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金融制裁目标综合清单...
出生日期：1960 年 3 月 10 日。出生地：霍姆斯 地址：CERS，科学研究中心，Kaboun 研究中心，Barzar 街，邮政信箱 4470，叙利亚大马士革。职位：叙利亚科学研究中心 (SSRCC/CERS) 朱姆拉亚/吉姆拉亚附近分支机构的经理 其他信息：（英国制裁名单编号）：SYR0052。（英国理由陈述）：指定的叙利亚科学研究中心 (SSRC/CERS) 朱姆拉亚/吉姆拉亚附近分支机构的经理。他参与了化学武器的扩散和化学武器袭击的组织，包括 2013 年 8 月在 Ghouta 的袭击。因此，他对针对叙利亚人民的暴力镇压负有部分责任。作为 Jumraya/Jmraiya 附近 SSRC/CERS 分支机构的经理，Ghassan Abbas 为叙利亚政权提供支持。由于他在 SSRC 担任高级职务，他还与指定实体 SSRC 有联系。(性别)：男 列入日期：2015 年 3 月 9 日 英国制裁名单 指定日期：2020 年 12 月 31 日 最后更新：2021 年 2 月 18 日 组 ID：13229。3.名称 6：ABBAS 1：YASIR 2：n/a 3：n/a 4：n/a 5：n/a。
英国金融制裁目标综合名单
出生日期：1960 年 3 月 10 日。出生地：霍姆斯 地址：CERS，科学研究中心，Kaboun 研究中心，Barzar 街，邮政信箱 4470，叙利亚大马士革。 职位：叙利亚科学研究中心 (SSRCC/CERS) 朱姆拉亚/吉姆拉亚附近分部的经理 其他信息：（英国制裁名单编号）：SYR0052。（英国理由陈述）：指定叙利亚科学研究中心 (SSRC/CERS) 朱姆拉亚/吉姆拉亚附近分部的经理。他参与了化学武器扩散和化学武器袭击的组织，包括 2013 年 8 月在 Ghouta 的袭击。因此，他对针对叙利亚人民的暴力镇压负有责任。作为 SSRC/CERS 朱姆拉亚/吉姆拉亚附近分部的经理，Ghassan Abbas 为叙利亚政权提供支持。由于他在 SSRC 担任高级职务，他还与指定实体 SSRC 有联系。(性别)：男 列入名单日期：2015 年 3 月 9 日 英国制裁名单 指定日期：2020 年 12 月 31 日 最后更新：2021 年 2 月 18 日 团体 ID：13229。3. 名称 6：ABBAS 1：YASIR 2：n/a 3：n/a 4：n/a 5：n/a。
英国金融制裁目标综合名单 - gov.uk
出生日期：1960 年 3 月 10 日。出生地：霍姆斯 地址：CERS，科学研究中心，Kaboun 研究中心，Barzar 街，邮政信箱 4470，叙利亚大马士革。 职位：叙利亚科学研究中心 (SSRCC/CERS) 朱姆拉亚/吉姆拉亚附近分部的经理 其他信息：（英国制裁名单编号）：SYR0052。（英国理由陈述）：指定叙利亚科学研究中心 (SSRC/CERS) 朱姆拉亚/吉姆拉亚附近分部的经理。他参与了化学武器扩散和化学武器袭击的组织，包括 2013 年 8 月在 Ghouta 的袭击。因此，他对针对叙利亚人民的暴力镇压负有责任。作为 SSRC/CERS 朱姆拉亚/吉姆拉亚附近分部的经理，Ghassan Abbas 为叙利亚政权提供支持。由于他在 SSRC 担任高级职务，他还与指定实体 SSRC 有联系。(性别)：男 列入名单日期：2015 年 3 月 9 日 英国制裁名单 指定日期：2020 年 12 月 31 日 最后更新：2021 年 2 月 18 日 团体 ID：13229。3. 名称 6：ABBAS 1：YASIR 2：n/a 3：n/a 4：n/a 5：n/a。
英国金融制裁目标综合名单 - gov.uk
出生日期：1960 年 3 月 10 日。出生地：霍姆斯 地址：CERS，科学研究中心，Kaboun 研究中心，Barzar 街，邮政信箱 4470，叙利亚大马士革。 职位：叙利亚科学研究中心 (SSRCC/CERS) 朱姆拉亚/吉姆拉亚附近分部的经理 其他信息：（英国制裁名单编号）：SYR0052。（英国理由陈述）：指定叙利亚科学研究中心 (SSRC/CERS) 朱姆拉亚/吉姆拉亚附近分部的经理。他参与了化学武器扩散和化学武器袭击的组织，包括 2013 年 8 月在 Ghouta 的袭击。因此，他对针对叙利亚人民的暴力镇压负有责任。作为 SSRC/CERS 朱姆拉亚/吉姆拉亚附近分部的经理，Ghassan Abbas 为叙利亚政权提供支持。由于他在 SSRC 担任高级职务，他还与指定实体 SSRC 有联系。(性别)：男 列入名单日期：2015 年 3 月 9 日 英国制裁名单 指定日期：2020 年 12 月 31 日 最后更新：2021 年 2 月 18 日 团体 ID：13229。3. 名称 6：ABBAS 1：YASIR 2：n/a 3：n/a 4：n/a 5：n/a。
金融制裁目标综合名单......
出生日期：1960 年 3 月 10 日。出生地：霍姆斯 地址：CERS，科学研究中心，Kaboun 研究中心，Barzar 街，邮政信箱 4470，叙利亚大马士革。 职位：叙利亚科学研究中心 (SSRCC/CERS) 朱姆拉亚/吉姆拉亚附近分部的经理 其他信息：（英国制裁名单编号）：SYR0052。（英国理由陈述）：指定叙利亚科学研究中心 (SSRC/CERS) 朱姆拉亚/吉姆拉亚附近分部的经理。他参与了化学武器扩散和化学武器袭击的组织，包括 2013 年 8 月在 Ghouta 的袭击。因此，他对针对叙利亚人民的暴力镇压负有责任。作为 SSRC/CERS 朱姆拉亚/吉姆拉亚附近分部的经理，Ghassan Abbas 为叙利亚政权提供支持。由于他在 SSRC 担任高级职务，他还与指定实体 SSRC 有联系。(性别)：男 列入名单日期：2015 年 3 月 9 日 英国制裁名单 指定日期：2020 年 12 月 31 日 最后更新：2021 年 2 月 18 日 团体 ID：13229。3. 名称 6：ABBAS 1：YASIR 2：n/a 3：n/a 4：n/a 5：n/a。
中国将加强全球经济合作
作者：亚西尔·马苏德 编者注：作者是驻伊斯兰堡的政治和安全分析师。他也是一名学者和广播记者。他的兴趣包括中国事务、一带一路和中巴经济走廊。本文仅代表作者的观点，不一定代表中国经济网的观点。 在全球范围内，中国将继续加强与世界的经贸合作，并刺激高水平开放，以实现全面改革和高质量增长。根据 3 月 5 日在北京举行的今年第十三届全国人民代表大会开幕式上发表的政府工作报告，中国随时准备与国际社会所有其他国家合作，为促进世界和平、稳定、发展和繁荣作出新的更大贡献。而在国内，财政和货币政策将被用来维持长期增长，而不会影响中国经济的基本面。区域全面经济伙伴关系 (RCEP) 促成了世界上最大的自由贸易区的形成。报告指出，中国企业家应利用RCEP的优惠关税和其他规定拓展业务。中国继续支持多边贸易体制，积极参与世贸组织改革，也乐于与各国合作，促进互利关系，为所有利益相关方创造双赢局面。
硫退火对石墨烯对过渡金属生长的影响
Dichalcogenides (TMDCs) Ahmad Nizamuddin bin Muhammad Mustafa Sami Ramadan 1 , Peter K. Petrov 1 , Huanyu Zhou 1 , Giuseppe Mallia 1 , Nicholas Harrison 1 , Yasir Noori 2 , Shibin Thomas 2 , Victoria Greenacre 2 , Gill Reid 2 , Philip N Bartlett 2 , Kees de Groot 2 , Norbert Klein 1 1 Imperial College London, London, United Kingdom 2 University of Southampton, Southampton, United Kingdom a.bin-muhammad-mustafa21@imperial.ac.uk Two-dimensional (2D) heterostructures composed of graphene and Transition Metal Dichalcogenides (TMDCs) have garnered significant attention owing to their unique physics and potential applications in diverse设备。TMDC，包括MOS 2，WS 2，Mose 2和WSE 2，由于其带隙范围和强烈的轻度 - 互动，因此对电子和光电应用受到了电子和光电应用的青睐。TMDC和石墨烯中都没有悬空键，允许在异质结构中无缝集成，与单物质构型相比，为出色的设备铺平了道路。在使用机械去角质堆叠单个层的同时，化学蒸气沉积（CVD），电沉积和原子层沉积的最新进展为大面积的生长和可伸缩性提供了希望[1] [2]。但是，需要在生长后或生长后的高温暴露，可能会改变石墨烯的特性。我们研究了硫退火对石墨烯对TMDCS生长的电和结构特性的影响。在各种条件下，在温度范围为300-800°C的温度下进行系统退火。参考我们的发现表明，真空退火在石墨烯中诱导蚀刻，这会因硫种类的存在而加剧，从而导致电性能显着降解（图1）。值得注意的是，用自组装单层涂层的石墨烯会减轻这种降解，从而使高质量TMDC在石墨烯上沉积。MOS 2和WS 2对石墨烯的电沉积，然后进行硫退火后处理证明了该策略的功效。这项研究阐明了硫退火在影响石墨烯质量中的关键作用，并为TMDC在石墨烯上的生长铺平了道路，用于高性能电子应用。