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用电子产品塑造未来
Hi-Rel Power Solutions Military hermetic hybrid DC/DC-converters 5W to 120W, single, dual, triple versions Space rad-hard hermetic hybrid DC/DC-converters 5W to 120W, single, dual, triple versions, TID 100krad, SEE 82MeV MIL-PRF-38534 DLA qualified, SMD part number available New space rad tolerant hermetic混合DC/DC转换器25W，40W，单个，双版本，最高30Krad，最多可与他们的Hermetic Hermety Hybrid DC/DC转换器相互补充，可提供一系列输入电压和包装rad-Hard和Rad Tollerant PCB的DC/DC CORESTERS，并与CELUTION TRERTERS一起定制，并将其定制为CYERTER，并将Quad，Octo版本，输出功率5w至400W，TID 100KRAD，请参阅60mev
一种基于信心的方法，将幸存者纳入……
摘要 — 概率总电离剂量 (TID) 故障评估已扩展至包括幸存者数据，从而能够在没有故障数据的情况下将故障概率限制在所需的置信水平。该扩展提供了一种分析经过 TID 测试的微电子器件的方法，而无需达到故障模式，这是使用商用现货 (COTS) 技术的任务经常遇到的情况。使用 I 型删失似然公式和预期设备性能的实际上限，故障概率空间由可变环境背景下的置信轮廓线限制。该框架适用于针对零件故障或所考虑环境假设的任何类型的分布。此外，该框架可以预先用于规划未来的设备 TID 测试，在满足生存要求的同时最大限度地降低成本。当零件来自同一批次但从遗产中获得的约束量有限时，遗产数据也可用作幸存者，以进一步降低测试成本。总之，该框架能够以硬度保证方法对经过最大剂量测试的耐辐射设备以及飞行遗产进行正式的、数学上严格的分析。
Omni-ID® Fit 700（全球）-CIPAM
1 引用的性能是使用标准测试方法实现的。读取范围将因读取器硬件和输出功率而异。 2 EPC 和用户内存可重新编程。TID 在制造时锁定。
验证适合太空应用的高分辨率 ADC
所有 NMOS 晶体管均为封闭式布局类型 (ELT)，这极大地改善了由于 TID 效应（由于边缘形成的寄生通道处出现严重漏电流而导致的过度消耗）造成的模拟性能下降
65-...中总电离剂量响应的布局依赖性
然而，LDE 对辐射效应的影响尚不清楚，很少有论文关注这一问题，且有限的研究表明器件的辐射敏感性与版图有关。Rezzak 等人 [6] 首次研究了 90 nm 体硅 NMOS 器件中版图相关的总电离剂量 (TID) 响应，结果表明，由于浅沟槽隔离 (STI) 引起的压应力较弱，因此辐射诱导漏电流随栅极至有源区间距的增加而增大。对于 45 nm 应变 SOI RF nFET，不同的源/漏接触间距和栅指间间距可能导致 RF 性能和 TID 退化之间的权衡 [7]。很显然，关于 LDE 对纳米级器件辐射响应的实验研究还很有限，需要进一步研究。
空间增强产品如何应对低地球轨道应用中的挑战（Rev. a）
•受控的基线流。ti在单个制造设施，组装站点和测试地点生产每个空间EP设备，以控制材料集，辐射公差和电气规范之间的位点对站点变化。•辐射批次接受测试。空间EP设备的总电离剂量（TID）为20克拉德（SI）的总电离剂量（SI）的最低测试，对于能够达到较高TID等级的设备进行了较高的评分测试，从而消除了从批次到批次的辐射变化的任何风险。这些设备通常在资格下从30至50克拉德（SI）进行表征，以获得额外的辐射性能。（对于需要更高水平的TID性能的程序，TI的传统QMLV太空产品通常被评为100 krad（SI）或更高。）•金线。太空EP设备仅使用金债券线，消除了铜的完整性和可靠性问题，并且给定耐受性要求更高。•没有锡鞭的风险。锡晶须即使使用保形涂层，也是一个问题，因为太空的条件恶劣。为了避免这种风险，太空EP产品不使用具有高锡含量的终止。取而代之的是，饰面是镍 - 甲基金，或63％的锡/37％的铅。•延长温度范围。空间环境通常需要-55°C至125°C的温度公差。限定空间EP零件到该温度范围，消除了对延长温度范围的高档需求，这将使TI的保修无效，并可能造成飞行中使用的损害设备。•苛刻的环境资格。太空EP产品通过扩展的高加速应力测试，每个设备上的温度循环以及增强的材料集，以符合NASA驱动的美国测试和材料E-495的E-495量超过添加规格，从而获得了对空间环境特有的流量的添加。
专为太空应用而设计的 MRAM 切换存储器的鉴定和可靠性
• 自旋是一个基本量子数 • 铁磁材料包含不成对的电子 • 自旋的排列产生磁性 • 记忆存储在电子自旋中 • 自旋不会像电荷那样“泄漏” • 自旋不受重离子辐照的影响 • 自旋不受累积剂量 (TID) 的影响 • 自旋排列由磁场实现 • 避免基于电荷的设备的磨损机制
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