尽管已经对物理特性的改进进行了深入研究,但通过开发完全无机的WO 3 - 含糖纳米复合材料来扩大外观(即WO 3涂层的颜色和光泽)的关注较少。Wang及其同事[12]最近报道了一个创新的例子[12],它们结合了结构性色彩与光学索引的变化,从而获得了各种各样的颜色。在使用周期性结构,QU和同事[13]的另一项工作中,制备了逆蛋白石NIO膜。它们根据施加的电压和视角移动颜色,并实现了多种颜色。电致色素透明,半透明和非转交涂层都对节能和先进的材料充满希望:但是,在优化性能和开发专业产品方面,仍然有很多工作仍然存在。[14,15]
摘要:这项研究提出了一种通过单步电化学合成来制造阳极co-f - Wo 3层的新方法,利用氟化钴作为电解质中的掺杂剂来源。所提出的原位掺杂技术利用了氟的高电负性,从而确保在整个合成过程中COF 2的稳定性。在存在氟化物离子的情况下由阳极氧化物溶解引起的纳米孔层的形成有望有助于将钴化合物的有效掺入膜中。这项研究探讨了掺杂剂在电解质中的影响,对所得材料进行了全面的表征,包括吗啡,成分,光学,光学,电化学和光电化学特性。通过能量色散光谱(ED),X射线衍射(XRD),拉曼光谱,光致发光测量,X射线光电学光谱(XPS)和Mott-Schottky分析证实了WO 3的成功掺杂。光学研究表明,共掺杂材料的吸收较低,带隙能量略有变化。光电化学(PEC)分析表明,共掺杂层的PEC活性提高了,观察到的光电流发作电位的变化归因于钴和氟化物离子催化效应。该研究包括对观察到的现象的深入讨论及其对太阳能分裂中应用的影响,强调了阳极Co-f-wo 3层作为有效的光电子的潜力。此外,该研究还对阳极co -f -wo 3的电化学合成和表征进行了全面探索,强调了它们的氧气进化反应(OER)的光催化特性。发现共掺杂的WO 3材料表现出更高的PEC活性,与原始材料相比,最大增强了5倍。此外,研究表明,可以有效地将这些光射流用于PEC水分实验。关键字:氧化钨,阳极氧化,原位掺杂,纳米结构形态,OER,光电化学特性
一种水热方法用于合成不同的光射道,以在染料敏化的太阳能电池(DSSC)中应用。这些光射手包括WO 3,Tio 2,石墨烯-Tio 2,Wo 3 -tio 2和石墨烯3 -tio 2的纳米结构。使用扫描电子显微镜(SEM),能量分散性X射线光谱(EDS),紫外线可见光谱(UV-VIS)和傅立叶转换红外光谱光谱(FTIR)分析纳米颗粒的形态。结果表明,石墨烯 - -tio 2纳米结构具有较大的表面积,为有效的太阳能转化提供了更多的活性位点。值得注意的是,DSSC合并了石墨烯3 -tio 2纳米颗粒电极的表现仅基于TiO 2和WO 3,其较高的短路电流密度为7.5 mA.cm -2,开放式电路电压为0.68 V,填充因子为0.46,填充因子为0.46,功率为2.4%。相反,纯TiO 2和WO 3细胞仅达到0.88%和0.69%的效率。三元纳米结构的出色电子迁移率促进了电荷捕获并注入导电基板,从而减少了重组。此外,WO 3纳米棒和石墨烯的散射效应增强了光阳极中的光收集,从而导致太阳能电池的总体效率提高。这些发现突出了合成石墨烯的潜力,可以在DSSC中应用于有希望的光阳极材料。
1选择(杂交和有机太阳能中心)和电子工程系,罗马·托尔·维加塔(University Rome tor Vergata),通过Del Polytechnic 1,00133 Rome,Italy,意大利罗马; attiq986@yahoo.com(A.U.R. ); aliah1995@hotmail.com(A.E.A.-Q. ); francesca.brunetti@uniroma2.it(f.b。) 2 DGTCSI-ISCTI(通信技术和IT机构通信和信息技术研究所的安全总局),公司部并在意大利制造(Mimit),Viale America,201,201,00144 Rome,Rome,Italia 3 Greatcell Solar Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Castro Pretorio Pretorio Instrucoio 122,0022,002,002,002,002,002,0022, C.N.R材料,通过意大利罗马00133的Del Fosso del Cavaliere 100; barbara.paci@ism.cnr.it(B.P. ); amanda.generosi@ism.cnr.it(a.g.); ussia.righirive@artov.ism.cnr.it(f.r.r。) * corpsondence:rea@uniroma2.it†这些作者为这项工作做出了贡献。); aliah1995@hotmail.com(A.E.A.-Q.); francesca.brunetti@uniroma2.it(f.b。) 2 DGTCSI-ISCTI(通信技术和IT机构通信和信息技术研究所的安全总局),公司部并在意大利制造(Mimit),Viale America,201,201,00144 Rome,Rome,Italia 3 Greatcell Solar Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Castro Pretorio Pretorio Instrucoio 122,0022,002,002,002,002,002,0022, C.N.R材料,通过意大利罗马00133的Del Fosso del Cavaliere 100; barbara.paci@ism.cnr.it(B.P. ); amanda.generosi@ism.cnr.it(a.g.); ussia.righirive@artov.ism.cnr.it(f.r.r。) * corpsondence:rea@uniroma2.it†这些作者为这项工作做出了贡献。2 DGTCSI-ISCTI(通信技术和IT机构通信和信息技术研究所的安全总局),公司部并在意大利制造(Mimit),Viale America,201,201,00144 Rome,Rome,Italia 3 Greatcell Solar Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Castro Pretorio Pretorio Instrucoio 122,0022,002,002,002,002,002,0022, C.N.R材料,通过意大利罗马00133的Del Fosso del Cavaliere 100; barbara.paci@ism.cnr.it(B.P.); amanda.generosi@ism.cnr.it(a.g.); ussia.righirive@artov.ism.cnr.it(f.r.r。)* corpsondence:rea@uniroma2.it†这些作者为这项工作做出了贡献。
T THERON C. DAVIS USN ADL 1120 ppppp CAPT GRADY S. MCDONALD USN ADL 1130 MMMMM CAPT ALLISON N. CHRISTY USN ADL 1110 MMMMM CDR JOSE L. GARZA USN ADL 1320 MMMMM CDR JOSHUA N. RAGADIO USN ADL 1120 MMMMM CDR ROBBRT D. SALIRE USN AOL 3100 MMMMM CDR TBRRENCB U. JONES USN ADL 6410 MMMMM CDR GABR:IEL V. BDWARDS USN ADL 1310 MMMMM CDR MICHELLE SB CAPONIGRO USN ADL 5100 MMMMM CW05 WILFRID BOSSOUS USN ADL 7311 MMMMM cwos KYLER.格雷姆 USN ADL 7281 MMMMM cwos 马修·J. STINKEONAY USN ADL 7831 MMMM cwos 杰拉尔德 A. TEOMAS USN ADL 7131 MMMM CW05 罗兰多 C. ABAD, JR.美国海军 ADL 7521 MHMM
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摘要:本文探讨了碲化物玻璃中的 MoO 3 和 SiO 添加剂对在辐射背景或宇宙辐射增加的条件下工作的电子微电路的屏蔽特性和保护的影响。之所以选择 MoO 3 和 SiO 掺杂剂,是因为它们的特性(包括绝缘特性)可以避免辐射损伤引起的击穿过程。这项研究的意义在于提出使用防护玻璃保护电子电路中最重要的组件免受电离辐射负面影响的方法,电离辐射可能会导致故障或导致电子设备不稳定。使用标准方法评估伽马和电子辐射的屏蔽效率,以确定放置在屏蔽后面并受到不同剂量辐照的微电路的阈值电压(∆U)值的变化。结果表明,玻璃结构中 MoO 3 和 SiO 含量的增加可使伽马辐射屏蔽效率提高高达 90%,同时在长时间暴露于电离辐射的情况下仍能保持微电路性能的稳定性。根据所得结果,我们可以得出结论:使用基于 TeO 2 –WO 3 –Bi 2 O 3 –MoO 3 –SiO 的防护玻璃非常有希望为在背景辐射或宇宙辐射增加的条件下工作的微电路和半导体器件的主要部件提供局部保护。
在光电探测器技术中,瓶颈被确定为能够检测低强度电磁辐射的新型材料的挑战,并且与综合电路(IC)制造也兼容。在各种金属氧化物半导体中,基于过渡金属氧化物(TMOS)材料更适合于由于其宽带,热稳定性和化学稳定性而导致的紫外线(UV)光电探测器应用。尤其是,三氧化钨(WO 3)已被证明是光子应用中最合适的候选者,包括电动型,光色素和气体传感器设备。在此,以增强性能增强的基于WO 3的光电探测器测试设备的开发已集中。WO 3薄膜以不同的氧局压(P O 2)的形式沉积在SIO 2 /Si底物上,并使用射频(RF)Magnetron溅射技术沉积在溅射压力条件下。在论文的第一部分中,溅射技术(如P o 2)中最重要的生长参数和用于沉积WO 3薄膜的溅射压力是根据光电探测器测试设备的性能进行了优化的。使用各种表征技术(包括X射线衍射(XRD),田间发射扫描电子显微镜(FESEM),X射线光电学光谱(XPS),Ra-Many和Atomic Force Microscopy(AFM),对结构,形态和化学状态进行了分析。Ti/Wo 3/Ti测试磁发炉在382 nm的紫外线照明下显示出0.166 a/w的较高响应性,在非常低的功率密度为0.66 mW/cm 2的情况下。生长的WO 3薄膜用于使用钛电极(TI)电极的Fabiale Metal-Metal-Senemenductor-Metal(MSM)平面结构化光电探测器测试设备,并测量了光电探测器参数,例如光电构成,响应率,响应性,检测性,检测率和外部量子效率(EQE)。为了实现从紫外线到可见区域的多光谱吸收,在论文的第二部分中介绍了新的基于WO 3的异质结构。最初,溅射基于石墨烯的溅射(GR/WO 3)异质结构被制造以研究紫外可见的光电探测器性能。GR/WO 3异质结构在512 nm的可见照明下达到了0.085 A/W的最大响应性。然而,由于石墨烯的某些局限性,WS 2 /WO 3异质结构是通过化学蒸气沉积(CVD)技术将WS 2纳米结构在WO 3层上种植到WO 3层的方法。在这里,使用互插的银(AG)电极制造Ag /WS 2 /WO 3 /Ag光电探测器测试设备。由于WS 2的纳米结构和外部电子迁移率的形成,在紫外线和可见的照明下分别实现了2.94 A/W和2.01 A/W的高响应性。获得的结果测试是WS 2 /WO 3异质结构是宽带紫外可见光电探测器的有前途的候选者,并且可以使用其他TMO和TMD进行相同的策略,以实现光电式Decessices的高性能光电探测器。
注意:本手稿由UT-Battelle,LLC撰写,根据与美国能源部(DOE)合同DE-AC05-00OR22725。美国政府保留和出版商,通过接受该文章的出版物,承认美国政府保留了非判定,有偿,不可撤销的,全球范围内的许可,以出版或复制本手稿的已发表形式,或允许其他人这样做,以实现美国政府的目的。DOE将根据DOE公共访问计划(http://energy.gov/downloads/doe-public-access- plan),为联邦赞助研究的这些结果提供公众访问。
