机构名称：
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Dichalcogenides (TMDCs) Ahmad Nizamuddin bin Muhammad Mustafa Sami Ramadan 1 , Peter K. Petrov 1 , Huanyu Zhou 1 , Giuseppe Mallia 1 , Nicholas Harrison 1 , Yasir Noori 2 , Shibin Thomas 2 , Victoria Greenacre 2 , Gill Reid 2 , Philip N Bartlett 2 , Kees de Groot 2 , Norbert Klein 1 1 Imperial College London, London, United Kingdom 2 University of Southampton, Southampton, United Kingdom a.bin-muhammad-mustafa21@imperial.ac.uk Two-dimensional (2D) heterostructures composed of graphene and Transition Metal Dichalcogenides (TMDCs) have garnered significant attention owing to their unique physics and potential applications in diverse设备。TMDC，包括MOS 2，WS 2，Mose 2和WSE 2，由于其带隙范围和强烈的轻度 - 互动，因此对电子和光电应用受到了电子和光电应用的青睐。TMDC和石墨烯中都没有悬空键，允许在异质结构中无缝集成，与单物质构型相比，为出色的设备铺平了道路。在使用机械去角质堆叠单个层的同时，化学蒸气沉积（CVD），电沉积和原子层沉积的最新进展为大面积的生长和可伸缩性提供了希望[1] [2]。但是，需要在生长后或生长后的高温暴露，可能会改变石墨烯的特性。我们研究了硫退火对石墨烯对TMDCS生长的电和结构特性的影响。在各种条件下，在温度范围为300-800°C的温度下进行系统退火。参考我们的发现表明，真空退火在石墨烯中诱导蚀刻，这会因硫种类的存在而加剧，从而导致电性能显着降解（图1）。值得注意的是，用自组装单层涂层的石墨烯会减轻这种降解，从而使高质量TMDC在石墨烯上沉积。MOS 2和WS 2对石墨烯的电沉积，然后进行硫退火后处理证明了该策略的功效。这项研究阐明了硫退火在影响石墨烯质量中的关键作用，并为TMDC在石墨烯上的生长铺平了道路，用于高性能电子应用。
硫退火对石墨烯对过渡金属生长的影响
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