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INGAAS量子点的量子效率和振荡器强度，用于电信中发出的单光子源O波段
我们基于时间分辨的光致发光光谱证明了实验结果，以确定INGAAS量子点（QDS）的振荡器强度和内部量子效率（IQE）。使用减少应变层，这些QD可用于制造电信O波段中发出的单光子源。通过确定在QD位置的光密度在QD的位置的变化下，在QD的位置确定辐射和非辐射衰减速率，以评估振荡器的强度和IQE。为此，我们对QD样品进行测量，以实现由受控的湿化学蚀刻过程实现的封顶层的不同厚度。从辐射和非辐射衰减速率的数字建模依赖于上限层厚度，我们确定长波长Ingaas QD的振荡器强度为24.6 6 3.2，高IQE（85 6 10）的高IQE（85 6 10）。
蓝色有机发光二极管的主体策略
- 高三线态能量主体 (Host(ET )>Dopant(ET )) - 双极电荷传输特性 (载流子平衡) - 抑制降解机制 (TTA, TPA) - 在正/负极化子、单线态/三线态激子下的稳定性
自体造血干细胞移植与复发的alemtuzumab相比，用于复发 - 结合多发性硬化症：一项观察性研究
抽象目的与自体造血干细胞移植（AHSCT）和alemtuzumab（ALZ）相比，在复发性多发性硬化症患者中进行了结局。用AHSCT治疗的方法（n = 69）接受了环磷酰胺（200 mg/ kg）和兔抗thymocypypyte globulinerg（6.0 mg/ kg）的条件方案。接受ALZ治疗的患者（n = 75）在5天内接受了60毫克的剂量，在1年后3天内重复剂量为36 mg，然后根据需要。随访访问，评估扩大的残疾状态量表评分，不良事件和MR调查至少每年进行。结果，主要结局指标的Kaplan-Meier估计值“没有疾病活动的证据”为88％，而ALZ为3年时为37％，p <0.0001。AHSCT年度复发率的次要终点为0.04，而ALZ为0.1，p = 0.03。在最后随访中，稳定或恶化的患者比例为57％/41％/1％（AHSCT）和45％/43％/12％（ALZ），P = 0.06 p = 0.06不良事件，在接受AHSCT治疗的48/69例患者中，在48/69例患者中出现了3级或更高级别的ALZ和0/75患者，并在Alz接受了100天的治疗。最常见的长期不良事件是甲状腺疾病，AHSCT的甲状腺疾病为3年，为21％，ALZ为46％，p = 0.005。在这项观察性队列研究中得出的结论，AHSCT治疗与维持“没有疾病活动的证据”的可能性更高。在最初的100天内，AHSCT的不良事件更为频繁，但此后在接受ALZ治疗的患者中更常见。
量子点发光器件中电子传输层的优化
摘要 量子点发光器件已成为显示应用的重要技术。它们的发射是分别通过空穴和电子导电层传输的正负电荷载流子复合的结果。这些器件中电子或空穴传输材料的选择不仅要求层间能级对齐，而且还要求平衡电子和空穴向复合位点的流动。在这项工作中，我们研究了一种通过控制电荷载流子动力学来优化器件的方法。我们采用阻抗谱来检查电荷载流子通过每一层的迁移率。得出的迁移率值提供了一条路径来估算每个电荷载流子向发光层的跃迁时间。我们认为，当两个电荷载流子向有源层的跃迁时间相似时，可以获得最佳器件结构。最后，我们通过重点优化电子传输层的厚度来检验我们的假设。
确定性制造的量子点单光子源在电信o波段中发出难以区分的光子
在这项工作中，我们基于电信O波段中发出的Ingaas量子点（QD）开发和研究单光子源。量子设备是使用原位电子束光刻制造的，结合了热压缩键合，以实现背面金镜。我们的结构基于INGAAS/GAAS异质结构，其中QD发射通过减少应变层在1.3 L m处向电信O带红移。QD通过阴极发光映射预选的QD嵌入带有背面金镜的台面结构中，以提高光子萃取效率。在脉冲非共振润湿层激发下进行的光子自动相关测量在高达40 K的温度下进行，显示纯单光子发射，这使得设备使用Stirling Croimoolers兼容独立操作。使用脉冲P-shell激发，我们实现了单光子的发射，高光子抑制G（2）（0）¼0.0276 0.005，是（12 6 4）％（12 6 4）％（12 6 4）％的AS测量的（96 6 6 10）％和（96 6 10）％和相关的连接时间（212 6 25）的可见性（12 6 4）％。此外，结构显示出5％的提取效率，这与该光子结构的数值模拟所期望的值相当。我们设备的进一步改进将通过光纤维实现量子通信。
SAW驱动横向发光二极管中单电子传输的单光子发射
h(t) 可以理解为来自 SAW 最小值的 EL 信号。因此，自相关直方图可以看作是一系列等距函数 J(∆t)=(h∗hmirror)(∆t) 的总和。图 S4(a) 显示了 τ = 0.2 和 w = 0.05 的 h(t) 的示例，而图 S4(b) 显示了镜像 hmirror(t)。它们的卷积 J(∆t) 绘制在图 S4(c) 中。这个单峰可以理解为图 S3 中各个峰的实际形状，这意味着即使这些峰之间存在明显的重叠，也可以单独评估特定峰的贡献。因此，如果已知 SAW 驱动的 EL 的理论函数 J(∆t)，就可以更准确地估计来自抑制峰的真实信号，例如图 3(a) 中的抑制峰。从图 3(b) 中平均直方图的拟合结果可以看出，每个峰的形状由 J (∆ t ) 确定，其中 τ = 99.6 ps，w = 33 ps，BG g2 = 2.79。可以假设图 3(a) 中的每个峰具有相同的形状，但由于统计样本方差，其峰幅度不同。这些在 ∆ t = ∆ t (i) 处的峰具有不同的幅度 A g2(i) ，其与 g (2) (∆ t (i) ) 成正比。反映方差的改进自相关函数可以表示为
缓释型和原发进展型多发性硬化症
ICER 员工和顾问 华盛顿大学药学院建模小组 Jeffrey A. Tice，医学博士 加州大学旧金山分校医学教授 Rick Chapman，哲学博士，理学硕士 卫生经济学主任 临床和经济评论研究所 Varun Kumar，医学学士，公共卫生硕士，理学硕士 卫生经济学家 临床和经济评论研究所 Anne M. Loos，文学硕士 临床和经济评论研究所高级研究员 Shanshan Liu，理学硕士，公共卫生硕士 临床和经济评论研究所助理研究员 Matt Seidner，理学士 临床和经济评论研究所项目经理 Daniel A. Ollendorf，哲学博士 临床和经济评论研究所首席科学官 David Rind，医学博士 临床和经济评论研究所首席医疗官 Steven D. Pearson，医学博士，理学硕士 临床和经济评论研究所所长
发光二极管可靠性审查
发光二极管 (LED) 的需求不断增长，这受到多种应用类别的推动，包括显示器背光、通信、医疗服务、标牌和一般照明。LED 的构造与微电子有些相似，但 LED 中的功能要求、材料和接口使其故障模式和机制独一无二。本文全面回顾了 LED 故障机制和可靠性方面的行业和学术研究，以帮助 LED 开发商和最终产品制造商有效地集中资源。重点是 LED 在芯片和封装级别的可靠性。LED 制造商提供的可靠性信息还不够成熟，无法为大多数消费者和最终产品制造商所用。本文为了解整个供应链中 LED 的可靠性问题奠定了基础。我们介绍了 LED，并介绍了使用 LED 和 LED 应用的主要行业。接下来讨论与故障机制和可靠性相关的 LED 构造细节和制造步骤。然后，我们将 LED 故障分为十三个不同的组，与半导体、互连和封装可靠性问题有关。然后，我们确定故障原因与其相关机制之间的关系、热标准化问题以及 LED 技术和可靠性研究和开发的关键领域。� 2011 Elsevier Ltd. 保留所有权利。