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乙腈前的微波驱动的2H-MOS2的微波驱动的去角质会产生具有异常高收率的大面积超薄薄片
摘要：2D材料在许多领域都显示出令人兴奋的特性，但是应用程序的开发受到低收益，高处理时间和当前去角质方法质量受损的障碍。在这项工作中，我们使用了MOS 2的出色MW吸收特性来诱导快速加热，从而产生吸附的，低沸点溶剂的近乎稳定性蒸发。突然的蒸发产生了内部压力，可以以高效率分离MOS 2层，并且通过分散溶剂的作用将其保持分离。我们的快速方法（90 s）给出了高度的高产（47％，在0.2 mg/ml时为47％，在1 mg/ml时为35％）高度脱落的材料（4层以下90％），大面积（高达几μm2）和优质的质量（未检测到显着的MOO 3）。关键字：钼二硫化物，过渡金属二盐元素（TMDC），微波驱动的去角质，大面积超薄片，高横向尺寸，高产量t
二维量子材料：超越……的新方法
最近，新兴的量子材料 [1] 实现了以前不可能实现的功能，目前正在彻底改变先进量子技术的科学发展和创新。它的出现推动了先进量子光子学、先进通信、量子计算、先进光电器件等的发展 [2]。它为探索许多新的尖端科学和可能性提供了机会。在其众多可能的应用中，当前需要的一项基本发展是超快先进无线通信，从量子材料中寻找其解决方案是一个新的视角和潜在领域。当今快速发展的社会需要高数据速率、超低延迟、更好的频谱效率和在更高频段工作的设备。为了解决这个问题，数据速率需要达到每秒兆兆比特 (TBPS) 的数量级，从而导致新兴的第六代 (6G) 网络，这可以通过将操作频段推向潜在的太赫兹 (THz) 范围来实现 [3]。石墨烯是所有二维 (2D) 材料之母，它的发现获得了诺贝尔奖，从那时起，许多二维材料被发现。 2D 材料是原子级薄的材料，包括石墨烯、过渡金属二硫属化物 (TMDC)，例如 MoS 2 [6]、WS 2 、MoSe 2 [7]、WSe 2 [8]、六方氮化硼 (h-BN)、磷烯、硅烯（2D 硅）、锗（2D 锗）、硼烯（2D 硼）和 MXenes（2D 碳化物/氮化物）[9]。由于 2D 材料为原子级薄，且其独特的电子和光学特性源于量子限制效应 [9]，因此被称为“量子材料” [1]。可调带隙、大载流子迁移率和增强的光物质相互作用等特性使 2D 材料成为太赫兹应用的有希望的候选材料，可用作发射器、探测器、调制器和光源。其独特的光-物质相互作用源于激子能量动力学，这种动力学仅因二维结构中的量子限制而存在，由于其与太赫兹频率的共振，透射率增强。尽管石墨烯具有非线性光学行为、高光学透明度、高载流子迁移率和表面电导率等非凡特性 [5]，使其适用于太赫兹应用，但它受到空气污染性质、零带隙和不稳定的离域 π 电子的限制，而这些限制在 TMDC 等其他二维材料中并不存在。此外，TMDC 的高调制效率推动了使用石墨烯制造异质结构的创新新趋势 [5]。这种异质结构结合了石墨烯的特性，同时克服了其缺点，从而提供了进一步增强和更好的性能 [10]。有关这方面的更多细节将在演讲中讨论和描述。
超快电荷转移级联在混合
摘要：光电半导体设备中的创新是由对如何移动电荷和/或激子（电子 - 孔对）的基本理解驱动的，例如用于做有用工作的指定方向，例如制造燃料或电力。二维（2D）过渡金属二甲化物（TMDCS）和一维半导体的单壁碳纳米管（S-SWCNT）的多样性和可调性和光学性能使它们跨越了跨越HersoIftf的基本量子研究。在这里，我们演示了混合维度2D/1D/2D MOS 2/swcnt/WSE 2杂型词，该杂质可实现超快速光诱导的激发激素离解，然后进行电荷扩散和缓慢的重组。重要的是，相对于MOS 2/SWCNT异质数，异位层的载体产量是两倍，并且还展示了分离电荷克服层间激子结合能的能力，可以从一个TMDC/SWCNT界面扩散到另一个2D/1D界面，从而在COULOMBINDING INDENDINCLING INDEND INDENCE中分散。有趣的是，杂体似乎还可以有效地从SWCNT到WSE 2，这在相同准备的WSE 2 /SWCNT Heterobilayer中未观察到，这表明增加纳米级三层的复杂性可能会改变动态途径。我们的工作提出了“混合维度” TMDC/SWCNT的杂体，这是纳米级异位方面的载体动力学机械研究的有趣模型系统，以及用于高级光电系统中的潜在应用。关键字：过渡金属二分法，电荷转移，异质界，碳纳米管，激子O
紫磷的光降解和热效应
在层状材料中，例如 MoS 2 等过渡金属二硫属化物 (TMDC)，[ 24–27 ] 或其他可剥离材料，如 GaSe，[ 28 ] 激子在室温下主导其光学特性，这证明了它们具有很强的结合能。在磷同素异形体（如 BP）中观察到了激子物种，具有近红外发射。[ 29,30 ] 相反，VP 作为一种替代品出现，具有可见光范围的光致发光 (PL) 发射和更高的热稳定性，[ 17,21 ] 但对其激子效应的研究仍处于起步阶段。在本研究中，我们使用原子力显微镜 (AFM)、拉曼和 PL 光谱在一系列温度和波长范围内研究了 SiO 2 /Si 衬底上剥离的 VP 的光降解、热效应和激子发射。我们的研究结果表明，VP 的降解速度受光的波长和曝光时间的强烈影响。发现在 VP 的带隙之上的光激发会由于与活性氧 (ROS) 的相互作用而导致更快的降解。PL 光谱显示激子数量逐渐下降，表明激子的寿命缩短以及激子的形成和稳定性发生变化，从而影响 VP 的量子效率。功率依赖性 μ -PL 测量表明中性激子和三子的强度线性增加，而它们的峰值能量之间的能量差随着功率的增加而减小，这表明激子能隙发生了变化。温度依赖性 PL 显示出可见的 X 0 和 T 峰，在高温下 X 0 发射的光谱权重更高，这意味着 VP 晶体中 T 发射的热稳定性降低。采用温度依赖性拉曼光谱法，在不同温度下确定了九种拉曼模式的峰位，最高可达
二维量子材料和超导电子学博士研究员。
项目名称：二维量子材料和超导电子学。描述：研究重点是 Nb 基二维材料，特别是二硫化铌 (NbS₂) 和二硒化铌 (NbSe₂)，以及它们在超导场效应晶体管 (FET) 中的应用。这些材料因其独特的特性而处于材料科学的前沿，包括单层超导性[1]。超导性的特点是零电阻和排除磁场，是现代材料科学的基本原理。虽然已经提出了许多利用超导性的设备并付诸实施，但在创造可扩展的高质量材料和设备方面仍然存在挑战[2-4]。传统的制造方法，如溅射，通常会导致材料质量不理想，特别是对于需要精确控制厚度和纯度的应用[5]。该项目旨在通过利用二维过渡金属二硫属化物 (TMDC) 的卓越特性来解决这些限制，这些特性可以精确控制材料厚度和晶体纯度。在本研究中，候选人将专注于合成基于 Nb 的 2D 材料并将其集成到器件架构中以创建超导 FET。这些器件将利用电场来调节超导性，实现新功能并为超导电子学的潜在突破铺平道路。这项工作将涉及在洁净室环境中进行先进的材料合成、广泛的特性描述和器件制造，以及传输测量以研究器件在不同条件下的行为。该项目提供了为材料科学的变革领域做出贡献的机会，并有可能产生重大的技术影响。成功的候选人将加入一个充满活力的跨学科研究团队，该团队配备了最先进的设施，并受益于该领域领先研究人员的指导和合作。外部参考：[1] Xi 等人，《自然物理》，12(2):139–143 (2016) [2] Puglia 等人，《应用物理快报》，116(25) (2020)。 [3] De Simoni 等人，Nature Nanotechnology, 13(9):802–805 (2018) [4] Paolucci 等人，Nano letters, 19(9):6263–6269 (2019) [5] Durrell 等人，Reports on Progress in Physics, 74(12):124511 (2011). 主要指导老师：Camilla Coletti ( 2D 材料工程 ) 其他指导老师：Antonio Rossi ( 2D 材料工程 ) 关键专业知识：