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使用 TiOx 作为电阻层的电阻存储器的制造
图 3 ReRAM 特性的电极依赖性：(a) 50×50 μm 2 ，(b) 200×200 μm 2 。 5.结论我们利用 TiO x 作为电阻变化层制作了 ReRAM，并评估了其特性。在本次创建的条件下，没有观察到复位操作。这被认为是因为在复位操作过程中，由于氧气的释放，灯丝没有断裂。比较电极尺寸，50×50 μm2 的较小元件与 200×200 μm2 的元件相比，可获得更优异的特性。这被认为表明了氧化退火过程中的尺寸依赖性。 6.参考文献 [1] A. Hardtdegen 等，IEEE Transactions on Electron Devices，第 65 卷，第 8 期，第 3229-3236 页 (2018) [2] Takeo Ninomiya，基于氧化物材料设计和可靠性建模的电阻式存储器量产，名古屋大学研究生院博士论文 (2016) [3] D.Carta 等，ACS Appl. Mater. Interfaces，第 19605-19611 页 (2016) [4] D. Acharyya 等，微电子可靠性。54，第 541-560 页 (2014)。
HF 暴露于 TiO2
摘要：采用计算和实验相结合的方法了解自限制 (SL) 和化学气相蚀刻 (CVE) 反应之间的竞争，以设计原子层蚀刻 (ALE) 工艺。ALE 工艺中的脉冲必须是自限制的；即，反应应在足够的脉冲时间后达到饱和。通过使用密度泛函理论 (DFT) 比较相应的 SL 和 CVE 反应的反应自由能，可以预测有利于 SL 或 CVE 反应的温度和压力条件。以 TiO 2 暴露于 HF 气体时的蚀刻为测试案例。模拟表明，当 TiO 2 暴露于压力为 0.2 Torr 的反应物 HF 时，在高达 87 °C (360 K) 的温度下，SL 反应优先去除 0.01 Torr 下的 H 2 O 并使表面氟化。在较高温度下，根据受动力学活化能垒影响的反应 TiO 2 + HF → TiF 4 + H 2 O，CVE 会持续去除 TiO 2。将原位傅里叶变换红外 (FTIR) 光谱和四极杆质谱 (QMS) 的实验结果与理论预测进行了比较。与理论高度一致，FTIR 光谱研究表明自发蚀刻 (CVE) 在温度约为 80 − 90 °C 时开始。此外，QMS 分析观察到 TiF 4 和 H 2 O 作为蚀刻产物，进一步验证了计算结果。计算还预测反应气体压力的增加会增强高温下的蚀刻。这种理论方法的计算成本低，可以快速筛选蚀刻试剂并预测反应在 SL 或 CVE 范围内的温度/压力窗口。
二维室 - 温度巨型抗抗菌病SRTIO3在晶界
1电子显微镜实验室和国际量子材料中心，北京大学，北京大学，北京大学2北京国家2北京国家冷凝物质物理实验室，中国科学院物理研究所，北京学院，北京学院100190，100190，中国3日） PRESTO, Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan 5 Nanostructures Research Laboratory, Japan Fine Ceramic Center, Nagoya 456-8587, Japan 6 WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan 7 Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing 100871, China 8 Interdisciplinary Institute of Light-Element中国北京大学北京大学量子材料和研究中心，北京大学
W掺杂TiO2作为高的电子传输层...
Haibin Wang a,b , Chun Zhao a,* , Li Yin a,b , Xinjian Li c , Xin Tu b , Eng Gee Lim a , Yina Liu d
超细batio3
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具有大规模尺寸均匀性的超细BaTiO3纳米粒子的铁电态和极化切换行为
a 北京邮电大学理学院信息光子学与光通信国家重点实验室，北京 100876，中国。电子邮件：bike@bupt.edu.cn b 清华大学材料科学与工程学院新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京 100084，中国。电子邮件：wxh@tsinghua.edu.cn c 哥伦比亚大学应用物理和应用数学系，纽约，NY 10027，美国。电子邮件：sb2896@columbia.edu d 布鲁克海文国家实验室凝聚态物理与材料科学系，纽约州厄普顿 11973，美国 e 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室，北京 100190，中国 † 提供电子补充信息（ESI）。请参阅 DOI: 10.1039/ d0tc05975g
超细batio3纳米颗粒的铁电状态和极化切换行为具有较大尺寸均匀性
1北京邮政与电信大学科学学院信息光子学和光学通信的关键实验室，中国北京100876。电子邮件：bike@bupt.edu.cn 2国家主要实验室新陶瓷和精细处理，材料科学与工程学院，北京大学，北京大学，北京100084，电子邮件：wxh@tsinghua.edu.edu.cn.cn 3 3 3 3 3 3应用和应用数学部门sb2896@columbia.edu 4浓缩物理和材料科学系，布鲁克黑文国家实验室，纽约州阿普顿市11973 5北京国家冷凝物质物理学实验室，物理学研究所，中国学院科学研究所，贝吉利亚学院，北京100190，中国电子补充信息（ESI）。参见doi：10.1039/x0xx00000x
TiOx/Pt3Ti(111)表面定向形成电子响应的氧化钨簇超分子组装体
摘要 在 Pt 3 Ti(111) 合金表面生长的高度有序氧化钛薄膜被用于纳米 W 3 O 9 团簇的受控固定和尖端诱导电场触发的电子操控。根据操作条件，产生了两种不同的稳定氧化物相 z'-TiO x 和 w'-TiO x 。这些相对 W 3 O 9 团簇的吸附特性和反应性有很大的影响，这些团簇是在超高真空条件下 WO 3 粉末在复杂的 TiO x /Pt 3 Ti(111) 表面上热蒸发形成的。发现物理吸附的三钨纳米氧化物是位于金属吸引点上的孤立单个单元或具有 W 3 O 9 封盖的六边形 W 3 O 9 单元支架的超分子自组装体。通过将扫描隧道显微镜应用于 W 3 O 9 –(W 3 O 9 ) 6 结构，单个单元经历了尖端诱导还原为 W 3 O 8 。在高温下，观察到大型 WO 3 岛的聚集和生长，其厚度被严格限制为最多两个晶胞。这些发现推动了使用操作技术在表面上实现模板导向成核、生长、网络化和功能分子纳米结构的电荷状态操控的进展。
基于BATIO3的新型，Ag/PD兼容的无铅松弛剂，具有出色的储能性能
摘要：据报道陶瓷电介质具有用于应用的优质储能性能，例如电动车辆中的电力电子设备。在〜4.55 j cm -3的可回收能量密度（W REC）中，在〜520 kV cm -1的情况下，在无铅松弛剂BATIO 3-0.06BI 2/3（mg 1/3 NB 2/3）中实现了η〜90％。这些陶瓷可以与AG/PD共同使用，这构成了它们在制造商业多层陶瓷电容器中潜在使用的重要一步。与化学计量学BI（Mg 2/3 NB 1/3） - O 3掺杂的Batio 3（BT），A-SITE降低BI 2/3（mg 1/3 NB 2/3）O 3降低了BT的电气异质性。块状电导率仅通过1个数量级从晶界处差异，这与较小的体积的导电核心较小，这是由于A-Site Sublattice中掺杂剂的差异增加而导致的，从而在电气文件下导致较高的击穿强度。可以采用此策略来开发具有改进的储能性能的新介质。关键字：储能，电容器，无铅，Batio 3，电介质，陶瓷