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INGAAS量子点的量子效率和振荡器强度，用于电信中发出的单光子源O波段
我们基于时间分辨的光致发光光谱证明了实验结果，以确定INGAAS量子点（QDS）的振荡器强度和内部量子效率（IQE）。使用减少应变层，这些QD可用于制造电信O波段中发出的单光子源。通过确定在QD位置的光密度在QD的位置的变化下，在QD的位置确定辐射和非辐射衰减速率，以评估振荡器的强度和IQE。为此，我们对QD样品进行测量，以实现由受控的湿化学蚀刻过程实现的封顶层的不同厚度。从辐射和非辐射衰减速率的数字建模依赖于上限层厚度，我们确定长波长Ingaas QD的振荡器强度为24.6 6 3.2，高IQE（85 6 10）的高IQE（85 6 10）。
具有接近 1 内部量子效率的单层蓝色有机发光二极管
高效有机发光二极管 (OLED) 通常由多层堆栈组成，包括电荷传输层、电荷和激子阻挡层，以将电荷复合限制在发射层内。本文展示了一种基于热激活延迟荧光的高度简化的单层蓝光 OLED，其发射层简单地夹在由聚合物导电阳极和金属阴极组成的欧姆接触之间。单层 OLED 的外部量子效率为 27.7%，高亮度下滚降很小。内部量子效率接近 1，表明高度简化的无限制层单层 OLED 可以实现最先进的性能，同时大大降低设计、制造和设备分析的复杂性。
了解界面激基复合物内未掺杂超薄发光纳米层的结构和能量传递过程
有机发光二极管 (OLED) 具有高效率、低功耗和灵活性等突出优势，在显示、照明和近红外 (NIR) 应用方面有着巨大的潜力。最近发现，超薄发光纳米层技术在通过非掺杂制备工艺简化结构的 OLED 中起着关键作用，而激基复合物形成主体可以提高 OLED 的效率和稳定性。然而，超薄发光纳米层在界面激基复合物内能量传递过程的基本结构和机理仍不清楚。因此，迫切需要探索超薄发光纳米层的起源及其在激基复合物内的能量过程。本文对超薄发光纳米层（ < 1 nm）的薄膜生长机理及其在界面激基复合物内的能量传递过程进行了综述和研究。 UEML磷光染料在决定激基复合物和非激基复合物界面之间激子的寿命方面起着关键作用。TCTA和Bphen之间的激基复合物比TCTA和TAPC之间的非激基复合物具有更长的寿命衰减，有利于激子的收集。该发现不仅有利于OLED的进一步发展，也有利于其他相关的有机光电技术。
基于多环杂硼烷多共振延迟荧光发射体实现极致窄带和超纯蓝色有机发光二极管
电视、智能手机和平板电脑等新兴设备正成为人们日常生活的一部分。2012 年，国际电信联盟无线电通信部门 (ITU-R) 为超高清显示器推荐了一种新的色域标准，称为 BT.2020（或 Rec.2020）。[1] 采用 Rec.2020 色域可以精细地再现自然界中的几乎所有颜色，这些颜色基于红、绿、蓝 (RGB) 三原色，国际照明委员会 (CIE) 色度坐标分别为 (0.708, 0.292)、(0.170, 0.797) 和 (0.131, 0.046)。在这种需求的驱动下，开发能够显示具有极窄发射光谱带宽和高效率的单色 RGB 颜色的新型发光材料和装置是一项至关重要的挑战。有机发光二极管 (OLED) 因其广泛的研究和开发目前被视为 UHD 显示器的主流技术。[2–8] 在过去的二十年里，随着新发光机制的出现，OLED 的效率得到了显著提高，特别是磷光 [5,8,9]（第二代）和热激活延迟荧光 [7,10,11]（TADF，第三代），这些机制使电子到光子转换的内部量子效率达到 ≈ 100%。尽管电致发光 (EL) 效率如此之高，但大多数传统 OLED 都存在宽带发射光谱的问题，半峰全宽 (FWHM) 通常为 > 50 nm 或更宽，从而导致 EL 的色纯度低。因此，在商用 OLED 显示器中，需要使用额外的彩色滤光片来选择性地透射原色，这不可避免地会导致光提取率下降，并导致器件的外部 EL 量子效率 (EQE) 降低。从器件的功耗角度来看，这种情况也是不利的。最近，以稠合多环 π 体系为特征的多共振诱导 TADF (MR-TADF) [12–24] 材料已成为克服传统 OLED 缺点的有机发射体的新范例，引发了研究兴趣的激增。事实上，与最先进的无机 LED 和量子点 LED 的情况一样，采用有机硼 MR-TADF 发射体的 OLED 已经实现了高效的窄带 EL
双极三层有机发光晶体管中电荷注入、电子传输和量子效率之间的相互作用
有机发光二极管 (OLED) 显示器的广泛使用推动了 OSC 逐渐渗透到日常生活中。[5] 低功耗、重量轻、亮度高、发光效率高和响应时间快等一系列技术优势推动了 OLED 作为传统液晶显示器的替代品的应用。[6] OLED 是一种纳米厚的半导体器件，在施加合适的电偏压时能够产生光子。然而，OLED 的垂直结构要求光子至少穿过一个电极，由于光腔效应和电极透明度有限，这对器件特性造成了很大限制。[7,8] 在这一背景下，有机发光晶体管 (OLET) 在过去十年中备受关注，因为它能够通过简单的平面结构将晶体管的逻辑开关功能与光发射相结合。 [6,9,10] 最重要的是，光发射可以调节到远离金属电极的位置。[11] 因此，对于 OLED，由于可以避免不希望的猝灭和光学效应，因此可以预测光学效率可能会提高。此外，平面 OLET 结构为实现具有复杂功能的集成系统提供了关键特性。[12,13] 在 OLET 中，
双极三层有机发光晶体管中电荷注入、电子传输和量子效率之间的相互作用
有机发光二极管 (OLED) 显示器的广泛使用推动了 OSC 逐渐渗透到日常生活中。[5] 低功耗、重量轻、亮度高、发光效率高和响应时间快等一系列技术优势推动了 OLED 作为传统液晶显示器的替代品的应用。[6] OLED 是一种纳米厚的半导体器件，在施加合适的电偏压时能够产生光子。然而，OLED 的垂直结构要求光子至少穿过一个电极，由于光腔效应和电极透明度有限，这对器件特性造成了很大限制。[7,8] 在这一背景下，有机发光晶体管 (OLET) 在过去十年中备受关注，因为它能够通过简单的平面结构将晶体管的逻辑开关功能与光发射相结合。 [6,9,10] 最重要的是，光发射可以调节到远离金属电极的位置。[11] 因此，对于 OLED，由于可以避免不希望的猝灭和光学效应，因此可以预测光学效率可能会提高。此外，平面 OLET 结构为实现具有复杂功能的集成系统提供了关键特性。[12,13] 在 OLET 中，
消除钙钛矿发光二极管中成分调制的不利影响，实现超高亮度和稳定性
过量卤化铵作为成分添加剂被广泛用于钙钛矿发光二极管 (PeLED)，旨在通过控制晶体度和钝化缺陷来实现高性能。然而，对于过量有机铵成分是否会影响薄膜的物理/电学性质以及由此导致的器件不稳定性，我们仍然缺乏深入了解。本文指出了在具有过量卤化铵的高效甲脒铅碘化物 (FAPbI 3 ) 基 PeLED 中性能和稳定性之间的权衡，并探索了其潜在机制。系统的实验和理论研究表明，过量卤化盐诱导的离子掺杂极大地改变了 PeLED 的性质（例如，载流子注入、场相关离子漂移、缺陷物理和相稳定性）。证明了表面清洁辅助交联策略可以消除成分调制的不利影响并在不牺牲效率的情况下提高操作稳定性，同时实现 23.6% 的高效率、964 W sr − 1 m − 2 的高辐射度（基于 FAPbI 3 的 PeLED 的最高值）和 106.1 小时的长寿命在大直流密度（100 mA cm − 2）下。研究结果揭示了过量卤化物盐与器件性能之间的重要联系，为合理设计稳定、明亮、高效的 PeLED 提供了指导。
热工程中的案例研究
在供应器型有机光电器件中，例如有机太阳能电池（OPV）和Expiplex型有机光二极管（EOLED），电荷转移（CT）机制是导致库仑绑定的电荷对（Geginate对（Geginate Pair）的主要过程，它们要么将其分散到自由载体中，要么将其降低到自由载体或放松身心。广泛的理论和实验工作以Onsager计算为基础，以确定初始电子孔距离，并研究电场对Geminate对分离和自由载体的产生的影响。在这里，我们讨论了Reveres Onsager过程，随着E-H距离的降低，场诱导蓝色光谱移动。求解场效应库仑势能方程，我们能够解释观察到的蓝色光谱移位并确定设备结构中的E-H距离，库仑势能和电场分布。该过程提供了对捐赠者接口处的外部重组的基本理解。
2023 年 1 月 20 日，FDA 发布了一项最终规则，题为“放射健康法规；辐射发射电子记录和报告的修订
2023 年 1 月 20 日，FDA 发布了最终规则，题为“放射健康法规；辐射发射电子产品记录和报告修正案；诊断性 X 射线、激光和超声波产品性能标准修正案”（88 FR 3638）1。该最终规则于 2023 年 2 月 21 日生效，修订了电子产品和医疗器械的记录和报告要求，删除或减少一些不必要或可能与其他报告要求重复的年度报告和测试记录要求（参见 21 CFR 1002.1），以及其他更改。这些修正案将先前在低功率激光报告豁免（激光通知 41）和将经过认证的 I 类激光产品纳入其产品的某些制造商的合规要求澄清（激光通知 42）中发现的长期政策编入法典。