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4242-VPK 小尺寸低功耗三通道和四通道数字隔离器 (Rev. F)
(1) 超出绝对最大额定值所列的应力可能会对器件造成永久性损坏。这些只是应力额定值，并不表示器件在这些或任何超出建议工作条件所列条件的条件下能够正常工作。长时间暴露在绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
工业 5.0 和供应链管理中的三重底线方法：最新技术
摘要：数字技术可能是解决供应链管理 (SCM) 和可持续发展背景下的几个未决问题的关键。本文旨在研究数字技术与 SCM 中可持续实践之间的联系。通过系统的文献综述，本文旨在确定哪些技术有利于从三重底线 (3BL) 角度考虑的可持续新兴实践。具体来说，考虑了以下 11 种技术：3D 打印、人工智能、区块链、计算、数字应用、地理空间技术、物联网、沉浸式环境、开放和基于人群的平台、近距离技术和机器人技术。为了进行这项研究，分析了 5011 篇同行评审的科学文章，并提出了在 SCM 中使用数字技术来支持可持续新兴实践的全面概述。因此，使用衡量每种技术的环境、社会、经济和总体 3BL 可持续性的四个指标来评估可持续新兴实践。这项研究对学者和从业者都有用。对于前者，本文全面了解了数字技术在可持续的供应链管理新兴实践中的应用。它通过提出未来研究发展的情景来强调潜在的研究差距。对于后者，本文旨在确定在公司内部实施数字技术的机会，以改善运营管理，同时促进可持续发展。
新型三重抗生素糊剂对主要口腔病原体的抗菌效果：
摘要 乳牙的慢性感染，特别是那些涉及根尖周围病变的感染，对儿童牙髓病学构成了重大挑战。由于这些感染的根管系统复杂且具有多种微生物的特性，有效的抗菌治疗至关重要。三联抗生素糊剂 (TAP) 结合了甲硝唑、环丙沙星和米诺环素，在感染根管的消毒方面表现出良好的前景。然而，其对一系列口腔病原体的抗菌效果需要进一步研究。这项体外研究评估了 TAP 对五种口腔病原体的抗菌效果：粪肠球菌 (ATCC 35550)、变形链球菌 (ATCC 25175)、金黄色葡萄球菌 (ATCC 12598)、乳酸杆菌属 (ATCC 4356) 和白色念珠菌 (ATCC 10231)。 TAP 被制备成三种浓度（25 μg/mL、50 μg/mL 和 100 μg/mL），并使用琼脂孔扩散法进行测试。在 37°C 下孵育 24 小时后测量抑菌圈直径。研究发现，TAP 对所有测试的微生物都表现出显著的抗菌活性。在 100% 浓度的 TAP 下观察到最高的抑制区。粪肠球菌显示出最大的抑制区（44.40 ± 0.89 毫米），其次是金黄色葡萄球菌（48.87 ± 0.43 毫米）。虽然 50% 浓度的 TAP 也表现出显著的抗菌活性，但对于大多数生物体来说，50% 和 100% 浓度之间没有统计学上的显著差异。统计分析表明，两种浓度的 TAP 对粪肠球菌、变形链球菌、金黄色葡萄球菌、白色念珠菌和乳酸杆菌均有效。三重抗生素糊剂对主要口腔病原体（包括粪肠球菌和金黄色葡萄球菌等生物膜形成细菌）表现出强大的抗菌效果。虽然 100% 浓度显示出最显著的效果，但 50% 浓度也表现出显著的抗菌活性，这表明较低浓度在临床应用中同样有效。需要进一步的临床研究来证实 TAP 在治疗儿科患者慢性牙髓感染方面的潜力。
通过协作学习改变HER2阴性和三重阴性乳腺癌护理
此工具包包括实用的提示和资源，以指导跨专业团队，以教育患者的诊断，治疗选择，监测和管理不良事件的实用策略以及有关支持护理的信息。通过指导您完成SDM的关键步骤，该实用的工具包旨在帮助您帮助患者患有HER2或三重阴性乳腺癌的患者通过小组教育课程或一对一的患者教育咨询，以保持教育，授权并从事护理。
三角形三重量子点中浆果相的手学电流调节和检测
基于运动的分层方程（HEOM）计算，我们从理论上研究了连接到两个储层的三角形三量子点（TTQD）环的相应控制。我们最初通过添加偏置电压并进一步调节量子点之间的耦合强度来证明，偏置引起的手性电流将通过顺时针向逆时针方向转换，并触发前所未有的有效霍尔角。转换非常快速，相应的特征时间为80-200 ps。另外，通过添加磁性弹力来补偿原始系统中的手性电流，我们阐明了施加的磁性环与浆果相之间的关系，该相位可以直接测量手性电流并揭示磁电耦合关系。
三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要在本文中，已经开发了不对称高架源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的隧道连接装置性能。基于设备物理学的分析建模是通过求解2-d poisson方程进行的。表面电势分布，电场变化和带对波段隧道（B2B）的速率已通过此数值建模研究。在我们提出的结构中，来源已升高（不同的2 nm至6 nm）以融合角效应。这可以通过薄隧道屏障进行载体运输，并具有控制的双极传导。这最终为N通道AES-TFET结构产生更好的源通道界面隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。模拟图形表示最终通过AES-TFET的分析建模验证。关键字AES-TFET·表面电势分布·电场变化·B2B隧道·TCAD·数值建模。1介绍纳米科学和纳米技术在纳米级设备中的出现，晶体管的物理大小已被绝对地缩小。通过遵循2022年摩尔的法律预测，微型化已达到其对金属氧化物施加效应晶体管（MOSFET）的极限[1]。在这方面，过去二十年中已经出现了各种扩展问题。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。 为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。但是，在目前的情况下，在60mv/十年的MOSFET上有限的子阈值摇摆（SS）是研究人员的主要缺点。ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com
三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布，电场变化和带对频带隧道（BTBT）速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展（不同的2 nm至6 nm），以结合角效应，从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT，并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是，我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。
与微波谐振器耦合的硅三量子点谷分辨光谱理论
含有丰富核自旋无同位素的半导体越来越多地被研究用作自旋量子比特的主体材料，例如硅[1]、锗[2]和石墨烯[3,4]。结果表明，大多数此类材料在块体材料导带中都包含一个电子谷自由度[5]。在基于这些半导体材料的许多纳米结构中，由此产生的谷分裂仍未完全了解，因此在实践中代表了一个不可预测的系统参数。已知谷自由度可描述为二维电子气（2DEG）中的伪自旋，其属性（即谷分裂和谷相）极大地取决于异质结构的界面[6-13]。单个原子步骤可以改变伪自旋的量化轴，并且电子的谷轨道耦合的复相位可以被修改多达π
利用三重四极杆质谱法定量测定尿液中的 106 种滥用药物
*除 1-(3-氯苯基)哌嗪、25I-NBOMe 和 N-去甲基-他喷他多外，每种目标分析物均使用其自己的标记内标，这三种分析物分别使用内标去甲氯胺酮-d4、氯氮卓-d5 和唑吡坦-COOH-d4。
用于室温钠硫电池的三重功能分级混合 MXenes 中间层
室温钠硫 (RT Na-S) 电池具有高理论能量密度和低成本的特点，最近因潜在的大规模储能应用而受到广泛关注。然而，多硫化钠的穿梭效应仍然是导致循环稳定性差的主要挑战，这阻碍了 RT Na-S 电池的实际应用。在此，设计了一种多功能混合 MXene 中间层以稳定 RT Na-S 电池的循环性能。混合 MXene 中间层包括大尺寸的 Ti 3 C 2 T x 纳米片内层，随后是玻璃纤维 (GF) 隔膜表面的小尺寸 Mo 2 Ti 2 C 3 T x 纳米片外层。大尺寸的 Ti 3 C 2 T x 纳米片内层为可溶性多硫化物提供了有效的物理阻挡和化学限制。小尺寸的 Mo 2 Ti 2 C 3 T x 外层具有出色的多硫化物捕获能力，并加速了多硫化物转化的反应动力学，这是由于其优异的电子电导率、大的比表面积和富含 Mo 的催化表面。因此，采用这种混合 MXene 夹层改性玻璃纤维隔膜的 RT Na-S 电池在 1 C 下在 200 次循环中提供稳定的循环性能，容量保持率提高了 71%。这种独特的结构设计为开发高性能金属硫电池的基于 2D 材料的功能夹层提供了一种新颖的策略。