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补充材料：非线性波导阵列中的可调生成空间纠缠
由GAAS底物上的分子束外延生长的外延结构由6个周期Al 0组成。8 GA 0。 2 as/al 0。 25 GA 0。 75作为Bragg反射器（下视镜），A 350 nm Al 0。 45 GA 0。 55作为核心和4个周期Al 0。 8 GA 0。 2 as/al 0。 25 GA 0。 75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 48 GA 0。2 as/al 0。25 GA 0。 75作为Bragg反射器（下视镜），A 350 nm Al 0。 45 GA 0。 55作为核心和4个周期Al 0。 8 GA 0。 2 as/al 0。 25 GA 0。 75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 425 GA 0。75作为Bragg反射器（下视镜），A 350 nm Al 0。45 GA 0。 55作为核心和4个周期Al 0。 8 GA 0。 2 as/al 0。 25 GA 0。 75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 445 GA 0。55作为核心和4个周期Al 0。8 GA 0。 2 as/al 0。 25 GA 0。 75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 48 GA 0。2 as/al 0。25 GA 0。 75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 425 GA 0。75作为Bragg反射器（上镜）。 两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。 因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式 （s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。 外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。 SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。 7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。 475作为Bragg反射器（上镜）。两个Bragg镜子在NIR范围内为泵梁提供了光子带隙垂直限制，也为电信范围内生成的SPDC光子的总内部反射覆盖提供了。因此，泵和SPDC模式的特征是不同的分散曲线，允许单波导相匹配条件Δβ（0）= 0（等式（s6）下面）要在关注的光谱范围内满足。外延结构是通过分子束外延生长的，样品通过电子光刻（使用高分辨率HSQ抗性）处理，然后是ICP干蚀刻。SPDC电信模式的模拟耦合常数为C TE = 2。7 mm -1在TE极化中，C TM = 2。4
集成在硫属化物玻璃波导中的石墨烯基偏振无关中红外电吸收调制器
摘要 提出了一种偏振不敏感的石墨烯基中红外光调制器，由SiO 2 /Ge 23 Sb 7 S 70 组成，其中嵌入了两层石墨烯，采用半椭圆布局，以支持具有相同吸收率的横磁 (TM) 和横电 (TE) 偏振模式。偏振无关调制器的关键性能指标是偏振灵敏度损耗 (PSL)。我们器件的波导只支持基本的 TE 和 TM 模式，两种模式之间的 PSL < 0.24 dB。该模型可以提供大于 16 dB 的消光比 (ER) 和小于 1 dB 的插入损耗。工作光谱范围为 2 至 2.4 μm，光学带宽为 400 nm。根据理论计算，3 dB 调制带宽高达 136 GHz。关键词：硫属玻璃，石墨烯，中红外，光调制器，偏振不敏感
通过飞秒激光波导写入玻璃的光子集成电路
相对于激光束。图 2a 描绘了 FLW 过程的图形表示。FLW 是一种串行制造技术，与光刻相比可能并不适合大规模生产。然而，它的速度和简单性使其成为至少在量子技术等快速发展领域中规模生产的有吸引力的选择。可以实现的折射率变化很小，因此设备不如硅或氮化硅等其他平台那么小型化。然而，FLW 因允许三维电路布局（图 2b-c）、与玻璃以外的各种材料兼容（促进复合设备的混合集成）以及与标准光纤的低损耗连接而脱颖而出。FLW 只是通过超短激光脉冲与透明材料的非线性相互作用实现的几种微加工工艺之一。另一个例子是飞秒激光烧蚀，它可以精确去除材料，从而形成三维微结构，如图 2a 所示的微沟槽。将飞秒激光烧蚀与激光烧蚀相结合，可以提高集成光子器件的性能，例如可编程光子集成电路 [5]，它集成了波导、电可编程干涉仪和空心结构，从而实现了非常低的
通过环形束在圆柱形波导
我们通过环形梁研究表面极化子的辐射，该环形梁同轴封闭了一个圆柱形波导，该波导被均匀的介质包围。通过使用绿色二元组，电磁电位以及电磁场在波导的内部和外部。对于圆柱体内外的介电渗透率的一般情况，能量损失的表达是得出的。在与表面极化子辐射相对应的光谱范围内进行了全面分析。对于梁速度的中间值获得了光谱分布中的最高峰。在透明培养基的极限中，辐射表面极化子的光谱是离散的，相应的频率由圆柱波导的特征值方程确定。的数值示例。
非线性量子光子量，带有锡面中心与一维钻石波导
单光子和固态颜色中心之间的非线性相互作用是量子科学中许多应用的核心[1,2]，例如实现量子互联网[3,4]。尤其是，钻石中的彩色中心已启用了这个方向的高级演示，显示了多键量子网络操作[5,6]，内存增强的通信[7]和可扩展的芯片载荷混合动力集成[8]。Among the diamond color centers, the tin-vacancy center (SnV) has recently emerged as a promising qubit platform, as it combines the inversion symmetry of group-IV color centers [9,10] , allowing for integration in nanophotonic structures, with good optical properties [11 – 14] and above-millisecond spin coherence at temperatures above 1 K [15,16] .将光子整合与自旋和光学控制结合的设备可以用作实现自旋photon大门的未来可伸缩构建块[17]。在通往这种可扩展的片上整合的路径上，将发射剂掺入纳米光子波导中[12,18]，可以探索相干的发射极 - 光子相互作用，典型的波导 - 耦合系统[19,20]。与纳米光腔相比[21]，波导具有宽带的优势，消除了腔体调整的挑战，并且在制造中具有明显更高的误差耐受性。 在这封信中，我们提出了一个由SNV中心组成的设备，该中心与纳米型钻石波导搭配锥形纤维通道，如图所示 1（a）。 感谢有效的耦合，双面访问和实时与纳米光腔相比[21]，波导具有宽带的优势，消除了腔体调整的挑战，并且在制造中具有明显更高的误差耐受性。在这封信中，我们提出了一个由SNV中心组成的设备，该中心与纳米型钻石波导搭配锥形纤维通道，如图1（a）。感谢有效的耦合，双面访问和实时
用于亚波长限制的双耦合长程混合表面等离子体极化波导
摘要：本文提出了一种基于双SPP耦合用于亚波长限制的长距离混合波导。混合波导由金属基圆柱形混合波导和银纳米线组成。波导结构中存在两个耦合区，增强了模式耦合。强模式耦合使波导既表现出较小的有效模式面积（0.01），又表现出极长的传输长度（700 μm），波导的品质因数（FOM）可高达4000。此外，波导的横截面积仅为500nm×500nm，允许在亚波长范围内进行光学操作，有助于提高光电器件的小型化。混合波导的优异特性使其在光电集成系统中具有潜在的应用价值。
在si nanobeams中用于微波声子激发的集成波导和光学腔的耦合
摘要：光学微/纳米图案的高质量制造的可用性为基于光学机械（OM）声音和光的相互作用而开发的可扩展电路和设备的道路铺平了道路。在这项贡献中，我们提出了一项有关OM腔的新研究，可以使其与紧密整合的波导对其耦合进行精确控制，这是增强模式激发和波浪能陷入诱因的必要条件，为波浪指导，滤波，滤波，填料，结合和传感打开了许多潜在应用的可能性。此外，可以避免对笨重的实验设置和/或光纤维耦合/激发的需求。同时，优化了在腔体中共鸣的机械和光学模式的质量因素，以及它们的OM耦合系数：两种激发的高度结合是实现其声音（AO）相互作用的先决条件。为此，腔体的横向大小已被抛物面，具有将腔分离的额外好处和远离耦合区域的集成波导。有限元方法已用于执行全波分析，并提供了有关正确描述光学散射和辐射所需的模拟设置的准确讨论。
PR：liyf 4的橙色表面波导激光器由飞秒激光器写作
飞秒直接激光写入（FS DLW）是在透明介电材料中产生3D光子微结构的强大方法[1,2]。后者在短时间内通过非线性过程吸收FS脉冲的能量，从而在μM规模的辐照面积（损伤轨道）内进行了永久性的材料修饰，从而导致折射率的热变化。激光波导（WGS）最近引起了极大的关注[1]。飞秒脉冲对激光WGS的铭文受益于快速制造时间，高精度，获得各种几何形状和活性材料。对于此类WG，达到了低至中等传播损失。wg激光器代表光子积分电路的构件之一[2]。如果设计正确，它们会受益于单模模式操作，低阈值和高光强度[3]。表面WG可以通过将非线性光学材料沉积导致脉冲激光通过evanescent-Field景偶联而进行功能化[4,5]。
高效的纤维到Si波导自由形式耦合器，用于铸造级硅光子学
作为从研究到商业部署的硅光子学的过渡，有效地将光线融入高度紧凑和功能性的亚微米硅波导的包装解决方案必须是必要的，但仍然具有挑战性。有助于实现大规模集成的220 nm硅在绝缘子（SOI）平台是铸造厂采用最广泛的集成，从而实现了既定的制造工艺和广泛的光子组合库。因此，该平台的高效，可扩展和宽带耦合方案的开发至关重要。利用两光子聚合（TPP）和基于Fermat原理的确定性自由形式的微观启示设计方法，这项工作表明了标准的SMF-28单模式纤维和硅Wave在220 nmSOI SOI平台上的标准SMF-28单模式纤维和硅波波之间的超高效和宽带3-D耦合器界面。耦合器在基本TE模式下达到了0.8 dB的低耦合损失，而1 dB的带宽超过180 nm。宽带操作可实现从通信到光谱的各种带宽驱动的应用。此外，3-D自由形式耦合器还可以极大地容忍纤维未对准和制造可变性，从而使包装要求放松，以降低成本降低资本利用标准的电子包装过程流量。©2024中国激光出版社
输出端口隔离度更高的毫米波宽带波导功率分配器
摘要 — 我们提出了一种新型紧凑型宽带波导 T 结功率分配器，特别适用于毫米波和太赫兹频率。它将基于基板的元件整合到波导结构中，以提供输出端口的隔离和匹配。内部端口引入在基板上形成为 E 探针的 T 结的顶点。这有助于将反射能量从输出端口有效地耦合到与 E 探针集成在同一基板上并通过薄膜技术制造的新型薄膜电阻终端。设计、模拟和制造了适用于 150-220 GHz 频带的功率分配器，以实验验证理论和模拟性能。结果表明，模拟和测量结果具有极好的一致性，对于三端口设备，输入和输出端口的回波损耗显著为 20 dB，输出端口之间的隔离度优于 17 dB。此外，测量的插入损耗小于 0.3 dB，幅度和相位不平衡分别为 0.15 dB 和 0°。此外，分压器对内置吸收负载的电阻材料的尺寸和薄层电阻具有出色的耐受性，使该设备成为毫米波和太赫兹系统（特别是射电天文接收器）非常实用的组件。