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1.2 dB NF 分集接收模块的低频带多增益 LNA 设计
摘要：本文介绍并讨论了一种用于分集接收模块的低频带 (LB) 低噪声放大器 (LNA) 设计，该模块适用于多模蜂窝手机。LB LNA 覆盖 5 个不同频段，频率范围从 617 MHz 到 960 MHz，5 刀单掷 (5PST) 开关用于选择不同的频段，其中两个用于主频段，三个用于辅助频段。所提出的结构涵盖从 -12 到 18 dB 的增益模式，增益步长为 6 dB，每种增益模式的电流消耗都不同。为了在高增益模式下达到噪声系数 (NF) 规格，我们在本设计中采用了具有电感源退化结构的共源共栅 (CS)。为了实现 S 11 参数和电流消耗规格，高增益模式（18 dB、12 dB 和 6 dB）和低增益模式（0 dB、-6 dB 和 -12 dB）的内核和共源共栅晶体管已被分开。尽管如此，为了保持较小的面积并将相位不连续性保持在 ± 10 ◦ 以内，我们在两个内核之间共享了退化和负载电感器。为了补偿工艺、电压和温度 (PVT) 变化的性能，该结构采用了低压差 (LDO) 稳压器和极端电压补偿器。该设计在65nm RSB工艺设计套件中进行，电源电压为1V，以18dB和-12dB增益模式为例，其NF分别为1.2dB和16dB，电流消耗为10.8mA和1.2mA，输入三阶截取点（IIP3）分别为-6dBm和8dBm。
朝向连贯的O波段数据中心互连
ntegrated Photonics已使数字通信时代依靠各级的光网络以非常高的速度和低成本传输数据。大规模数据中心需要高度集成的成本效益的光学通信解决方案，因为数据中心互连已成为主要成本因素之一。与光学互连相关的技术和经济必需品促进了当今普遍存在的1,300–1,600 nm范围内使用的两种综合光子技术平台的开发和快速成熟。这些平台通常用其材料基础来计数：（1）硅光子学和（2）基于磷化物（INP）基于磷化物（INP）的集成光子学。这两个平台的重要性远远超出了光电收发器和光学通信。硅光子学和基于INP的光子学都在Terahertz的产生和传感，高速信号处理以及潜在的神经形态计算中发现了应用。尽管硅光子学比INP整体光子学具有明显的优势，例如其可扩展性高达300毫米的晶片，并通过高速电子设备与高速电子设备协调，但使用INP 1、2实现了最终和基准的光电测量。基于INP的波导耦合光二极管，即使是几年前，也已经证明了170 GHz的3-DB带宽（F 3-DB），竞争激烈，竞争激烈，竞争势力为0.27 a w-1（参考文献3）。相比之下，在主要硅光子平台上可用的锗光二极管通常显示在50-70 GHz范围内的带宽（参考文献。4 - 7）。以外，具有F 3-DB≈120GHz和相当高的深色cur的细菌光电二极管的演示脱颖而出，由于测量限制8，关于带宽的不确定性8。在本文中，我们证明了一个真正的硅光子光子检测器，从光扣带宽和响应性方面接近最终性能，这是一种基于表面上种植的锗的硅波导偶联P – I-N光电二极管。我们的锗光电二极管显示超过260 GHz
21.56 dBm 四路电流合成功率放大器...
摘要 本文介绍了一种采用 65 nm CMOS 工艺的四路电流合成 Ka 波段功率放大器 (PA)。采用基于对称传输线的四路电流合成器和输出变压器，将高负载阻抗 (4* 푍 퐿 ) 传输到每个功率单元所需的 푍 표푝푡。此外，还优化了级间/输入灵活匹配变压器和功率分配器以提高性能。基于上述方法，功率放大器在 35GHz 时的小信号增益约为 24.12 dB，饱和输出功率为 21.56 dBm，峰值功率附加效率为 27.3%。关键词：四路电流合成、功率放大器、传输线合成器、柔性变压器 分类：微波和毫米波器件、电路和硬件
低温宽带子1-DB NF CMOS低噪声放大器用于量子应用
摘要 - 报告了基于标准40 nm CMOS技术的量子应用的低温宽带低噪声放大器（LNA）。LNA规范是从4.2 K处的半导体量子位的读数中得出的，其量子信息信号的特征是相位调节的信号。为了实现宽带输入匹配阻抗和低噪声图，可以利用输入晶体管的闸门电容。目标是将电阻和电容载荷与源电感变性的共同源阶段的输入阻抗匹配。电容载荷是由LC平行箱产生的，其谐振频率低于工作频率。实现的非构体等效电容已被证明是对输入阻抗匹配的好处。载荷的电阻部分是由cascode阶段的跨传导提供的。将电感器添加到cascode晶体管的门中以抑制其噪声，而具有两个共振频率的基于变压器的谐振器则用作第一个阶段的负载，从而扩展了操作带宽。提出并分析了LNA的低温温度操作的设计注意事项。LNA在整个频段（4.1-7.9 GHz）中实现了35±0.5 dB的测得的增益（S 21），回报损失> 12 dB，NF为0.75–1.3 dB（4.1-7.9 GHz），在室温下具有51.1兆瓦的功耗，同时显示为42±3.3 dB和NF的幂均值，均为0.2 db，Nf of 0.23-0.23-0.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d d d db。在4.6至8 GHz之间。据我们所知，这是基于在4 GHz以上工作的批量CMOS过程的第一个报告，该过程在房间和低温温度下均显示出亚1-DB NF。
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可重新配置的非均匀功率组合V波段PA，+17.9 dbm PSAT和26.5％的PAE在16 nm Finfet CMOS
摘要 - 本文介绍了双模式V波段功率放大器（PA）的设计，该功率放大器（PA）使用负载调制提高了功率退回（PBO）时的效率。PA利用可重新选择的两/四向电源组合器来实现两种离散的操作模式 - 满足功率和后退功率。Power Combiner采用了两种技术来进一步提高PBO的PA效率：1）使用具有不均匀转弯比的变压器的使用，以减少对两种模式和2模式之间的PA内核的阻抗差异的差异）使用拟议的开关方案，以消除与背部功率模式相关的泄漏电感（bpm）。两阶段PA的峰值增益为21.4 dB，分数BW（FBW）为22.6％（51-64 GHz）。在65 GHz时，PA的P SAT为 + 17.9 dBm，OP 1 dB为 + 13.5 dBm，峰值功率增加了效率（PAE），在全功率模式下为26.5％。在BPM中，测得的P SAT，OP 1 dB和峰值PAE分别为 + 13.8 dBm， + 9.6 dBm和18.4％。在4.5 dB后退时，PAE的点数增加了6％。PA能够在平均P OUT/PAE分别 + 13 dbm/13.6％的情况下扩增6 GB/S 16-QAM调制信号，EVM RMS为-20.7 dB。此PA在16 nm的FinFET中实施，占0.107 mm 2的核心面积，并在0.95-V电源下运行。
第八届身心研讨会
16:15-17:00 方法论焦点 2 主持人：Tilman Stephani（莱比锡） Michael Gaebler（MPI CBS 莱比锡，柏林 MindBrainBody 研究所）和 Esra Al（MPI CBS 莱比锡，柏林心智与大脑学院，柏林；MindBrainBody 研究所） 如何分析心脑相互作用及其与行为的联系：心率变异性、心脏相位和心跳诱发电位 讨论第 2 部分 | 方法论焦点 2 | 2021 年 3 月 17 日星期三 09:15-09:45（GMT+1） 17:00-18:00 主题演讲 2 主持人：Lina Skora（布莱顿/莱比锡）
文章评估糖基化的FLPA和SODB作为针对鸡弯曲杆菌的亚基疫苗
摘要：弯曲杆菌空肠是全球人类胃炎的主要原因，并且处理或消费受污染的家禽肉是感染的关键来源。C.空肠蛋白FLPA和SODB和含有J. jejuni n -Glycan的糖缀合物分别据报道是鸡的部分保护性疫苗。在这项研究中，由蛋白质聚糖偶联技术产生的两种新型糖蛋白 - G-FLPA和G-SODB（分别具有两个和三个N-糖基化位点） - 通过相对于其Unglycosylsy-c. jejuni菌株M1的鸡肉菌菌株对鸡肉的肠道结构进行了评估。进行了两项相同设计的独立试验，以10 7菌落形成单位（CFU）或最低挑战剂量为10 2 CFU的Jejuni M1的高挑战剂量。在两项试验中都检测到抗原特异性血清Igy，但未观察到Jejuni M1的盲肠定植降低，并且疫苗抗原的糖基化对结果没有影响。我们的数据突出了在空肠梭菌疫苗接种试验结果中的不一致，该试验可能会反映抗原，挑战菌株，疫苗给药，辅助和鸡系特异性的差异。通过增加糖基化水平或使用高度免疫原性蛋白载体来改善糖结轭疫苗可以改善其效率。通过增加糖基化水平或使用高度免疫原性蛋白载体来改善糖结轭疫苗可以改善其效率。
FloodBot 使用深度学习模型堆栈
摘要 — 与电子设备对话并在最短时间内获取所需信息已成为当今的常态。尽管人工智能对话代理已经渗透到商业市场，但它们在公共环境中的使用仍在不断发展。我们假设在灾害多发地区部署聊天机器人可以有利于在危机期间观察、监控和警告人们。此外，成功实施这种技术可以挽救生命。在这项工作中，我们讨论了部署一个名为 FloodBot 的实时洪水监测聊天机器人。我们收集、注释和视觉解析潜在危险区域的图像。我们通过堆叠深度学习模型（例如卷积神经网络 (CNN)、单次多框物体检测 (SSD)）来检测洪水状况并识别危险物体。然后，我们将图像内容输入到我们的人工智能 FloodBot 的知识库中，并使用端到端内存网络探索其 AI 对话能力。我们还展示了跨领域迁移学习和模型融合技术的强大功能。索引词 — 聊天机器人、深度学习、计算机视觉、深度自然语言处理、移动计算
PIC 和 ePIC 平台的 3 dB OE 带宽为 110 GHz
摘要 — 我们介绍了一种 SOI 波导耦合锗光电二极管，它在 2 V 反向偏压下具有非常高的 OE -3 dB 带宽 ≥ 110 GHz。这种性能是通过一种新颖的结构实现的，即将锗夹在两个原位掺杂的硅区域之间。这种制造方法可以避免将离子注入锗，这无疑有利于带宽，因为少数载流子扩散效应受到强烈抑制。在 1550 nm (-2 V) 时实现了 >0.6 A/W 的响应度，而该器件的暗电流约为 300 nA (-2 V)。据我们所知，这是最先进的锗光电探测器，具有带宽、最先进的响应度以及中等暗电流。我们证明，这种新型光电二极管可以高产量制造。