利用 Mainz Microtron MAMI 新开发的 530 MeV 正电子束和弯曲硅晶体,我们首次成功通过平面通道和体积反射高效操纵正电子轨迹。这揭示了带电粒子在弯曲晶体平面之间通道时,其角分布中存在精细结构。我们的实验结果与模拟结果的一致不仅表明对带电粒子束和弯曲晶体之间相互作用的理解更加深刻,而且标志着在 GeV 范围内运行的圆形加速器中慢速提取创新方法开发的新阶段,对全球加速器都有影响。我们的研究结果还标志着通过周期性弯曲晶体中的通道过程生成先进 x 射线源的重大进展,这源于对正电子束和此类晶体之间相互作用的全面理解。
先进材料可以通过减少对欧盟政策战略领域技术供应和价值链中 CRM 的依赖来降低供应风险。这将加强欧洲在绿色和数字化转型所需的新兴技术领域的自主性和竞争力。《关于工业领导地位的先进材料》通报 (COM (2024) 98) 旨在为欧洲先进材料创建一个充满活力、安全和包容的生态系统,确保在研究方面的领导地位,并将创新快速推向单一市场。该通报重点介绍了四个战略领域的研发重点初步清单:能源、移动性、建筑和电子。
使用基于线性的频道和基于规则的算法的硅晶片制造中的表面缺陷分类,在硅晶片制造中,在硅晶片制造中使用基于线性的信道和基于基于规则的固定算法的硅晶片制造中的基于线性的基于线性的频道渠道晶体轴向循环和基于规则的基于基于规则的灯泡的局限性的线化算法在硅晶片制造中使用基于线性的旋转算法进行了表面缺陷分类,并 Rule-Based Binning Algorithms Surface Defect Classification in Silicon Wafer Manufacturing Using the Linear-Based Channeling and Rule-Based Binning Algorithms Surface Defect Classification in Silicon Wafer Manufacturing Using the Linear-Based Channeling and Rule-Based Binning Algorithms Surface Defect Classification in Silicon Wafer Manufacturing Using the Linear-Based Channeling and Rule-Based Binning Algorithms Surface Defect Classification in Silicon Wafer Manufacturing Using the基于线性的渠道和基于规则的包裹算法,使用基于线性的渠道和基于规则的双钉算法在硅晶片制造中进行表面缺陷分类,并使用基于线性的信中的硅晶状体和基于规则的基于基于线性的基于线性的基于硅的渠道临床构造的硅化算法分类的硅晶片制造中的硅晶片制造中的表面缺陷分类,并使用基于线性的渠道和基于规则的算法的晶圆制造,使用基于线性的渠道和基于规则的binning算法使用基于线性的频道和基于规则的算法的硅晶片制造中的表面缺陷分类,在硅晶片制造中,在硅晶片制造中使用基于线性的信道和基于基于规则的固定算法的硅晶片制造中的基于线性的基于线性的频道渠道晶体轴向循环和基于规则的基于基于规则的灯泡的局限性的线化算法在硅晶片制造中使用基于线性的旋转算法进行了表面缺陷分类,并 Rule-Based Binning Algorithms Surface Defect Classification in Silicon Wafer Manufacturing Using the Linear-Based Channeling and Rule-Based Binning Algorithms Surface Defect Classification in Silicon Wafer Manufacturing Using the Linear-Based Channeling and Rule-Based Binning Algorithms Surface Defect Classification in Silicon Wafer Manufacturing Using the Linear-Based Channeling and Rule-Based Binning Algorithms Surface Defect Classification in Silicon Wafer Manufacturing Using the基于线性的渠道和基于规则的包裹算法,使用基于线性的渠道和基于规则的双钉算法在硅晶片制造中进行表面缺陷分类,并使用基于线性的信中的硅晶状体和基于规则的基于基于线性的基于线性的基于硅的渠道临床构造的硅化算法分类的硅晶片制造中的硅晶片制造中的表面缺陷分类,并使用基于线性的渠道和基于规则的算法的晶圆制造,使用基于线性的渠道和基于规则的binning算法
已经研究了h和he离子在SIC中的特定能量沉积。实验是在乌普萨拉大学(Uppsala University)350 KeV Danfysik植入器的飞行时间中型能量离子散射系统中在传输几何形状中进行的。目标是一个自支撑,单晶立方3C - SIC(100)箔,标称厚度为200 nm。将测得的停止跨第二次与文献和理论预测可用的数据进行了比较。随机几何形状的结果表明的值比SRIM对H弹丸预测的值略低,而对于HE弹丸,在所研究的整个能量范围内观察到了良好的一致性。对于所有测得的能量以及H和HE离子,与通道几何形状相比,沿随机轨迹观察到更高的特异性能量损失。对于H离子,差异很小,而对于He离子,通常发现它们更为明显。
*通讯作者,电子邮件:cyprian.mieszczynski@ncbj.gov.pl摘要摘要McChasy Code的主要目标是,通过模拟在Cryselline结构和crysefters cryselline cropters cryselline cropters和collesters的过程中,在通道(RBS/c)中记录了Rutherford反向散射光谱实验实验,该光谱实验是在频道/c/c中复制了。该代码的2.0版本提供了模拟大型频道的可能性(Ca.10 8原子)基于晶体学数据或分子动态(MD)计算而创建的任意结构。在这项工作中,我们介绍了代码的当前状态以及最近对镍(Ni)单晶形成的扩展结构缺陷(边缘位错和位错环)的研究结果。描述了两种建模扩展缺陷的方法:一种使用McChasy Code(PEIERLS-NABARRO方法)开发的,另一种是通过MD(LAMMPS代码)对Ni结构进行修改和热化获得的另一种。由局部弹丸 - 通量密度分布在缺陷周围进行了定性和定量研究。1。在过去的几十年中,许多组对不同材料的辐射缺陷进行了广泛的研究。许多作者[1-4]将卢瑟福的反向散射光谱(RBS/C)技术用作分析离子植入单晶的结构特性的标准方法[1-4]。不幸的是,缺乏适当的RBS/C光谱分析和过度简化方法的工具,通常会引起误导性结果。因此,开发一个适当的工具,可以分别针对在研究晶体中形成的各种缺陷进行详细的定量分析。McChasy V.1.0是在八十年代末在国家核研究中心开发的[5,6]。该代码的第一个版本的主要原理是通过模拟He-ions在内部旅行
“通道连接”是视黄酸诱导的羊膜源性多冰层水凝胶上神经干细胞分化的神经元网络形成的共聚焦显微镜图像。使用Tuj1(绿色)标记神经元,而核则使用带有DAPI(蓝色)的Ibidi安装培养基对其进行了反染色。使用具有10倍物镜的900公里共聚焦显微镜的Zeiss LSM获得图像。
图 3:Mb 中能量转导的分子途径。(a)Mb 的结构,不同坐标根据其 PEF 的大小以不同颜色表示。(b)His93 作为血红素和蛋白质骨架之间的连接器(蓝色原子)。标记了对引导血红素能量至关重要的五个内部坐标。(c)仔细观察血红素面向 Mb 内部和外部的部分的 PEF 差异。(d)通过 !! , ! "(蓝色)和 # ! , # " , # #(红色)的 PEF。
摘要:由于其机械性能较弱,因此很难通过使用常规的丙烯酰胺聚合物凝胶来堵塞水洪水期间断裂的低渗透率储层的断裂水通道。对于此问题,添加了微石墨粉,以增强丙烯酰胺聚合物凝胶的全面特性,从而可以改善断裂水通道的堵塞效果。该过程的化学原理是分层微石墨粉末的羟基和羧基可以与聚丙烯酰胺分子链的酰胺基团进行物理化学相互作用。作为刚性结构,石墨粉可以支持原始聚丙烯酰胺分子链的柔性骨骼。通过刚性和柔性结构的协同作用,粘弹性,热稳定性,拉伸性能以及新型凝胶的堵塞能力可以显着增强。与单个丙烯酰胺凝胶相比,在加入3000 mg/L千分钟大小的石墨粉,弹性模量,粘性模量,相变温度,突破压力梯度,断裂时的伸长率和丙烯酰胺凝胶的张力应力都得到了很大改善。将石墨粉添加到聚丙烯酰胺凝胶中后,可以有效地插入断裂水通道。在裂缝中注入的水断裂过程中,网络水流通道的特性很明显。水洪水的突破压力很高。实验结果是试图开发一种新的凝胶材料,以堵塞断裂的低渗透率储层。
扫描电子显微镜 (SEM) 是用于对材料的微观结构和形态进行成像的常用方法之一。在 SEM 中,低能电子束撞击材料并扫描样品表面。当光束到达并进入材料时,会发生各种相互作用,导致样品表面或附近发射光子和电子。为了生成图像,使用不同类型的检测器检测由电子-样品相互作用产生的接收信号,具体取决于所使用的 SEM 模式。有各种 SEM 模式可用于表征材料,包括生物材料。B. X 射线成像、二次电子成像、背散射电子成像、电子通道、俄歇电子显微镜。