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1（CLEC12A）在CD34+ AML患者的爆炸1（CLEC12A）在CD34+ AML患者的爆炸
fi g u r e 2 Hovon102子集中患者白血病特异性特异性特异性与Cll-1双峰的关联。在与MDS相关的AML（先验MDS和/或RAEB），NPM1野生型，FLT3野生型和ELN不利风险率中观察到了更高比例的Cll-1双峰性（浅蓝色条）。与（a）AML先前MD和/或分类为RAEB（MDS相关AML）的AML患者有关的CLL-1表达模式的比例条形图。（b）NPM1和（C）FLT3突变状态，（d）细胞遗传学，（e）ELN分类状态。与MDS相关的AML，NPM1，FLT3突变状态和ELN分类状态在卡方检验或Fisher的精确测试p <.05具有统计学意义。ca休息，细胞遗传学异常休息组； CN – XY，细胞遗传学正常； Inv（16），反转16； MK，单色核型； t（8,21），易位8，21
B9创建产品指南
关键功能•大型构建体积：192 x 108 x 320毫米，用于大零件和高吞吐量。•高分辨率和卓越质量：XY有效分辨率为50 µm，可确切，详细的印刷品和紧密的公差。•用户友好的操作：无需专业技术人员。MPRO具有工厂校准，并具有简单的打印准备软件和直观的界面。•您可以依靠：获得技术支持，工厂启动帮助，打印优化服务和高级支持选项，以备不时之需。•高速：加速构建时间，以提高敏捷性，快速，频繁的设计迭代，快速的原型工具等。•高级材料：B9Screations提供各种工程，弹性和专业3D打印材料 - 带有简单的树脂转换，以在几分钟内切换材料。•对您进行自定义：无论您是要简化无线更新，还是完整的专用网络，用于安全性，第三方材料的设置，还是在MES系统中进行集成，我们的MPRO都可以适应您的MPRO。
基于超扭转算法的四旋翼飞机轨迹跟踪控制实时改进
摘要：本文介绍了微型自主四旋翼直升机系统 (X4 原型) 的轨迹跟踪控制的开发和实验验证，该系统使用基于二阶滑模技术的稳健算法控制，也称为户外环境中的超扭转算法。这种非线性控制策略保证在存在外部干扰或模型不确定性影响我们的四旋翼直升机的适当行为的情况下，在有限时间内收敛到所需路径 r (t)。为此，选择多项式平滑曲线轨迹作为参考信号，其中函数的相应导数是有界的。此外，我们考虑了作用于飞行器的阵风干扰，并在先进的自动驾驶系统中预先编程了参考信号。提出的解决方案包括使用 GPS 测量实施基于超扭转控制的实时控制律，以获得 xy 平面中的位置以实现所需的轨迹。给出了轨迹跟踪控制的仿真和实验结果，以证明所提出的非线性控制器在有风条件下的性能和鲁棒性。
在四方逆中调节磁性反斯格明子稳定性……
识别支持环境温度下复杂可调磁序的材料是开发新型磁性设备架构的基础。我们报告了 Mn 2 XY 四方逆 Heusler 合金的设计，该合金能够承载磁性反斯格明子，其稳定性对弹性应变敏感。我们首先构建一个通用磁哈密顿量，捕捉这些材料中可能出现的短程和长程磁序。该模型揭示了接近磁相边界所必需的关键磁相互作用组合，其中磁结构极易受到弹性应变等小扰动的影响。然后，我们通过计算搜索可以实现这些关键相互作用的四元 Mn 2 (X 1 , X 2 ) Y 合金，这些合金很可能在逆 Heusler 结构中合成。我们认为 Mn2Pt1-zXzGa 材料系列（其中 X = Au、Ir、Ni）是获取所有可能磁相的理想系统，具有几种可以通过机械方式驱动磁相变的关键组成。
![arXiv:2104.10866v2 [quant-ph] 2021 年 4 月 30 日](/simg/4\4e574444ac8e902f21cadc860885a457017966e8.webp)
arXiv:2104.10866v2 [quant-ph] 2021 年 4 月 30 日
随着量子计算机的大小和复杂度增加，量子位 (qubit) 表征和门优化成为复杂且耗时的任务。当前的校准技术需要复杂而繁琐的测量来调整量子位和门，无法轻易扩展到大规模量子系统。我们开发了一种简洁的自动校准协议来表征量子位并优化门，使用 QubiC，这是一种基于开源 FPGA（现场可编程门阵列）的超导量子信息处理器控制和测量系统。我们提出了基于多维损失的单量子位门优化和双量子位 CNOT 门校准的全 XY 平面测量方法。我们证明 QubiC 自动校准协议能够在劳伦斯伯克利国家实验室的高级量子测试平台上运行的最先进的 transmon 型处理器上提供高保真门。通过随机基准测试测得的单量子位和双量子位 Clifford 门不保真度为 4。分别为 9(1 . 1) × 10 − 4 和 1 . 4(3) × 10 − 2。
加州大学伯克利分校
随着量子计算机的大小和复杂度增加，量子位 (qubit) 表征和门优化成为复杂且耗时的任务。当前的校准技术需要复杂而繁琐的测量来调整量子位和门，无法轻易扩展到大规模量子系统。我们开发了一种简洁的自动校准协议来表征量子位并优化门，使用 QubiC，这是一种基于开源 FPGA（现场可编程门阵列）的超导量子信息处理器控制和测量系统。我们提出了基于多维损失的单量子位门优化和双量子位 CNOT 门校准的全 XY 平面测量方法。我们证明 QubiC 自动校准协议能够在劳伦斯伯克利国家实验室的高级量子测试平台上运行的最先进的 transmon 型处理器上提供高保真门。通过随机基准测试测得的单量子位和双量子位 Clifford 门不保真度为 4。分别为 9(1 . 1) × 10 − 4 和 1 . 4(3) × 10 − 2。
![arxiv：2502.20283v1 [cond-mat.supr-con] 2025年2月27日](/simg/0\08c6b9675f42c86ba1bdabdba4410446071551f4.webp)
arxiv：2502.20283v1 [cond-mat.supr-con] 2025年2月27日
平面约瑟夫森连接是工程拓扑超导性的关键，但受到面内磁场引起的轨道效应的严重阻碍。在这项工作中，我们通过利用固有的自旋极化带和零净磁化属性来介绍通用的拓扑结构约瑟夫森连接（TAJJS）。我们提出的tajjs有效地减轻了有害的轨道效应，同时在交界处的两端稳健地托管Majorana末端模式（MEMS）。具体而言，我们证明了d x 2 -y 2 -wave tajjs中的mems出现，但在d xy波构型中消失了，从而确立了altermagnet的晶体学方向角度θ作为拓扑的新控制参数。MEMS的独特自旋极化为自旋分辨测量提供了明确的实验特征。此外，通过利用D x 2 -y 2 - y 2波altermagnet之间的协同作用及其超导对应物，我们的建议自然而然地扩展到高t c平台。总的来说，这项工作将Altermagnets建立为实现拓扑超导性的多功能范式，桥接概念创新，具有可伸缩的量子体系结构，这些量子架构没有轨道效应和流浪场。
2023 年 2 月 13 日 – 演讲者：徐胜龙
摘要：NISQ（嘈杂中尺度量子）技术的最新进展和跨学科对话极大地扩展了非平衡量子多体系统的前沿。在本次演讲中，我将讨论量子信息动力学，即投入多体系统的量子量子比特的命运，作为研究这种新动态机制的一般框架。我将展示强相互作用系统中的局部量子信息以普遍的方式传播到非局部自由度，类似于流行病的传播，并在后期被编码在多体希尔伯特空间中。这一过程被称为扰乱，已在冷原子、超导电路、离子阱和固态核磁共振实验中观察到。扰乱量子信息的非局部性质使其更耐噪声，但解码起来却更具挑战性。我将介绍我们在原型多体模型（二维量子 XY 模型）中解码和传送量子信息的最新进展，使用精确的长距离纠缠本征态和局部测量。我们的协议已准备好在当前的 NISQ 设备上执行，并可能为量子信息处理开辟新的可能性。
引用: 张 HC、马 XY、蒋 CP、尹 JL、吕 S、鲁 SY、商 XT、曼 BW、张 C、李 DD、李 SH、陈 WJ、刘 HX、王 GF、曹 KH、ZH
磁性随机存取存储器 (MRAM) 作为一种新兴的非挥发性存储器，具有读写速度快、耐久性高、存储时间长、功耗低等特点，几年前就引起了台积电、三星、格罗方德等大型半导体代工厂的极大兴趣 [1−5]。一方面，MRAM 的高性能特性使其成为 28nm CMOS 技术节点以下嵌入式闪存 (e-flash) 的重要替代解决方案，而 e-flash 存在严重的经济障碍，阻碍了其进一步微缩 [6]。另一方面，MRAM 的目标是成为静态随机存取存储器 (SRAM) 等工作存储器的替代品，以解决先进 CMOS 节点中可能出现的严重漏电问题 [7,8]。然而，由于速度限制和耐久性问题，很难取代L1或L2缓存SRAM，尤其是对于两端自旋转移矩（STT）MRAM [ 9 − 11 ] 。因此，需要进一步探索下一代MRAM器件。
引用: 张 HC、马 XY、蒋 CP、尹 JL、吕 S、鲁 SY、商 XT、曼 BW、张 C、李 DD、李 SH、陈 WJ、刘 HX、王 GF、曹 KH、ZH
磁性随机存取存储器 (MRAM) 作为一种新兴的非挥发性存储器，具有读写速度快、耐久性高、存储时间长、功耗低等特点，几年前就引起了台积电、三星、格罗方德等大型半导体代工厂的极大兴趣 [1−5]。一方面，MRAM 的高性能特性使其成为 28nm CMOS 技术节点以下嵌入式闪存 (e-flash) 的重要替代解决方案，而 e-flash 存在严重的经济障碍，阻碍了其进一步微缩 [6]。另一方面，MRAM 的目标是成为静态随机存取存储器 (SRAM) 等工作存储器的替代品，以解决先进 CMOS 节点中可能出现的严重漏电问题 [7,8]。然而，由于速度限制和耐久性问题，很难取代L1或L2缓存SRAM，尤其是对于两端自旋转移矩（STT）MRAM [ 9 − 11 ] 。因此，需要进一步探索下一代MRAM器件。