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胸腺胸腺糖基糖基酶（TDG）是治疗
癌症中的两种已知表观遗传改变是CpG岛甲基化（CIMP）和全基因组降压甲基化。尤其是，大约20-40％的黑色素瘤，三阴性乳腺癌，严重的卵巢癌和严重的子宫内膜癌的特征是全基因组降低甲基化的特征，可以通过挖掘TCGA甲基化数据来记录，这些甲基化可以记录下来。脱甲基化剂（例如，去替替替啶和阿Zacytidine）是一种癌症的有效表观遗传疗法，靶向CIMP表型，目的是重新激活受高甲基化沉默的基因表达。但是，没有努力专门针对癌症中全基因组的甲基化。已经确定，具有明显的全基因组低甲基化的癌症表现出在活性DNA脱甲基化途径中工作的DNA去甲基酶的表达升高。因此，对这些脱甲基酶的抑制有望拮抗，纠正和重新编程全基因组低甲基化，从而抑制致癌途径并获得治疗益处。
TDG650E601TSP 空间 GaN E-mode 晶体管
栅极驱动为获得最佳 R DS(on) 性能，建议的栅极驱动电压范围 V GS 为 0 V 至 + 6 V。此外，重复栅极至源极电压最大额定值 V GS(AC) 为 +7 V 至 -10 V。对于长达 1 µs 的脉冲，栅极可以承受高达 +10 V 和 – 20 V 的非重复瞬变。这些规格使设计人员能够轻松使用 6.0 V 或 6.5 V 栅极驱动设置。在 6 V 栅极驱动电压下，增强型高电子迁移率晶体管 (E-HEMT) 得到完全增强并达到其最佳效率点。可以使用 5 V 栅极驱动，但可能会导致工作效率降低。从本质上讲，GaN Systems E-HEMT 不需要负栅极偏置来关闭。负栅极偏置（通常为 V GS = -3 V）可确保在栅极电压尖峰下安全运行，但是，如果驱动不当，它可能会增加反向传导损耗。有关更多详细信息，请参阅 www.gansystems.com 上的栅极驱动器应用说明“采用 GaN E-HEMT 的栅极驱动器电路设计”
TDG650E602TSP 空间 GaN E-mode 晶体管
• 一类/一级生产筛选 • 提供批次验收测试选项 • 650 V 增强型功率晶体管 • 顶部冷却、低电感 GaNPX ® 封装 • RDS(on) = 25 mΩ • IDS(max) = 60 A • 超低 FOM • 简单的栅极驱动要求（0 V 至 6 V） • 瞬态耐受栅极驱动（-20 V/+10 V） • 非常高的开关频率（> 10 MHz） • 快速且可控的下降和上升时间 • 反向传导能力 • 零反向恢复损耗 • 小型 9 x 7.6 mm 2 PCB 占用空间 • 双栅极焊盘可实现最佳电路板布局