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基于 TFET - 乌迪内大学 - UNIUD
本研究中的 TFET 为浮体 SOI 器件，因此应首先评估执行电荷泵浦测量的可行性 [19]。当用具有恒定基极电平和幅度的方波脉冲栅极时，漏极和源极保持在相同的电位，该电位扫过 0 至 1.5 V 的适当范围，以激活 Si/栅极电介质界面处的生成-复合过程。发现在 P+ 源极接触处测得的电流与栅极脉冲的频率成正比，证明了电荷泵浦装置的正确性 [20]，[21]。因此，即使我们的基于 SOI 的 TFET 中没有体接触，由于源极和漏极具有相反的掺杂类型，我们仍然可以执行电荷泵浦测量来评估 N it 。对于下面所示的电荷泵结果，栅极由 500 kHz 方波驱动，其边沿时间为 100 ns，幅度为 1.5 V，基准电平为 0 V，脉冲占空比为 50%。
使用CNTFET的高速低功率4位ALU设计
摘要 - 由于电子半导体部门经历了缩小规模，因此存在许多挑战，包括缩放，短通道影响，泄漏电流和稳定性。碳纳米管（CNT）已成为一种令人兴奋的新发明，可以克服CMO的局限性，同时保持高效率和可靠性。算术和逻辑单元（ALU）是微处理器和实时计算机芯片中存在的中央操作可编程逻辑组件。传统的算术逻辑单元（ALUS）是利用CMOS技术创建的，导致高功率使用，延迟以及晶体管计数。本文专门讨论了采用碳纳米管现场效应晶体管（CNTFET）的混合算术逻辑单元（ALU）的概念化和开发。首先，开发了XOR和MUX的组合，然后将其用于创建混合加法器和减法器。该研究展示了利用碳纳米管（CNT）技术的增强算术逻辑单元（ALU）的开发，模拟和评估，并将其与使用32 NM技术节点进行了将其与传统的CMOS实施进行了比较。使用碳纳米管（CNT）技术的ALU在功率使用情况，传播延迟和功率 - 延迟产品（PDP）方面的性能较高，而与CMOS技术相比。
使用田口方法优化 CNTFET 设计参数，实现高性能、低功耗应用
碳纳米管 (CNT) 具有独特的结构和电气性能，其特性非常值得研究。场效应晶体管技术中 CNT 的小结构可以生产出性能更佳的小型器件。这项工作采用了田口方法来优化碳纳米管场效应晶体管 (CNTFET)。使用 Minitab 19 软件进行田口方法分析。选择了三个尺寸的三个设计参数（CNT 的直径、间距和 CNT 的数量）来提高 CNTFET 的性能。使用 L27 正交阵列和信噪比 (SNR) 来收集和分析数据。使用方差分析验证了田口方法的结果。分析结果显示了三个设计参数的最佳组合，在高功率和低功率应用方面产生了最佳性能。影响 CNTFET 电流特性的最主要设计参数是 CNT 直径，其对导通电流 (Ion)、关断电流 (Ioff) 和电流比 (Ion/Ioff) 的影响分别为 59.93%、96.15% 和 99.14%。通过确定 CNTFET 中最主要的结构，可以进一步优化器件。最终，CNTFET 器件可以在高功率和低功率应用方面得到增强。
cntfet中数字电路的静态和动态表征的综述
摘要在本文中，我们审查了一种表征CNTFET和CMOS技术中数字电路的程序，以对其进行比较。为了实现此目标，我们使用了我们已经提出的半经验紧凑型CNTFET模型以及MOS设备的BSIM4模型。在对这些模型进行了简要审查之后，我们使用与Verilog-A编程语言兼容的软件高级设计系统（ADS）回顾了NAND门和完整加法器的静态和动态表征。获得的结果允许强调两种技术之间的差异。关键字：CNTFET，MOSFET，建模，数字电路，Verilog-A。1。脱落
超低功耗电子器件：TFET 和 NEM 器件
学士：首尔国立大学电子工程学士 (1996 - 2000) 硕士：首尔国立大学电子工程学士 (2000 - 2002) 博士：首尔国立大学电子工程学士 (2002 - 2006) 工作经历
研究基于堆叠的源沟槽TFET
摘要：为了检测生物分子，提出了基于介电调节的堆叠源沟槽闸门隧道效果晶体管（DM-SSTGTFET）的生物传感器。堆叠的源结构可以同时使状态电流较高，并且较低的状态电流较低。沟槽栅极结构将增加隧道区域和隧道概率。技术计算机辅助设计（TCAD）用于对拟议的结构化生物传感器的灵敏度研究。结果表明，DM-SSTGTFET生物传感器的当前灵敏度可以高达10 8，阈值电压灵敏度可以达到0.46 V，亚阈值秋千灵敏度可以达到0.8。由于其高灵敏度和低功耗，该提议的生物传感器具有很高的前景。
三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布，电场变化和带对频带隧道（BTBT）速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展（不同的2 nm至6 nm），以结合角效应，从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT，并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是，我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。关键字AES-TFET·表面电势分布·电场变化·BTBT·TCAD·数值建模。1介绍纳米科学和纳米技术在纳米级设备中的出现，晶体管的物理大小已被绝对地缩小。通过遵循2022年摩尔的法律预测，微型化已达到其对金属氧化物施加效应晶体管（MOSFET）的极限[1]。在这方面，过去二十年中已经出现了各种扩展问题。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。 ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。但是，在目前的情况下，在60mv/十年的MOSFET上有限的子阈值摇摆（SS）是研究人员的主要缺点。
三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要在本文中，已经开发了不对称高架源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的隧道连接装置性能。基于设备物理学的分析建模是通过求解2-d poisson方程进行的。表面电势分布，电场变化和带对波段隧道（B2B）的速率已通过此数值建模研究。在我们提出的结构中，来源已升高（不同的2 nm至6 nm）以融合角效应。这可以通过薄隧道屏障进行载体运输，并具有控制的双极传导。这最终为N通道AES-TFET结构产生更好的源通道界面隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。模拟图形表示最终通过AES-TFET的分析建模验证。关键字AES-TFET·表面电势分布·电场变化·B2B隧道·TCAD·数值建模。1介绍纳米科学和纳米技术在纳米级设备中的出现，晶体管的物理大小已被绝对地缩小。通过遵循2022年摩尔的法律预测，微型化已达到其对金属氧化物施加效应晶体管（MOSFET）的极限[1]。在这方面，过去二十年中已经出现了各种扩展问题。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。 为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。但是，在目前的情况下，在60mv/十年的MOSFET上有限的子阈值摇摆（SS）是研究人员的主要缺点。ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com
三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布，电场变化和带对频带隧道（BTBT）速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展（不同的2 nm至6 nm），以结合角效应，从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT，并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是，我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。
使用10 nm Wrap-Gate Cntfet技术的超细胞宽带操作跨导放大器
抽象的操作跨传输放大器（OTA）是模拟电路和系统中最关键的块。随着灾难性短通道效应的互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管在深纳米系统下的晶体管，微电学科学家的侧重于设计基于非西硅材料的超细胞性奥塔斯。在过去的几年中，具有惊人的电气和物理性能的全面碳纳米管局部效应晶体管（GAA-CNTFET）吸引了纳米电子研究人员的广泛关注，这是代表高性能纳米级OTA的潜在平台。在这方面，这项工作旨在根据10 nm GAA-CNTFET技术节点提出一个超米型超宽带OTA。在超级尺寸的GAA-CNTFET晶体管的弹道传输操作中，提出的OTA受益，该尺寸可提供优质带宽（2.88 GHz）以及合适的功率消耗（44.8 L W）。所提出的OTA显示在1 V电源电压下的64.5 dB开环增益和59 dB的共同模式排斥比。此外，由于使用间接反馈补偿方法的利用，拟议的基于GAA-CNTFET的OTA呈现了适当的相位边缘（61），并带有较小的补偿器电容器。提到的性能指标仅占据0.198 L m 2的物理区域，提出的GAA-CNTFET OTA有可能被视为基于纳米级CMOS的OTA的替代方法。