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一种具有热致发光功能的可光刻共轭聚合物
光响应性聚合物可通过光图案化方便地用于制造防伪材料。然而，一个尚未解决的问题是环境光和热量会损坏光响应性聚合物上的防伪图案。在此，通过对光响应性共轭聚合物 (MC-Azo) 进行光图案化和热退火，开发了光和热稳定的防伪材料。MC-Azo 在聚合物主链中含有交替的偶氮苯和芴单元。为了制备防伪材料，用偏振蓝光通过光掩模照射 MC-Azo 薄膜，然后在光子印章的压力下进行热退火。该策略生成了一种具有双重图案的高度安全的防伪材料，该材料对阳光和 200°C 以上的热量都很稳定。稳定性的关键在于热退火促进了链间堆积，从而将光响应性 MC-Azo 转化为光稳定材料。稳定性的另一个关键是共轭结构赋予 MC-Azo 良好的热性能。本研究表明，利用热退火促进链间堆积的可光刻共轭聚合物的设计为开发高稳定性和安全性的防伪材料提供了一种新策略。
ISL1抗体（中心） epha7抗体； HRP共轭 山羊抗兔PAI-1抗血清 EPHA7抗体（N-Term） 鼠标PGLYRP1 / PGRP-S蛋白（他的标签）< / div>
相关性受体酪氨酸激酶，该激酶结合了居住在相邻细胞上的混杂GPI锚定的Ephrin-A家族配体，从而导致接触依赖性双向信号传导进入相邻细胞。受体下游的信号通路称为正向信号传导，而ephrin配体下游的信号通路称为反向信号传导。在GPI锚定的Ephrin-A配体中，EFNA5是EFNA7的同源/功能性配体，它们的相互作用调节脑发育调节细胞细胞粘附和排斥。在轴突上具有驱虫活性，例如参与了皮质丘脑轴突的引导以及视网膜轴突对丘的正确地形图。还可以通过caspase（CASP3）依赖性促凋亡活性来调节脑发育。正向信号传导可能会导致ERK信号通路的组件激活，包括MAP2K1，MAP2K2，MAPK1和MAPK3，它们在激活EPHA7时被磷酸化。
电子支持信息的综合信息...
Hao Zhou a , Bing Zhao a , Cheng Fu b , Ziqi Wu a , Chonggang Wang a , Yun Ding a , Bao-Hang
在热电子的共轭聚合物的导热率上
热导率（𝜿）控制热量如何在材料中传播，因此是一个关键参数，它约束光电设备的寿命和热电学（TES）的性能。在有机电子中，了解决定的是难以捉摸且具有实验性挑战。在这里，通过在不同的空间方向上测量𝜿 𝜿 𝜿 𝜿 𝜿 𝜿 𝜿，它可以统计地显示微观结构如何解锁两个明显不同的热运输方式。𝜿在远程有序聚合物中遵循标准的热传输理论：改进的排序意味着更高的𝜿和各向异性增加。𝜿随着骨架，较高的分子量和较重的重复单位而增加。在其中，电荷和热传输齐头并进，可以单独通过胶片纹理将其解耦，并由分子动力学模拟支持。，𝜿与持久性长度和重复单元的质量负相关，因此发现了异常的行为，尽管有用，但却是有用的。重要的是，对于准无形共聚合物（例如，IDT-BT）𝜿随着电荷迁移率的增加而减小，与半晶体对应物（在可比较的电力电导率下）相比，降低了10倍。最后，提供了有机半导体中高和低的特定材料设计规则。
线性共轭四聚体作为表面修饰的层...
表面修饰的层对于钙钛矿太阳能电池的性能和稳定性很重要，但是对表面改性材料的研究仍落后于光伏磁场中的钙钛矿材料。在这项工作中，通过高合成产率的Stille耦合开发了线性共轭的四聚体IDTT4PDI。IDTT4PDI表现出极好的溶解度，热稳定性，合适的Lumo水平（-4.08 eV）和高电子迁移率，这意味着它适合在倒置的钙钛矿太阳能电池中用作表面修饰层。使用IDTT4PDI作为表面修饰的层改善了钙钛矿层和PCBM膜之间的界面接触，减少了陷阱辅助的重组，并提高了电子传输效率。结果，IDTT4PDI-MAPBI 3 PEROVSKITE倒置设备可实现超过20％的效率，该设备远高于控制装置（17％）。这项工作为使用线性二酰亚胺衍生物作为有效的表面修饰材料打开了一个新方向，以实现高效的钙钛矿太阳能电池。
通过弯月面引导涂层方法制备共轭材料
Melissa Richard、Abdulelah Al-Ajaji、Shiwei Ren、Antonino Foti、Jacqueline Tran 等人。通过弯月面引导涂层方法对 π 共轭材料进行大规模图案化。胶体与界面科学进展，2020，275，第102080页。 10.1016/j.cis.2019.102080。 hal-0
低带隙共轭的半导体聚合物
是通过化学，电化学，光或界面效应的半导体材料来实现的。半导体材料的重要参数是带隙（E G），以及最高占用和最低的无占用带与真空的位置。这些带被称为无机半导体的价和传统带。对于有机半导体，定义条带隙的频带通常称为最高的分子轨道（HOMO）和最低的无置分子轨道（Lumo）。半导体聚体的一个优点是能够通过分子设计调整带隙和同型和Lumo水平的位置。与Inor-Ganic半导体相反，化学结构的少量修饰会导致聚合物半导体的电气和光学正确变化。在发现聚乙烯和碘或砷五氟二氟掺杂后的高电导率后，被认为是用于用于抗静态涂料，电池或电池材料的金属的替代品，以作为金属的替代品。 [3]被认为是用于用于抗静态涂料，电池或电池材料的金属的替代品，以作为金属的替代品。[3]
