图1:超导量子处理器的布局和架构。(a)2D超导量子处理器的示意图。橙色十字代表以8×8阵列排列的量子位。灰色圆圈是通过孔(25)进行3D接线。未显示接线的电极以简化。(b)量子阵列单元的电路图。每个量子位(橙色)都有一个用于微波炉和脉冲控制的XY Z控制线(黑色)。将量子夫妇伴侣与单个λ/ 4读出谐振器(黄色),又通常耦合到过滤器(绿色)。通过λ/ 2耦合谐振器(蓝色),两个相邻的量子位分散耦合。(c)Qubits的标签。两个损坏的量子位,即U03Q2和U22Q1,标记为蓝色。
本书广泛回顾了许多技术及其在凝聚态系统中的应用,首先回顾了热力学和统计力学,然后介绍实时和虚时路径积分以及欧几里得量子力学和统计力学之间的联系。本书还详细研究了 Ising、规范-Ising 和 XY 模型。本书开发了重正化群并将其应用于临界现象、费米液体理论和场论的重正化。接下来,本书探讨了玻色子化及其在一维费米子系统中的应用以及均质和随机键 Ising 模型的关联函数。最后介绍了 Bohm-Pines 和 Chern-Simons 理论在量子霍尔效应中的应用。本书向读者介绍了各种技术,为理论、统计和凝聚态物理学的研究生和研究人员开辟了凝聚态理论的广阔领域。
在微电子领域,铜线越来越多地代替金线用于制作键合互连。在这些应用中使用铜有许多潜在的好处,包括更好的电气和机械性能以及更低的成本。通常,导线键合到铝接触垫上。然而,人们对导线/垫界面处 Cu/Al 金属间化合物 (IMC) 的生长了解甚少,如果过度生长,会增加接触电阻并降低键合可靠性。为了研究 Cu 球键合中 Cu/Al IMC 的生长,在 250 C 下高温老化长达 196 小时,以加速键合的老化过程。然后记录了 Cu/Al IMC 的生长行为,并获得了 6.2 ± 1.7 · 10 14 cm 2 /s 的 IMC 形成速率。除了垂直于键合界面的常规 yz 平面横截面外,还报告了平行于界面层的 xy 平面横截面。在光学显微镜下,在球键合 xy 平面横截面上,Cu/Al 界面处有三层 IMC 层,它们的颜色不同。微 XRD 分析结果证实,Cu 9 Al 4 和 CuAl 2 是主要的 IMC 产物,而发现第三相,可能是 CuAl。在老化过程中,IMC 膜从键合外围开始生长,并向内传播至中心区域。随后,随着老化时间的增加,在 IMC 层和 Cu 球表面之间观察到空洞,也是从键合外围开始。空洞最终连通并向中心区域发展,导致球和金属间层之间几乎完全断裂,这是 81 小时后观察到的。2007 Elsevier Ltd. 保留所有权利。
耐电弧性 IPC-650 2.5.1 秒 >180 秒 >180 弯曲强度 (MD) IPC-650 2.4.4 psi >23,000 N/mm 2 >159 弯曲强度 (CD) IPC-650 2.4.4 psi >19,000 N/mm 2 >131 剥离强度 (1 盎司 ED) IPC-650 2.4.8 磅/英寸 12 N/mm 2.1 热导率 ASTM F 433 W/M*K 0.19 W/M*K 0.19 热膨胀系数 (XY 轴) ASTM D 3386 (TMA) ppm/ ° C 21-23 ppm/ ° C 21-23 热膨胀系数 (Z 轴) ASTM D 3386 (TMA) ppm/ ° C 215 ppm/ ° C 215 可燃性等级UL 94 V-0 V-0
配分函数在物理学中无处不在:它们对于确定多体系统的热力学性质和理解其相变非常重要。正如 Lee 和 Yang 所展示的,将配分函数解析地延续到复平面使我们能够获得其零点,从而获得整个函数。此外,这些零点的缩放和性质可以阐明相变。在这里,我们展示了如何以可扩展的方式在嘈杂的中型离子阱量子计算机上找到配分函数零点,使用 XXZ 自旋链模型作为原型,并观察它们从类 XY 行为到类 Ising 行为的转变,这是各向异性的函数。虽然量子计算机还不能扩展到热力学极限,但我们的工作为随着硬件的改进而实现这一目标提供了一条途径,使未来能够计算超越经典计算极限的系统的临界现象。
[1]免责声明:此数据表中发布的所有数据仅用于参考目的,不足以设计或认证零件。对这些结果没有保证或保证。[2]界限是基于每个人群的一个标准偏差,每个人的每个方向都有十个样本。测试样品为6.35毫米直径的圆形条,从优惠券加工了75×13×75 mm(x,y,z)。方向XY数据是X和Y水平构建方向的平均值。[3]所有TI-6AL-4V批次的真空热处理应根据AMS 2801进行,在800±10°C的温度下真空(1.3x10-3至1.3x10-5 Mbar)下进行。在温度下保持2小时±30分钟,然后在惰性氩气气氛下冷却,以相当于空气冷却或更快的速度
使用基本代数方法在系统的完整希尔伯特空间中提供了有限温度下的可集成旋转链的确切描述。我们对自旋链模型进行了填充,这些模型接受了自由费的描述,包括范式示例,例如一维横向尺寸量子量子和XY模型。确切的分区函数是得出的,并将其与无处不在的近似值进行了比较,在这种近似中,仅考虑了能量谱的正差异部门。在低温下的临界点附近发现了由于这种近似而产生的误差。我们进一步提供了在热平衡处的一类可观察力的全部计数统计数据,并详细介绍了横向字形量子质量链中的扭结数和横向磁化的方法分布。
图1:Linbo 3元图操作原理和几何形状。a)在元时间播放中播放的差异机制的草图。在角度频率ω处的泵撞击了linbo 3纳米圆柱上的泵,该泵从基板侧碰撞。在角频率2Ω下生成的Sh从零差顺序中删除,并归因于第一个差异顺序,这要归功于单个纳米柱的发射模式之间的干扰。b)直径为15 µm的已实现的跨膜的电子显微镜图像。 c)纳米圆柱的变焦,显示了在过程结束时获得的约80°侧壁倾斜度和顶部。每个纳米氏菌的基本半径为175 nm,高度为420 nm,阵列p为590 nm。元表面位于XY笛卡尔平面,沿Z的Linbo 3的非凡轴。
v。“ PC卡和钥匙锁”被照亮。8。验证“排放电流”旋钮是完全逆时针的。9。通过在高压控制器上降低“ HV ON”按钮来打开高压。10。通过抑制枪支控制器上的“枪1 FIL”按钮来打开灯丝。11。通过将快门开关向上推上快门控制器上的快门打开。12。通过从视图端口查找灯丝并确保来自灯丝区域的白光就可以通过。13。在枪支控制器上慢慢推进“排放电流”,直到您只能在看着顶视图端口时看到坩埚上的蓝光斑点。14。通过在您想要的设置上调节XY控制器上的LAT和长光束位置,将光束放在坩埚内的金属上。警告:横梁斑点绝不应在任何时间或位置与坩埚墙或炮塔接触。
表示在jmax=12处截断。我们还发现谱函数与频率的比值ρxyðωÞω在频率较小时呈现峰结构。在更大格子上超过jmax=12后,精确对角化方法和简单矩阵乘积态经典模拟方法都需要指数增长的资源。因此,我们开发了一种量子计算方法来计算延迟格林函数,并分析了计算的各种系统性,包括jmax截断和有限尺寸效应、Trotter误差和热态制备效率。我们的热态制备方法仍然需要随着格子尺寸呈指数增长的资源,但在高温下具有非常小的前因子。我们在Quantinuum模拟器和IBM模拟器上对小格子进行了测试,得到了与经典计算结果一致的结果。