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在光电探测器技术中，瓶颈被确定为能够检测低强度电磁辐射的新型材料的挑战，并且与综合电路（IC）制造也兼容。在各种金属氧化物半导体中，基于过渡金属氧化物（TMOS）材料更适合于由于其宽带，热稳定性和化学稳定性而导致的紫外线（UV）光电探测器应用。尤其是，三氧化钨（WO 3）已被证明是光子应用中最合适的候选者，包括电动型，光色素和气体传感器设备。在此，以增强性能增强的基于WO 3的光电探测器测试设备的开发已集中。WO 3薄膜以不同的氧局压（P O 2）的形式沉积在SIO 2 /Si底物上，并使用射频（RF）Magnetron溅射技术沉积在溅射压力条件下。在论文的第一部分中，溅射技术（如P o 2）中最重要的生长参数和用于沉积WO 3薄膜的溅射压力是根据光电探测器测试设备的性能进行了优化的。使用各种表征技术（包括X射线衍射（XRD），田间发射扫描电子显微镜（FESEM），X射线光电学光谱（XPS），Ra-Many和Atomic Force Microscopy（AFM），对结构，形态和化学状态进行了分析。Ti/Wo 3/Ti测试磁发炉在382 nm的紫外线照明下显示出0.166 a/w的较高响应性，在非常低的功率密度为0.66 mW/cm 2的情况下。生长的WO 3薄膜用于使用钛电极（TI）电极的Fabiale Metal-Metal-Senemenductor-Metal（MSM）平面结构化光电探测器测试设备，并测量了光电探测器参数，例如光电构成，响应率，响应性，检测性，检测率和外部量子效率（EQE）。为了实现从紫外线到可见区域的多光谱吸收，在论文的第二部分中介绍了新的基于WO 3的异质结构。最初，溅射基于石墨烯的溅射（GR/WO 3）异质结构被制造以研究紫外可见的光电探测器性能。GR/WO 3异质结构在512 nm的可见照明下达到了0.085 A/W的最大响应性。然而，由于石墨烯的某些局限性，WS 2 /WO 3异质结构是通过化学蒸气沉积（CVD）技术将WS 2纳米结构在WO 3层上种植到WO 3层的方法。在这里，使用互插的银（AG）电极制造Ag /WS 2 /WO 3 /Ag光电探测器测试设备。由于WS 2的纳米结构和外部电子迁移率的形成，在紫外线和可见的照明下分别实现了2.94 A/W和2.01 A/W的高响应性。获得的结果测试是WS 2 /WO 3异质结构是宽带紫外可见光电探测器的有前途的候选者，并且可以使用其他TMO和TMD进行相同的策略，以实现光电式Decessices的高性能光电探测器。
基于光电设备的基于WO3的光电检测器...
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