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材料设计的阴离子氧化还原拓扑化
摘要：拓扑化学是指固态反应的一般类别，其中前体和产品在其晶体结构中表现出强烈的案例。各种低维材料通过在其2D板之间或通过范德华（VDW）相互作用束缚的1D链之间容纳来宾原子或分子，都会受到这种逐步结构的转化。这些过程是由客人和主机框架之间的氧化还原反应驱动的，在这些反应中，过渡金属阳离子已被广泛利用为氧化还原中心。拓扑化学加上这种阳离子氧化还原，不仅可以采用诸如锂离子二级电池之类的技术应用，而且还可以作为分层过渡金属化合物的结构或电子微调的强大工具。近年来，我们一直在追求超出这种阳离子氧化还原拓制化学以外的材料设计，该底座层次化学大多仅限于2D或1D VDW系统。为此，我们提出了由2D阵列的非VDW化合物的新的拓扑化学反应，该反应由阴离子chalcogen二聚体的2D阵列与氧化还原intert宿主阳离子层交替。发现这些chalcogen二聚体与外部金属元件发生氧化还原反应，触发（1）插入这些金属以构建2D金属硫化剂，或（2）（2）去构成chalcogen anions。从整体上讲，这种拓扑化学就像“拉链”，在那里，阴离子chalcent-chalcogen键的还原性裂解为非VDW材料的空间打开了空间，从而形成了新的分层结构。关键字：拓扑化学，阴离子氧化还原，插入，辣椒剂，低维材料■简介这种观点简要总结了阴离子氧化还原拓扑化学实现的独特结构转换的开创性示例以及其合成和特征的挑战。
地形脑肿瘤解剖结构驱动风险并启用基于机器学习的预测
目的：本研究的目的是在初次诊断脑肿瘤时确定癫痫发作的相关风险因素，并开发和验证基于机器学习的预测，以允许基于风险的抗癫痫疗法进行量身定制。方法：临床，电生理和高分辨率成像数据是从1051例新诊断的脑肿瘤的连续队列中获得的。与因子相关的癫痫发作风险差异允许确定特定地形，人口统计学和组织病理学变量在诊断时可用的癫痫发作风险时可用的相关性。数据以70/30的比例分为培训和测试集。在选择高性能的同时选择其可追溯性的广义添加剂模型（GAM）之前，对基于机器学习的不同预测模型进行了评估。基于风险因素的临床分层，对三个不同的GAM进行了培训和内部验证。结果：总共923名患者有完整的数据并包括在内。可以确定驱动癫痫发作风险的特定地形解剖模式。脑肿瘤的异质，介质或原发性运动/s骨或躯体的新染色性结构导致癫痫发作风险的显着且临床上相关的增加。虽然地形输入与GAM最相关，但最好的预测是通过形态，人口统计学和组织病理学信息的组合来实现的（验证：AUC：0.79，准确性：0.72，灵敏度：0.81，特异性：0.66）。结论：本研究将特定的系统发育解剖模式鉴定为癫痫驱动因素。GAM允许使用地形，人口统计学和组织病理学数据预测癫痫发作风险，从而在保持透明度的同时实现了公平的表现。
软物质和生物物质中的拓扑
Luca Tubiana 1 , 2 , ∗ , Gareth P. Alexander 3 , Agnese Barbensi 4 , Dorothy Buck 5 , Julyan HE Cartwright 6 , 7 , Mateusz Chwastyk 8 , Marek Cieplak 8 , Ivan Coluzza 9 , Simon Čopar 10 , David J. Craik 11 , Marco Di Stefano 12 , Ralf Everaers 13 , Patrícia FN Faísca 14 , 15 , Franco Ferrari 16 , Achille Giacometti 17 , 18 , Dimos Goundaroulis 9 , 19 , Ellinor Haglund 20 , Ya-Ming Hou 21 , Nevena Ilieva 22 , Sophie E. Jackson 23 , Aleksandre Japaridze 24 , Noam Kaplan 25，Alexander R. Klotz 26，Hongbin Li 27，Christos N. Likos 28，Emanuele Locatelli 28，29，30，TeresaLópez-León31，Thomas Machon 32，Cristian Micheletti 33，Davide Michieletto 34，34，35，35，Antti niiem 33，33 39，Francesco Nitti 40，Enzo Orlandini 29，30，Samuela Pasquali 42，Agata P. Perlinska 39，Rudolf Podgornik 43，44，45，Raffaello Potestio 1，2拉夫尼克 10,48, 伦佐·里卡 49,50, 克里斯蒂安·M·罗沃 51,52, 安杰洛·罗萨 33, 扬·斯姆雷克 28, 安东·苏斯洛夫 53, 安德烈·斯塔西亚克 54,55, 达尼埃莱·斯蒂尔 40,41, 乔安娜·苏乌科夫斯卡 39, 皮奥特·苏乌科夫斯基 56, 德威特·L·萨姆纳斯 57, 卡斯滕·斯瓦内博格 58, 皮奥特·希姆扎克 56, 托马斯·塔伦齐 59, 鲁伊·特拉瓦索 60, 彼得·维尔瑙 61, 迪米特里斯·弗拉索普洛斯 62,63, 普里莫日·齐赫尔 10,48, 斯洛博丹·尤默 10,48
负面延迟理论关于李拓扑
摘要本文研究了“ Li”几何形状拓扑的创新负面群体延迟（NGD）理论。Li-Topology是一个非常简单且完全分布的电路，该电路由耦合线（CL）组成。考虑了CL耦合系数，延迟和衰减的LI S参数模型。NGD分析表明，开发了有关LI拓扑参数的NGD条件的可能性。表达了NGD特征作为NGD值，中心频率，带宽，传输和反射系数。Li-NGD理论通过微带技术实施的两个概念概念证明。计算的模型，模拟和测量值良好。正如预期的，在大约2.56 GHz和0.92 GHz时，Bandpass NGD呈现中心频率，NGD水平约为-0.9 ns和-3.7 ns，大小为li原型。出色的时间域分析，解释了带通道NGD的含义，其创新的衰减输出也呈现。时间域结果突出显示了不违反因果关系的时间及时的脉冲信号信封。
在具有更长范围相互作用的量子模型的保形歧管上的拓扑过渡
试图显示具有更长范围相互作用的量子ISING模型的共形歧管上的拓扑转变。该模型哈密顿系统具有不同的间隙相位，具有不同的拓扑指数，并且根据横向场的存在和不存在，也具有不同的量子临界线。我们还提供了参数空间不同机制的中心电荷。在存在和不存在横向场的情况下，以及C的非宇宙特征，我们明确显示了关键，拓扑和中央电荷（C）的相互作用。我们显示了在存在横向场的情况下，在存在横向场的情况下，LIFSHITZ过渡是如何发生的。我们明确地表明了保形场理论（CFT）临界性和非CFT临界性的存在。我们提出了一个明确的计算，以找到多项式函数与Anderson-Pseudo自旋模型Hamiltonian之间的关系。我们的结果比非互动的许多人体系统的存在结果更丰富。这项工作不仅提供了保形场理论拓扑状态的新观点，而且还提供了低维量子系统的许多身体系统。
颞叶癫痫中非典型皮质不对称和萎缩模式的拓扑发散 Park, B.-y.; Larivière, S.; Rodríguez-Cruces, R.;
颞叶癫痫中非典型皮质不对称和萎缩模式的拓扑发散Park, B.-y.;拉里维尔，S.；罗德里格斯-克鲁塞斯，R.；罗耶，J.；塔瓦科尔，S.；王，Y.； Caciagli，L.； Caligiuri，M.E.；甘巴德拉（Gambardella），A.； Concha，L.；凯勒，SS； Cendes，F.；阿尔维姆（MKM）；安田，C.； Bonilha，L.； Gleichgerrcht，E.；福克，NK；克雷尔坎普（BAK）；洛德，M.； Podewils，F.冯；朗纳，S.；鲁默尔，C.； Rebsamen，M.；威斯特，R.；马丁，P.； Kotikalapudi，R.；本德，B.；奥布莱恩，T.J.；法律，M.；辛克莱，B.； Vivash，L.；关，P.；德斯蒙德，PM；马尔帕斯，CB；他，E.；阿尔胡塞尼，S.；多尔蒂，C.P.卡瓦莱里，GL；德兰蒂，N.；卡尔维宁，R.；杰克逊，G.D.； Kowalczyk，M.；马斯卡尔奇，M.； Semmelroch，M.；托马斯，R.H.； Soltanian-Zadeh，H.； Davoodi-Bojd，E.；张，J.； Lenge，M.；格里尼（Guerrini），R.；巴托利尼，E.；哈曼迪，K.；福利，S.；韦伯，B.； Depondt，C.；阿布西尔，J.；卡尔，SJA；阿贝拉，E.；理查森，国会议员；德文斯基，O.；塞韦里诺，M.；斯特拉诺，P.；帕罗迪，C.； Turtledove，D.；哈顿，S.N.你，SB；邓肯，J.S.； Galovic，M.；惠兰，CD； Bargalló，N.； Parente，J.； Conde-Blanco，E.；沃达诺，AE； Tondelli，M.；梅莱蒂，S.；孔祥哲；弗兰克斯，C.；费舍尔，SE；卡尔达鲁，B.；赖顿，M.；拉巴特，A.；西索迪亚，SM；汤普森，PM；麦当劳，C.R.；贝尔纳斯科尼，A.；贝尔纳斯科尼，N.； Bernhardt，BC 2022，文章/致编辑的信（Brain，145，4，（2022），第 1285-1298 页）
使用一维su-schrieffer-Heeger模型中的高级带镜
周期性晶格中的拓扑界面状态已成为电子，光子学和语音原理中的宝贵资产，这是由于它们固有的鲁棒性对障碍的固有性。与电子和光子学不同，Hypersound的线性分散关系为研究高阶带盖提供了理想的框架。在这项工作中，我们提出了一种设计策略，用于在GAAS / ALAS多层结构的高阶频带中生成和操纵拓扑纳米式界面状态。这些状态来自两个串联超晶格的频带反转，它们在带隙周围表现出倒置的空间模式对称性。通过调整这些超晶格中的单位单元的厚度比，我们能够在不同的带盖中设计界面状态，从而使能够开发跨越频率范围的多功能拓扑设备。此外，我们证明了此类界面状态也可以在混合结构中生成，这些结构将两个超晶格与以相同频率为中心的不同订单的带盖相结合。这些结构为探索高阶带盖中拓扑结构的途径开辟了途径，为揭幕和更好地理解复杂的拓扑系统提供了一个平台。
