顾了这种影响的旋转器械结果。第一代基于CISS的自旋装置主要使用手性生物有机分子。但是，也已经确定了这些材料的许多实际局限性。因此，我们的讨论围绕着手性复合材料的家族，由于它们能够在单个平台上吸收各种理想的材料特性，因此可以成为CISS的理想平台。在过去的几十年中，有机化学界对这类材料进行了广泛的研究，我们讨论了已确定的各种手性转移机制，这些机制在CISS中起着核心作用。接下来，我们将讨论对其中一些手性复合材料进行的CISS设备研究。重点是给手性有机碳同素同素复合材料的家族，在过去的几年中，该帐户的作者对此进行了广泛的研究。有趣的是，由于存在多种材料，杂交手性系统的CISS信号有时与纯手性系统中观察到的信号不同。鉴于手性复合材料的巨大多样性，到目前为止，CISS设备研究仅限于几种品种，预计该帐户将增加对手性复合材料家族的关注，并激励对其CISS应用的进一步研究。
浅谈电力电子中SiC功率器件的可靠性
碳化硅 (SiC) 是一种宽带隙 (WBG) 半导体材料，与硅 (Si) 相比，它具有多种优势，例如最大电场更高、导通电阻更低、开关速度更快、最大允许结工作温度更高。在 1.2 kV - 1.7 kV 电压范围内，SiC 功率器件有望取代 Si 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，用于高效率、高工作温度和/或减小体积的应用。特别是，SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) - 电压控制且常关断 - 是首选器件，因为它易于在使用 Si IGBT 的设计中实现。在这项工作中，研究了 SiC 器件的可靠性，特别是 SiC MOSFET 的可靠性。首先，研究了并联两个分立 SiC MOSFET 的可能性，并通过静态和动态测试进行了验证。发现并联连接没有问题。其次，通过长期测试研究了 SiC MOSFET 体二极管的阈值电压和正向电压的漂移。还发现这些可靠性方面没有问题。第三，通过对标准模块的寄生电感建模以及这些电感对栅极氧化物的影响，讨论了封装对芯片可靠性的影响。该模型显示了杂散电感和寄生元件的不平衡，这对高速开关来说是个问题。对湿度对封装在同一标准封装中的 SiC MOSFET 芯片和 SiC 肖特基芯片结端的影响进行的长期测试表明，一些位于户外的模块会过早退化。然后，通过实验和模拟研究了三种不同类型的 1.2 kV SiC 开关器件（双极结型晶体管、结型场效应晶体管和 MOSFET）的短路行为。对每个器件进行详细的电热分析，以支持在故障期间快速关闭器件的必要性。得出了坚固、快速的短路保护设计指南。对于每个器件，都设计、构建了一个短路保护驱动器，并通过实验进行了验证。研究了使用 SiC MOSFET 设计无二极管转换器的可能性，重点是通过体二极管进行浪涌电流测试。发现的故障机制是 npn 寄生双极晶体管的触发。最后，进行了生命周期成本分析 (LCCA)，结果表明在现有的 IGBT 设计中引入 SiC MOSFET 具有经济意义。事实上，由于效率更高，初期投资在后期可以节省。此外，可靠性也得到了提高，从风险管理的角度来看，这是有益的。虽然初始转换器成本高出 30%，但采用 SiC MOSFET 的转换器在 20 年内的总投资大约低 30%。关键词：碳化硅、金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)、结型场效应晶体管 (JFET)、双极结型晶体管 (BJT)、可靠性、故障分析、可靠性测试、短路电流、湿度、谐振转换器、串联谐振转换器 (SLR)、基极驱动电路、栅极驱动电路、生命周期成本分析 (LCCA)。
2023-2022-6-受控物质审计- ...
沃斯堡市法规遵从部下属的动物护理和控制部 (ACC) 管理两个动物收容所（南和北）和一个外地办事处。管制物质由收容所工作人员订购、储存和分发，并由外地办事处人员储存和分发，用于捕捉流浪动物、提供医疗护理和安乐死动物等活动。在我们的审计程序和审计测试过程中，我们发现内部控制的设计和运行效果存在改进机会，如下所述，并在我们的审计结果中进一步详细说明。根据与 ACC 工作人员的对话，南收容所存放管制物质的保险箱的密码至少两年没有改变过。职责划分不明确，我们发现一名主管负责管制物质的订购、接收、记录、循环盘点、发放和分发。在另一个例子中，一名员工负责管制物质的订购、接收和运输。根据 ACC 工作人员的说法，该市的惯例是在发放第二类管制物质 (Fatal Plus) 时至少有两名授权员工在场，但是，我们发现 ACC 员工向自己发放了 Fatal Plus，但没有其他员工在场的书面证据。此外，我们发现第二类、第三类和第四类管制物质以及非管制物质都存放在北避难所的同一个保险箱中。我们发现，在管制物质从南避难所运输到北避难所的过程中，缺乏有关库存和相关监管链的文件记录；此外，ACC 没有按照《联邦法规》(CFR) 的要求每两年对库存管制物质的全部库存进行一次核算，也没有制定完成此必需库存的书面流程或计划。此外，没有证据表明在 2021 年 4 月开业的北收容所进行了期初盘点。此外，没有实施控制活动来追踪管制物质从采购订单到注射到动物体内的量流，正如缉毒局 (DEA) 所建议的那样。§ 21 CFR 1301.12(a) 指出，在一个由个人制造、分销、进口、出口或分配管制物质的一般物理位置，每个主要营业地点或专业实践都需要单独的注册证书。该市没有北收容所或外地办事处的单独 DEA 证书。ACC 的书面标准操作程序 (SOP) 被认为是不完整和不足的。例如，它们没有要求每两年进行一次全面盘点，正如联邦法规所要求的那样，也没有要求进行对账或处置流程。§21 CFR 1305.05（a）表明，注册人可以通过签署授权书授权一个或多个个人代表注册人发出第一类或第二类管制物质的订单。内部审计部门没有收到在审计期间订购管制物质的个人的授权书证明。
高性能 DC-AC 转换技术...
图 5.7：输出电压 V o 中的 IHD 评估 .............................................................. 124 图 5.8：LCLC 滤波器电容器 RMS 电流的评估 ........................................................ 126 图 5.9：LCLC 滤波器简化 ...................................................................................... 127 图 5.10：电压降与电感 ............................................................................................. 127 图 5.11：LCLC 滤波器谐振峰的阻尼 ...................................................................... 129 图 5.12：LCLC 滤波器的设计空间 ............................................................................. 130 图 5.13：用于 LCLC 滤波器设计验证的 SABER 模拟波形 ............................................. 133 图 5.14：具有并联 RC 阻尼的每相双交错 LCLC 滤波器 ............................................. 134 图 5.15：V PWM1 和 V PWM2 中的高频电压谐波 ............................................................. 136 图 5.16：跨L d ................................................................... 137 图 5.17：交错式 LCLC 滤波器的电感重量与电感 ........................................ 139 图 5.18：交错式 LCLC 滤波器的电感损耗与电感 ........................................ 139 图 5.19：耦合电感设计流程 ............................................................................. 141 图 5.20：交错式 LCLC 滤波器的 L d 与 L ............................................................. 143 图 5.21：交错式 LCLC 滤波器的 CI 与 L 的重量和损耗 ........................................ 143 图 5.22：交错式 LCLC 滤波器电容器 RMS 电流的评估 ........................................ 147 图 5.23：交错式 LCLC 滤波器电压降与电感的评估 ........................................ 148 图 5.24：交错式 LCLC 滤波器的设计空间 ........................................................ 149 图5.25：交错式 LCLC 滤波器的 SABER 仿真波形 ...................................................................... 151 图 5.26：滤波器重量比较 .............................................................................................. 153 图 6.1：原型系统的转换器拓扑 ...................................................................................... 156 图 6.2：电感器构造的关键阶段 ...................................................................................... 161 图 6.3：L 1 和 L 2 的测量电感 ...................................................................................... 162 图 6.4：绕组布置和构造的耦合电感 ............................................................................. 163 图 6.5：磁性元件重量比较 ............................................................................................. 165 图 6.6：转换器的热模型 ............................................................................................. 166 图 6.7：转换器的 3D 计算机模型 ................................................................................ 168 图 6.8：原型转换器 ................................................................................................ 169 图 6.9：原型转换器的详细 SABER 仿真模型 ...................................................................................... 170 图 6.10：PWM 波形比较，V PWM1 和 V PWM2 ........................................................................ 172 图 6.11：不同杂散电感值下的 V PWM1 ...................................................................................... 173 图 6.12：V PWM1 和 V PWM2 的 FFT 比较 ............................................................................. 175 图 6.13：电流比较，I 1 和 I 2 ............................................................................................. 176 图 6.14：I 1 和 I 2 的电流过冲比较 ............................................................................................. 176 图 6.15：I 1 和 I 2 的 FFT 比较 ............................................................................................. 178 图 6.16：V d 和 I d 的比较 ............................................................................................. 179 图 6.17：V d 和 I d 的特写比较 ............................................................................................. 179 图6.18：V d 和 I d 的 FFT 比较 ...................................................................................... 181 图 6.19：V 1 、IL 和 IC 的比较 ........................................................................................ 183 图 6.20：V o 和 I o 的比较 ............................................................................................. 185 图 6.21：V o 和 I o 的 FFT 比较 ...................................................................................... 186 图 6.22：测量值和计算值的转换器损耗比较 ............................................................. 187 图 6.23：转换器重量细目 ............................................................................................. 190................................... 186 图 6.22：测量值与计算值的变流器损耗对比 .......................................... 187 图 6.23：变流器重量细目 .............................................................. 190................................... 186 图 6.22：测量值与计算值的变流器损耗对比 .......................................... 187 图 6.23：变流器重量细目 .............................................................. 190