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引用：MCHIHI M. M.，Olatunde A. M.，Odozi N. W.（2024）Ficus Sur介导的中孔ZnO纳米颗粒的合成和新型的ZnO/Arginine/Arginine/Tyrosi
摘要：使用X射线衍射（ZNONP）和合成的ZnO/精氨酸/酪氨酸/酪氨酸纳米复合材料（ZAT）的合成合成的ZnO纳米粒子（ZnONPS）（ZAT），使用X射线衍射（XRD），傅立叶衍射（XRD），傅立叶变换（FTIR）光谱（FTIR）光谱，扫描电子显微镜（SEM），EDRAREN MICROSCOPY（SEM），RECTER（SEM），RESCERES（SEM），RESCERIVES（SEMREX），RESCERIVES（SEMREX）群集（启用元件盒零件盒零件盒）荧光（XRF），动态光散射（DLS）和Brunauer-Emmett-Teller（BET）分析。使用电位动力学极化（PDP），电化学阻抗光谱（EIS），重量分析和原子吸收光谱（AAS）研究了ZnONP和ZAT在1 M HCl中的腐蚀抑制疗效。XRD分析表明，Znonps和Zat是晶体的，平均结晶石尺寸分别等于28.57 nm和32.65 nm。从DLS分析中发现，ZnONP和ZAT的流体动力大小分别为34.99 d.nm和36.57 d.nm。XRF确认Znonps的合成和证实的XRD，FTIR和EDX结果。PDP分析表明，Znonps和Zat显示出混合型抑制剂倾向。 腐蚀电流密度（ICORR）在存在ZnONP和ZAT的情况下降低，在每个抑制剂的1000 ppm存在下，抑制效率分别为92.4％和98.5％。 电荷转移电阻值在存在抑制剂的情况下降低，这表明在碳钢表面形成保护膜。 电化学分析结果与重量法和AAS分析结果一致。PDP分析表明，Znonps和Zat显示出混合型抑制剂倾向。腐蚀电流密度（ICORR）在存在ZnONP和ZAT的情况下降低，在每个抑制剂的1000 ppm存在下，抑制效率分别为92.4％和98.5％。电荷转移电阻值在存在抑制剂的情况下降低，这表明在碳钢表面形成保护膜。电化学分析结果与重量法和AAS分析结果一致。
热处理对电子束蒸发纳米晶体ZnO膜特性的影响
氧化锌薄膜在室温下通过电子束蒸发在玻璃基板上生长，然后在不同温度下在250至550 c的不同温度下退火压力600 mbar退火。薄膜的电气，光学和结构特性，例如电阻率，光透射率，带隙和晶粒尺寸，这是退火温度的函数。X射线衍射表明，最大强度峰对应于（002）在各种温度下退火的ZnoFILM的主要方向。最大宽度的全宽度，在退火处理后减少，这证明了晶体质量的改善。扫描电子显微镜图像表明，通过增加退火温度，晶粒尺寸变得更大，并且该结果与X射线衍射分析一致。由Elsevier Ltd.
Grafena氧化物（GO）的合成和GO/ZnO作为
氧化墨氧化物（GO）可以用作光催化剂材料，因为它具有将几种类型的有机染料（如蓝色甲基）脱色的能力。在这项研究中，使用鹰嘴豆的修改程序从石墨中合成了GO。然后，通过添加NH 4 OH溶液将GO/ZnO复合样品沉淀出来，将所得的GO样品与Zn溶液（第3号）2.6H 2 O 0.1 m组成。GO/ZnO沉积物的pH pH被中和，然后在70ºC下干燥8小时。GO和GO/ZnO样品。XRD结果表明，已经形成了GO和复合样品。，但所产生的GO仍然不是纯净的。然后将GO和GO/ZnO用作光催化剂，以脱色蓝甲基溶液（MB），并照射可见光和阳光。最佳条件光学样品GO，GO/ZnO和ZnO可以将蓝甲基溶液脱色10 ppm，一排可见光为98.15％，97.76％和90.92％，而阳光为99.16％，98.35％，98.35％，以及99,01％的99,01％，占180分钟以上。
AL2O3/ZnO复合材料用于电池安全应用的传感器：实验和理论研究
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绿色合成ZnO涂层杂交生物炭，用于在废水中同步去除环丙沙星和四环素
补充，它们在环境中的存在导致水生毒性，遗传毒性。增加了6,7人口增加并继续使用，再加上偶然的排放量将导致这些物种进一步增加。一旦这些污染物达到水源，它们就可以转移到其他非点源。抗生素尤其是很难降解，而30％至90％的剂量在有机体中仍未得到贡献。6抗生素作为良好健康的启动子的广泛使用可确保它们不断使用并以使用形式或有时更毒性的代谢物形式出现到环境中。它们的有毒作用以及对环境的不断投入的影响，导致了政策制定者，政府机构和科学界社区，以促进技术和策略，以治疗这些物质污染的水域。8
利用凤凰木和白菜叶提取物绿色合成 ZnO 纳米粒子
摘要 随着纳米粒子在研究领域的应用越来越受到关注，本研究旨在评估两种植物来源凤凰木和白菜的化学和绿色合成氧化锌纳米粒子 (ZnO NPs) 的体外抗菌特性。叶提取物中的生物活性化合物可用于稳定纳米粒子。使用紫外-可见分光光度法 (UV-vis)、X 射线衍射 (XRD) 和扫描电子显微镜 (SEM) 来阐明合成的 ZnO NPs 的光学和结构特性。通过琼脂盘扩散试验评估了 ZnO NPs 对两种致病菌株的体外抗菌潜力：蜡状芽孢杆菌（一种革兰氏阳性动物病原体）和丁香假单胞菌（一种革兰氏阴性植物病原体），这是一种全面的方法。在 250 至 400 nm 范围内测量紫外-可见光谱，并通过 XRD 分析晶体结构。能量色散 X 射线光谱 (SEM-EDS) 分析证实了合成的 ZnO NPs 的所有三个样品的纳米结构具有部分纳米薄片和聚集体。D. elata ZnO NPs 对两种细菌菌株的抗菌活性相对高于 G. cusimbua ZnO NPs。因此，植物基纳米粒子可能是开发多功能且环保的生物医学产品的绝佳策略。由于它们具有预先存在的药用特性，它们具有额外的优势，这使得它们成为广泛使用的化学合成纳米粒子的更合适的替代品。关键词：凤凰木、白菜、氧化锌纳米粒子、抗菌活性、蜡状芽孢杆菌、丁香假单胞菌。
利用化学浴沉积法合成 ZnO 薄膜并研究物理化学性质
使用化学浴沉积合成 ZnO 薄膜并研究物理化学性质 Pooja B.更多，1 Sanjay B. Bansode，1 Mariya Aleksandrova，2 Sandesh R. Jadkar 1 和 Habib M. Pathan 1，* 摘要 在目前的研究中，我们在 70°C 温度下通过化学浴沉积法 (CBD) 在 FTO（氟掺杂氧化锡）基板上合成了 ZnO 薄膜。X 射线衍射研究表明，ZnO 薄膜具有六方纤锌矿结构，沿 (002) 方向有纹理。此外，扫描电子显微镜证实了沿垂直（c 轴）方向取向的微米级棒的形成。此外，还检查了各种光学和光电化学 (PEC) 特性。从紫外-紫外光谱分析可知，ZnO 薄膜的光学带隙为 3.1 eV。光致发光光谱显示，沉积的薄膜在紫外区具有尖锐的发射，在可见光区具有宽发射，这可能与 ZnO 中的缺陷有关。电化学阻抗谱表明，在光照下，ZnO 薄膜表现出较高的光电流密度的 PEC 性能。计时电流法显示，光电流密度随时间变化的稳定性测试为 60 μA/cm 2 。此外，莫特-肖特基曲线证实，沉积的 ZnO 薄膜为 n 型，载流子密度为 8.55×10 18 cm -3 。
氧化石墨烯与ZnO纳米颗粒的影响对其光催化，抗菌和抗氧化活性
（2024年9月11日收到； 2024年11月20日修订； 2024年11月20日接受）摘要。氧化锌纳米颗粒（ZnO-NP）是一种可生物降解且与生物系统具有低毒性和高兼容性的纳米材料。它们似乎具有生物医学和光催化应用的巨大潜力，尤其是与其他金属氧化物纳米材料相比。此外，ZnO-NP具有强大的紫外线（UV）吸收特性，具有成本效益，并且易于合成。但是，纯ZnO-NP具有多个局限性，包括宽的能量带隙，高激发结合能，可见范围内的光催化活性差以及限制其应用的显着电子孔重组。为了解决这些局限性，本研究成功地将氧化石墨烯（GO）纳入ZnO-NP。增加4％的速度将能源差距从2.87 eV减少到2.20 eV，从而大大增强了其活动。由于整合，它们的光催化活性增强了，在80分钟可见光暴露后，降解了98％的亚甲基蓝色染料。此外，GO融合增加了其抗氧化活性，将其半最大抑制浓度（IC 50）从38.38％增加到51.60％。与纯ZnO-NP相比，纳米复合材料表现出优异的抗菌活性，并表明通过GO整合增强了抗菌作用。这些增强归因于改善的带隙，稳定性，表面功能和纳米复合形态，如各种表征方法所证实。关键词：抗菌，抗氧化剂，染料降解，GO/ZnO纳米复合材料，反应性氧
铝掺杂对ZnO薄膜光学，电气和气体传感特性的影响
这项研究探索了铝掺杂对ZnO薄膜光学和电气性能的影响，以及它们的气感应能力，特别是对血清的响应。薄膜，然后在500°C下退火，其掺杂浓度变化（0％，0.5％，1％，1％，1.5％，2％和2.5％）。结果表明，较高的Al掺杂提高了透射率，这可能是由于结晶度增强和爆发蛋白 - 莫斯效应所致，而2.5％的Al掺杂ZnO表现出最高的透射率约为85％。折射率和灭绝系数分析表明，在较高的掺杂水平下，光吸收和散射降低，反映了膜质量的提高。介电常数的实际和虚部也随掺杂而变化，掺杂的ZnO为0.5％，显示了最高的实际部分，表明更好的介电性能。Al掺杂的ZnO膜的光条间隙随着AL浓度的增加而降低，与先前的研究一致，表明电导率的潜在改善。电性能，尤其是I-V特性，表明较高的Al掺杂降低了电导率，这可能是由于电荷载体散射增加所致。气体传感实验表明，2％掺杂的ZnO对血清表现出更高的敏感性，而耐药性随时间和血清体积而变化，突出了ZnO膜及其环境之间的动态相互作用。该研究的发现表明，Al掺杂增强了ZnO薄膜的光学和传感特性，最佳的掺杂浓度约为2％，以最大程度的灵敏度。
通过调整像素密度优化同轴平面栅极氧化锌纳米线场发射阵列的性能
摘要：门控ZnO纳米线场发射阵列在平板X射线源、光电探测器等大面积真空微电子器件中有着重要的应用。由于应用需要高像素密度的场发射阵列，因此需要研究像素密度对门控ZnO纳米线场发射性能的影响。本文模拟了在保持横向几何参数成比例的情况下不同像素尺寸下同轴平面门控ZnO纳米线场发射阵列的性能，获得了发射电流和栅极调制随像素尺寸的变化曲线。利用所获得的器件参数，制备了同轴平面门控ZnO纳米线场发射阵列。场发射测量结果表明，当栅极电压为140 V时，制备的ZnO纳米线场发射阵列的电流密度为3.2 mA/cm 2，跨导为253 nS，表明栅极控制有效。性能的提高归因于优化的栅极调制。