XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemWaal
图像预处理的范德华异质结构中的可调阴性和阳性光电导率
视觉信息的处理主要发生在视网膜中，视网膜预处理功能极大地提高了视觉信息的传输质量和效率。人工视网膜系统为有效的图像处理提供了有希望的途径。在这里，提出了石墨烯/ INSE/ H -BN的异质结构，该结构通过改变单个波长激光器的强度，表现出负和正照相（NPC和PPC）效应。此外，基于激光的功率依赖性光导不传导效应：I pH = -mp𝜶1 + 1 + NP 𝜶2，提出了一个修改的理论模型，该模型可以揭示负/阳性光导能效应的内部物理机制。当前的2D结构设计允许晶体管（FET）表现出出色的光电性能（R NPC = 1.1×10 4 AW - 1，R PPC = 13 AW - 1）和性能稳定性。，基于阴性和阳性光电传感效应成功模拟了视网膜预处理过程。此外，脉冲信号输入将设备的响应性提高了167％，并且可以提高视觉信号的传输质量和效率。这项工作为构建人工视觉的建设提供了一个新的设计思想和方向，并为下一代光电设备的整合奠定了基础。
通过电流诱导相变对范德华磁体磁阻进行巨大调节
有效的磁化控制是磁学和自旋电子学的核心问题1-8。特别是，对于具有非常规功能的自旋电子器件，对范德华 (vdW) 磁体中磁态的多功能操控的需求日益增加9-13。已经实现了通过自旋扭矩对 vdW 磁体进行磁化切换的电控制，但在没有外部磁场的情况下铁磁状态到反铁磁状态之间的电流诱导相变尚未得到证明12,14,15。在这里，我们报道了电流诱导的 vdW 铁磁体 Fe 5 GeTe 2 中的磁相变，从而产生了巨磁电阻。基于磁输运测量和相关理论分析，我们证明该转变是通过平面电流诱导的跨 vdW 间隙电压差在各层中依次发生的。 34 Fe 5 GeTe 2 中磁相的电流可调性为磁性能的电控制开辟了一条道路，扩展了我们将 vdW 磁体用于各种自旋电子器件应用的能力。36
二维范德华异质结构中的电气可调巨型Nernst效果
图S4。 扫描跨INSE通道的NERNST效果的光电流图：（a）设备示意图显示了跨INSE通道的GR/5L-INSE异质结构和电气检测的照明。 在此示意图之后，任何测得的电流都被迫流过半导体。 （b）与扫描光电流图同时测量的感兴趣区域的激光反射图。 这种测量使我们能够将激光的位置与观察到的信号相关联。 被选中的位置分别标记为石墨烯和INSE/石墨烯异质结构的位置1和2分别为位置（c）Nernst效应信号记录了不同的磁场和50µW的激光照明和50µW的激光照明和V_G = 0 V的位置1和2，位于1和2的位置，在1和2中亮着，在1和2的位置上，在Chemaine ElectereDere和Hersossctuction上闪闪发光。 裸露的石墨烯信号以蓝色显示，通过一个数量级放大，以更好地突出两条曲线之间的斜率差异。 进行测量是没有任何应用偏差的，因为它会掩盖Nern的效果，从而诱导图片中的其他光电流机制。 （d）扫描光电流图显示了在完整设备上的完整设备的测得的光电流，以-1T的施加了平面外电场。 （e）和（f）分别为0T和1T显示的类似扫描光电流图。图S4。扫描跨INSE通道的NERNST效果的光电流图：（a）设备示意图显示了跨INSE通道的GR/5L-INSE异质结构和电气检测的照明。在此示意图之后，任何测得的电流都被迫流过半导体。（b）与扫描光电流图同时测量的感兴趣区域的激光反射图。这种测量使我们能够将激光的位置与观察到的信号相关联。被选中的位置分别标记为石墨烯和INSE/石墨烯异质结构的位置1和2分别为位置（c）Nernst效应信号记录了不同的磁场和50µW的激光照明和50µW的激光照明和V_G = 0 V的位置1和2，位于1和2的位置，在1和2中亮着，在1和2的位置上，在Chemaine ElectereDere和Hersossctuction上闪闪发光。裸露的石墨烯信号以蓝色显示，通过一个数量级放大，以更好地突出两条曲线之间的斜率差异。进行测量是没有任何应用偏差的，因为它会掩盖Nern的效果，从而诱导图片中的其他光电流机制。（d）扫描光电流图显示了在完整设备上的完整设备的测得的光电流，以-1T的施加了平面外电场。（e）和（f）分别为0T和1T显示的类似扫描光电流图。
探测范德华磁性半导体crsbr
摘要：本研究通过全面的光致发光（PL）表征研究了硫磺溴（CRSBR）的电子带结构。我们清楚地确定了两个紧密相邻的传导带状态和两个不同的价带状态之间的低温光学转变。对PL数据的分析稳健地揭示了跨CRSBR的不同厚度（从单层到散装）的不同厚度的能量分裂，带隙和激子跃迁。依赖温度依赖性PL测量阐明了在NE e el温度以下的频带拆分的稳定性，这表明镁与激子结合的元素负责使对称性断裂和从二级传导带最小值（CBM2）向全局价最大带（VBM1）的对称性破坏和增亮。共同揭示了在传导和价带中的分裂，而且还突出了我们对抗超磁性二维Van der waals晶体的光学，电子和磁性能之间相互作用的显着进步。
2D Van der Waals中的可调层相互作用...
摘要。二维材料可以作为单层板分离。这些严格的原子薄结构使新的拓扑物理学和开放的化学问题有关如何调整床单的结构和特性，同时将床单保持为孤立的单层。之间的相互作用与它们产生的属性之间的相互作用仍然相对忽略，这是由于其作为单层的特性的重点。在这里，我们研究了将二维的多孔纸去除成角质的单层，但在氧化后聚集，从而产生可调的层间电荷转移的吸收并刺激了移位的光致发光。这种光学行为类似于层间激子，由于其长期发射而被深入研究，但仍难以通过合成化学调整。取而代之的是，可以通过控制溶剂，电解质，氧化状态和框架构建块的组成来调制这些框架纸的层间激子。与其他二维材料相比，这些框架纸显示出最大的已知层间结合强度，这归因于纸张中特定组件之间的相互作用。总的来说，这些结果为通过分子合成化学在范德华材料中操纵远程光电行为提供了微观基础。
绝缘范德华铁磁体中的拓扑自旋纹理
鉴于拓扑自旋纹理在信息存储技术中的潜在应用，其生成和控制是现代自旋电子学最令人兴奋的挑战之一。特别令人感兴趣的是磁绝缘体，由于其低阻尼、无焦耳加热和减少的耗散，可以提供节能的自旋纹理平台。本文证明了样品厚度、外部磁场和光激发之间的相互作用可以产生大量的自旋纹理，以及它们在绝缘 CrBr 3 范德华 (vdW) 铁磁体中的共存。使用高分辨率磁力显微镜和大规模微磁模拟方法，证明了 T-B 相图中存在一个大区域，其中存在不同的条纹畴、skyrmion 晶体和磁畴，并且可以通过相位切换机制进行内在选择或相互转换。洛伦兹透射电子显微镜揭示了磁性纹理的混合手性，在给定条件下属于布洛赫类型，但可以通过厚度工程进一步操纵为尼尔类型或混合类型。可以通过标准光致发光光学探针进一步检查不同磁性物体之间的拓扑相变，该探针通过圆偏振分辨，表明存在激子-skyrmion耦合机制。研究结果表明，vdW磁绝缘体是一种有前途的材料框架，可用于操纵和生成与原子级设备集成相关的高度有序的skyrmion晶格。
两个范德华磁电极转移
* 通讯地址：X.-X.S.(songxx90@ustc.edu.cn), Q.Z.(iamqzhao@njupt.edu.cn), Y.X.(xuyong@njupt.edu.cn) 或 W.Q.(wqin@sdu.edu.cn)
图像预处理的范德华异质结构中的可调阴性和阳性光电导率
视觉信息的处理主要发生在视网膜中，视网膜预处理功能极大地提高了视觉信息的传输质量和效率。人工视网膜系统为有效的图像处理提供了有希望的途径。在这里，提出了石墨烯/ INSE/ H -BN的异质结构，该结构通过改变单个波长激光器的强度，表现出负和正照相（NPC和PPC）效应。此外，基于激光的功率依赖性光导不传导效应：I pH = -mp𝜶1 + 1 + NP 𝜶2，提出了一个修改的理论模型，该模型可以揭示负/阳性光导能效应的内部物理机制。当前的2D结构设计允许晶体管（FET）表现出出色的光电性能（R NPC = 1.1×10 4 AW - 1，R PPC = 13 AW - 1）和性能稳定性。，基于阴性和阳性光电传感效应成功模拟了视网膜预处理过程。此外，脉冲信号输入将设备的响应性提高了167％，并且可以提高视觉信号的传输质量和效率。这项工作为构建人工视觉的建设提供了一个新的设计思想和方向，并为下一代光电设备的整合奠定了基础。
在原子上薄的范德华磁铁Crsbr
摘要：在原子上薄的半导体中，CRSBR脱颖而出，因为它的散装和单层形式在磁性环境中均构成紧密结合的准二维激子。尽管对固态研究至关重要，但激子的寿命仍然未知。虽然Terahertz极化探测可以直接跟踪所有激子，而与带间选择规则无关，但相应的大型远场灶基本上超过了横向样品尺寸。在这里，我们将Terahertz极化光谱与近场显微镜结合在一起，以揭示CRSBR单层中的磁磁复发剂的飞秒衰减，该crsbr的单层比散装寿命短30倍。我们在散装CRSBR中揭示了结合和未结合的电子 - 孔对的低能指纹，并以无模型的方式提取单层的非平衡介电函数。我们的结果表明，首次直接访问CRSBR中准单维激子的超快速介电响应，可能会推进基于Ultrathin van der waals磁铁的量子设备的开发。关键字：原子上的固体，范德华磁铁，各向异性激子，超快动力学，飞秒近场显微镜，Terahertz
范德华异质结构的腔电动力学
*通讯作者。1 Max Planck物质结构和动态研究所，德国汉堡。2物理系，哥伦比亚大学，美国纽约，美国。 3 rwth Aachen University和Duture Information Technology的Jara-Fundamentals，Aachen，Aachen，Div foreire der der der statistischen physik。 4日本杜斯库巴国家材料科学研究所电子和光学材料研究中心。 5日本杜斯库巴国家材料科学研究所材料纳米构造研究中心。 6计算量子物理中心，西蒙斯基金会基金研究所，美国纽约，美国。 7 Cnano-BiospectRoscopy Group，Dectionalmo de Fisica de Materiales，San Sebasti´an，San Sebasti´an大学。 8理论物理学研究所和不来梅计算材料科学中心，德国不来梅大学，德国不来梅大学。 9 Laboratoire de Lecole de L'Ecole Normale Sup´erieure，Universit´e PSL，CNRS，Sorbonne Universit´e，Paris-Cit´eo，Paris-cit´eo，Paris，Paris，France。 法国德国大学学院10大学。2物理系，哥伦比亚大学，美国纽约，美国。3 rwth Aachen University和Duture Information Technology的Jara-Fundamentals，Aachen，Aachen，Div foreire der der der statistischen physik。4日本杜斯库巴国家材料科学研究所电子和光学材料研究中心。5日本杜斯库巴国家材料科学研究所材料纳米构造研究中心。6计算量子物理中心，西蒙斯基金会基金研究所，美国纽约，美国。7 Cnano-BiospectRoscopy Group，Dectionalmo de Fisica de Materiales，San Sebasti´an，San Sebasti´an大学。8理论物理学研究所和不来梅计算材料科学中心，德国不来梅大学，德国不来梅大学。 9 Laboratoire de Lecole de L'Ecole Normale Sup´erieure，Universit´e PSL，CNRS，Sorbonne Universit´e，Paris-Cit´eo，Paris-cit´eo，Paris，Paris，France。 法国德国大学学院10大学。8理论物理学研究所和不来梅计算材料科学中心，德国不来梅大学，德国不来梅大学。9 Laboratoire de Lecole de L'Ecole Normale Sup´erieure，Universit´e PSL，CNRS，Sorbonne Universit´e，Paris-Cit´eo，Paris-cit´eo，Paris，Paris，France。法国德国大学学院10大学。