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ph.D奖学金，“ feps3中的镁 - phonon耦合”
ins6tut laue-langevin Ph.d奖学金“磁成功耦合3”是FEPS 3中的Phonon耦合。该项目结合了先进的冷凝物质计算和最先进的中子散射实验，以研究分层的范德华化合物中磁性和晶体晶格振动之间的相互作用。联系人：合作。托马斯·奥尔森（Thomas Olsen）教授，dtu tolsen@fysik.dtu.dk，Andrew Wildes博士，伊利诺斯（Wildes@ill.fr）博士学位，博士提供了一个独特的机会，可以使用两种第一原理理论方法和中子散射技术在两维材料中对磁性进行尖端研究。该职位将为您提供学术界职业的理想起点，您将获得计算固态物理和最新中子散射方法的高级技能。您正式隶属于这两个机构，但将在ILL雇用并在DTU招募。该项目的主题是分层的van der waals化合物FEPS 3中的磁子和声子之间的复杂相互作用。目前，这些类型的化合物对它们可能被分层为一个原子层，类似于石墨烯。feps 3特别有趣，因为它具有本质上的磁性，可深入了解低维度中的基本磁性，并具有在基于石墨烯的技术中应用的潜力。该化合物也具有高度的磁性性，在磁性和晶体结构之间具有强耦合。该项目结合了两个主要机构的资源。理解化合物特性的关键在于晶格晶格振动（称为声子），被称为磁子（称为镁元），尤其是它们之间的相互作用。目前，这种相互作用在凝聚的物理学中对此尚不清楚。在FEPS 3中研究它们将导致对其物理特性的理解，并将作为更好地理解磁晶格耦合的基础。您将通过以第一原理计算建模为指导的非弹性中子散射实验来研究FEPS 3中的镁 - 光子相互作用。在法国短暂的整合期之后，将在项目开始（六个月）的某个时间上花费在DTU上，专注于学习和应用密度功能理论以分析磁通光谱。剩余时间（2。5年）将用于不良表现和分析中子散射实验，这将不受第一原理模拟的持续支持。因此，在整个项目期间，实验与理论之间将存在很强的相互作用。dtu是全球领先的技术大学，以其研究，教育，创新和科学建议的卓越表现。ILL是中子科学技术领先地位的国际研究中心，经营具有异常高的中子通量和约40个尖端仪器的中子来源。您将成为来自欧洲各地的充满活力和凝聚力的学生的一部分，这些学生有定期的社会和发展活动，并在法国阿尔卑斯山脚下的一个国际化城市体验生活。该项目将使您能够建立研究方向并在欧洲建立联系和合作者网络，并且是磁性和中子散射或以后的职业生涯的绝佳跳板。有关更多信息，请联系：协会。托马斯·奥尔森教授（tolsen@fysik.dtu.dk）
金属中的依赖性电子声子耦合
金属中的声子散射是材料科学中最基本的过程之一。但是，了解此类过程仍然具有挑战性，需要有关声子与电子之间相互作用的详细信息。我们使用超快速电子弥漫性散射技术来解决时间和动量中的飞秒激光器激发剂的钨中的非平衡声子动力学。我们确定声子模式的瞬态群体，这些群体表现出通过电子 - 音波耦合引发的强动量依赖性。对于布里远区域边界附近的声子，我们在大约1皮秒上观察到其人口的短暂上升，这是由强烈的电子 - 音波耦合驱动的，然后在大约8个picsecond的时间表上缓慢衰减，由弱声子 - 音音子释放过程控制。我们发现，隔离这两个过程需要钨的特殊谐波，从而导致纯金中的长期非平衡声子。我们发现电子散射可能是金属声子热传输的决定因素。
通过结构功能耦合预测的认知能力
Marcusstr的Würzburg大学心理学系I。9-11，WürzburgD-97070，德国B心理与脑科学系，印第安纳大学，1101 E. 10 Th Bloomington，Bloomington，47405-7007，美国，约翰娜Popp：Johanna Popp：0000-0003-1704-9890 Jonas Thiele：0000-0003-1704-9890 JOSHU： Faskowitz: 0000-0003-1814-7206 Caio Seguin: 0000-0001-9384-6336 Olaf Sporns: 0000-0001-7265-4036 Kirsten Hilger: 0000-0003-3940-5884 * Corresponding authors: johanna.popp@uni-wuerzburg.de , kirsten.hilger@uni-wuerzburg.de Acknowledgements The authors thank the Human Connectome Project (Van Essen et al., 2013), WU-Minn Consortium (Principal Investigators: David Van Essen and Kamil Ugurbil; 1U554MH091657) funded by the 16 NIH Institutes and Centers that support the NIH Blueprint for Neuroscience Research, and by the华盛顿大学麦克唐纳系统神经科学中心提供了主要样本的数据，以及阿姆斯特丹开放MRI Collection（Snoek等，2021）的所有贡献者，用于提供复制样本的数据。 我们还要感谢莱布尼兹研究中心的埃尔汉·杰恩（Erhan Gen）和克里斯托夫·弗雷恩斯（Christoph Fraenz）在项目的早期阶段对数据分析和思想的发展贡献。 这项研究得到了Lilly Endowment，Inc。的部分支持，其支持印第安纳大学普遍技术研究所。 利益冲突陈述作者在研究，作者身份和/或出版本文的研究，作者身份和/或出版中没有潜在的利益冲突。9-11，WürzburgD-97070，德国B心理与脑科学系，印第安纳大学，1101 E. 10 Th Bloomington，Bloomington，47405-7007，美国，约翰娜Popp：Johanna Popp：0000-0003-1704-9890 Jonas Thiele：0000-0003-1704-9890 JOSHU： Faskowitz: 0000-0003-1814-7206 Caio Seguin: 0000-0001-9384-6336 Olaf Sporns: 0000-0001-7265-4036 Kirsten Hilger: 0000-0003-3940-5884 * Corresponding authors: johanna.popp@uni-wuerzburg.de , kirsten.hilger@uni-wuerzburg.de Acknowledgements The authors thank the Human Connectome Project (Van Essen et al., 2013), WU-Minn Consortium (Principal Investigators: David Van Essen and Kamil Ugurbil; 1U554MH091657) funded by the 16 NIH Institutes and Centers that support the NIH Blueprint for Neuroscience Research, and by the华盛顿大学麦克唐纳系统神经科学中心提供了主要样本的数据，以及阿姆斯特丹开放MRI Collection（Snoek等，2021）的所有贡献者，用于提供复制样本的数据。我们还要感谢莱布尼兹研究中心的埃尔汉·杰恩（Erhan Gen）和克里斯托夫·弗雷恩斯（Christoph Fraenz）在项目的早期阶段对数据分析和思想的发展贡献。这项研究得到了Lilly Endowment，Inc。的部分支持，其支持印第安纳大学普遍技术研究所。利益冲突陈述作者在研究，作者身份和/或出版本文的研究，作者身份和/或出版中没有潜在的利益冲突。
神经血管耦合相反调节情绪
此预印本版的版权持有人于2024年12月25日发布。 https://doi.org/10.1101/2023.02.13.527949 doi：Biorxiv Preprint
加利福尼亚州蒙特雷湾的物理生物结合
摘要：通过对加利福尼亚州蒙特雷湾的概要，高分辨率观测来检查影响浮游植物生态学的物理生物学耦合。海底峡谷和架子上断裂的地形对物理生物学耦合的影响。在第一个案例研究中，在南部的架子水域中观察到底栖底型耦合，那里的浑浊羽流从底部约60 m深到一个深度约10 m的植物浮游植物层的底部。在与浮游植物层的交点处，羽流的沿羽毛尺度范围从底部附近约5 km到约1 km。原位和遥感数据支持蒙特雷峡谷对循环的影响，强迫底栖式 - 彼此耦合。在第二个案例研究中，额定区域和邻近水在北部架子的约20 km 2中迅速进行了调查。前部与直径<1 km的额叶脊/槽结构，表面光滑和额叶结构相关。叶绿素最大层的大小和垂直位置与额叶区域紧密结合。该层被等轴脊和额叶涡流分散，并集中在等轴槽中和沿涡流的外围。通过观察到的表面光滑，测得的水速度以及架子断裂的接近和方向，通过潮流与架子断裂的相互作用产生的内波的影响。展示了地形对蒙特雷湾浮游植物生态学的显着和持续影响。
基于耦合的波长多路复用...
1 1光电信息技术（天津大学），教育部，精密仪器和光电学院，蒂安金大学，天津300072，中国2，伦敦大学伦敦大学电子学院，伦敦伦敦伦敦伦敦大学WC1E材料，伦敦大学伦敦大学伦敦大学伦敦大学伦敦大学，伦敦大学伦敦大学，纽约市，纽约大学，纽约大学，纽约大学，纽约大学，纽约大学，泰安金300072 300072 300072 22116，中国4号电气与信息工程学院，天津大学，天津300072，中国5毫米浪潮的国家主要实验室，信息科学与工程学院，东南大学，南京210096，210096，中国6，Micro-Nano电子设备和智能系统的Micro-Nano电子设备和智能系统，ZHEJIANG Science and Electricing of Science Hangian Zhejiang Science和Electronic Zhejiang 310027，中国7 lanzhihao7@gmail.com * wuliang@tju.edu.cn1光电信息技术（天津大学），教育部，精密仪器和光电学院，蒂安金大学，天津300072，中国2，伦敦大学伦敦大学电子学院，伦敦伦敦伦敦伦敦大学WC1E材料，伦敦大学伦敦大学伦敦大学伦敦大学伦敦大学，伦敦大学伦敦大学，纽约市，纽约大学，纽约大学，纽约大学，纽约大学，纽约大学，泰安金300072 300072 300072 22116，中国4号电气与信息工程学院，天津大学，天津300072，中国5毫米浪潮的国家主要实验室，信息科学与工程学院，东南大学，南京210096，210096，中国6，Micro-Nano电子设备和智能系统的Micro-Nano电子设备和智能系统，ZHEJIANG Science and Electricing of Science Hangian Zhejiang Science和Electronic Zhejiang 310027，中国7 lanzhihao7@gmail.com * wuliang@tju.edu.cn
超材料与腔光子的强耦合
摘要：对光与物质之间强耦合的研究是研究的重要领域。它的重点不仅源于出现众多引人入胜的化学和物理现象，而且通常是新颖和意外的，而且还源于其为新颖的化学，电子，电子和光子设备设计核心组件设计的重要工具集，例如量子，量子量，量子，量子，激光，放大器，模块化器，传感器，传感器，以及更多。已经证明了各种配置系统和光谱制度的强耦合，每个耦合均具有独特的功能和应用。从这个角度来看，我们将重点关注该研究领域的一个子区域，并讨论超材料和光子频率下的强烈耦合。超材料本身就是电磁谐振器，作为“人工原子”。我们概述了最新进步的概述，并概述了这一跨学科科学的重要和有影响力的领域中可能的研究指示。
超材料与腔光子的强耦合
摘要：对光与物质之间强耦合的研究是研究的重要领域。它的重点不仅源于出现众多引人入胜的化学和物理现象，而且通常是新颖和意外的，而且还源于其为新颖的化学，电子，电子和光子设备设计核心组件设计的重要工具集，例如量子，量子量，量子，量子，激光，放大器，模块化器，传感器，传感器，以及更多。已经证明了各种配置系统和光谱制度的强耦合，每个耦合均具有独特的功能和应用。从这个角度来看，我们将重点关注该研究领域的一个子区域，并讨论超材料和光子频率下的强烈耦合。超材料本身就是电磁谐振器，作为“人工原子”。我们概述了最新进步的概述，并概述了这一跨学科科学的重要和有影响力的领域中可能的研究指示。
传动和传动系统中的元素间耦合分析
图 7 - 单个元件的模拟增益与近似增益比较 .............................................................................. 16 图 8：3x3 阵列中的单个元件 .............................................................................................. 16 图 9：3x3 阵列中元件的增益模式，其余元件开路 ............................................................. 17 图 10：3x3 阵列中元件的增益，其余元件端接至 50Ω ............................................................. 18 图 11：5x5 阵列中的单个元件 ............................................................................................. 19 图 12：5x5 阵列中元件的增益模式，其余元件开路 20 图 13：5x5 阵列中元件的增益，其余元件端接至 50Ω ............................................................. 21 图 14：发送和接收元件模拟 ............................................................................................. 22 图 15：单个 Tx 和 Rx 元件的返回和插入损耗模拟 ............................................................................. 22 图16：全阵列几何结构 ................................................................................................ 23 图 17：Tx 和 Rx 元件的 S 参数，其他元件开路 ........................................ 24 图 18：Tx 和 Rx 元件的 S 参数，其他元件端接至 50Ω ........................................ 25 图 19：MatLab 程序的嵌套 FOR 循环片段 ............................................................. 27 图 20：回波损耗，中心频率 8.14 GHz ............................................................................. 33 图 21：Z-Smith 图，Z 1 =(50.42-0.08j)Ω ............................................................................. 33 图 22：回波损耗，中心频率 8.16 GHz ............................................................................. 34 图 23：Z-Smith 图，Z 1 =(51.67-3.92j)Ω ............................................................................. 34 图 24：回波损耗损耗，中心频率 8.15 GHz .............................................................................. 35 图 25：所有 S 参数 .......................................................................................................... 35 图 26：Z-Smith 图，Z 1 =(50.46-0.14j)Ω ...................................................................... 36 图 27：回波损耗，中心频率 8.16 GHz ............................................................................. 37 图 28：Z-Smith 图，Z 1 =(51.51-4.11j)Ω ............................................................................. 37 图 29：回波损耗，中心频率 8.15 GHz ............................................................................. 38 图 30：所有 S 参数 ............................................................................................................. 38 图 31：Z-Smith 图，Z 1 =(50.30+0.18j)Ω ............................................................................. 40