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轴 - 光子转换中的一种新颖的增强
我们确定了一种新的共振，即轴磁共振，可以极大地提高轴和光子之间的转换率。一系列的轴搜索实验依赖于将它们转换为恒定磁场背景中的光子。这种实验的常见瓶颈是当m a≳10-4eV抑制轴质量的转换幅度。我们指出，磁场中的空间或时间变化可以取消光子分散关系和轴支的差异，从而大大提高了转换概率。我们证明，通过螺旋磁场曲线和大小的谐波振荡可以实现增强。我们的方法可以在Ma¼10-3-eV时通过两个数量级在轴突 - 光子耦合（gaγ）中扩展预计的Alps II触及范围，并具有适度的假设（请参阅https://github.com/chensun-phys/chensun-phys/axion-phys/axion-magnetic-magnetic-rivs>。）
白介素6个白介素的增强3- ...
抽象的白介素6（IL-6，也称为B细胞刺激因子2/干扰素P2）支持粒细胞/巨噬细胞祖体的增殖，并间接支持来自正常小鼠斑球细胞培养的多梯性和胚细胞菌落的形成。我们在这里报告说，IL-3和IL-6协同作用是为了支持培养中鼠多重祖细胞的扩散。在注射5-氟尿嘧啶（150 mg/kg）后4天从小鼠中分离出的脾细胞的总菌落形成时间，在包含这两种淋巴细胞的培养物中相对于由两个因素支持的两种培养物的培养物显着缩短。培养中单个爆炸细胞集菌落的序列观测（映射）表明，在IL-3存在下随机时间间隔后出现了爆炸细胞菌落。单独使用IL-6中的平均外观时间有些延迟，在包含这两个因素的培养物中，相对于在单个淋巴因子的存在下，相对于在存在的培养物中，多曲线爆炸细胞菌落的出现显着加速。在第2天的培养物中-5-氟尿嘧啶骨髓细胞中，IL-6无法支持菌落形成；仅IL-3支持形成一些粒细胞/宏观噬菌体菌落，但是因素的组合起作用协同作用，以产生多曲线和各种其他类型的菌落。在该系统中，IL-LA也与IL-3协同作用，但效果较小，没有看到多片菌落。共同这些结果表明，IL-3和IL-6协同作用以支持造血祖细胞的扩散，并且至少部分效应是由于单个干细胞的GO时期下降而导致的。
引言人类增强的生物政治
人们已经寻求数千年来提高自己的身心能力的方法。对于我们这些相信人类增强技术的人来说，包括衣服，工具和武器，增强的政治始于史前历史。只有某些种姓或性别才能触摸特定工具或穿某些衣服的工业前社会规范是初步政治。假肢已有数千年的历史，到15世纪，世界各地有多次疫苗接种的实验。撰写以来文明曙光以来发生的各种赋权的历史是适当的，但这一卷（现在我们可以向讲座展示）将在20世纪初期开始有关人类增强的辩论中，该辩论始于20世纪初期，一旦现代医学开始为人类增强提供实际技术。在研究人类增强与生物殖民地（我们作品的主题）之间的关系之前，可以说几句话，关于该卷出现的系列文章，该系列具有与第一本书相同的标题，并且在该主题上最佳科学专家的贡献中开放。
一种多视图聚类的锚点增强策略
近年来，基于锚点的方法在多视图聚类中取得了可喜的进展。这些方法的性能受到锚点质量的显著影响。然而，以前的研究生成的锚点仅仅依赖于单视图信息，忽略了不同视图之间的相关性。特别地，我们观察到相似的模式更有可能存在于相似的视图之间，因此可以利用这种相关性信息来提高锚点的质量，而这同样被忽略了。为此，我们提出了一种新颖的即插即用的通过视图相关性进行多视图聚类的锚点增强策略。具体而言，我们基于对齐的初始锚点图构建视图图来探索视图间相关性。通过从视图相关性中学习，我们使用相邻视图上锚点和样本之间的关系来增强当前视图的锚点，从而缩小相似视图上锚点的空间分布。在七个数据集上的实验结果证明了我们的方法优于其他现有方法。此外，大量的对比实验验证了所提出的锚增强模块应用于各种基于锚的方法时的有效性。
能力发展和技能增强活动
Seethalakshmi Ramaswami College已为能力发展和技能增强计划做出了认真的努力，以提高学生的个人和专业技能。技能增强计划的主要目的是增强学生的先天能力，使他们自我根深蒂固，并提高他们的绩效以实现目标。
纳米管中栅极静电可控性的增强
近年来，随着半导体技术进入10nm以下技术节点，短沟道效应（SCE）和功耗耗散问题成为场效应晶体管进一步小型化面临的巨大挑战，需要采取强制性措施予以解决。从3nm技术节点开始，环绕栅极结构提高的SCE抑制能力使环绕栅极场效应晶体管登上了历史舞台。本文展示了双栅极纳米管环绕栅极场效应晶体管（DG NT GAAFET）的超强静电控制能力，并与具有相同器件参数设计的纳米管（NT GAAFET）和纳米线环绕栅极场效应晶体管（NW GAAFET）进行了比较。与NT GAAFET和NW GAAFET相比，DG NT GAAFET的I on 分别提升了62％和57％。此外，由于静电控制的增强，DG NT GAAFET 中的 SCE 得到了明显抑制，这可以通过改善 I off 、SS 和 I on /I off 比来证明。另一方面，NT GAAFET 的 I on 与 NW GAA-FET 相当，而与 NW GAA-FET 相比，它的 I off 小 1 个数量级，SS 小近 2 倍，体现了纳米管通道结构的优越性。最后，通过 TCAD 模拟研究验证了纳米管通道结构，特别是双栅极纳米管结构对 L g 缩放的稳健性。关键词：双栅极，纳米管，纳米线，短沟道效应，功耗耗散。
GBLN6601-S8 N 沟道增强型 MOSFET
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2N7001K P 沟道增强型 MOSFET
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弱超人类主义：适度增强作为非
摘要 超人类主义旨在实现人类的彻底增强。在《真正的人类增强》一书中，阿加尔 (2014) 提出了强有力的论据，反对在代理人身上产生彻底的增强效果。这让超人类主义者陷入了困境——如何实现彻底的增强，同时避免彻底增强效果的问题？本文旨在表明，超人类主义可以通过渐进式适度的人类增强（弱超人类主义）来追求彻底的人类增强，从而克服彻底增强效果的担忧。从这个意义上说，弱超人类主义在目标上与传统超人类主义非常相似，但在执行上却截然不同。考虑到必须避免彻底增强效果所带来的限制，这种版本的超人类主义更为薄弱。我考虑了许多对弱超人类主义的反对意见，并得出结论，这种解释经得住每一个反对意见。本文提出的“弱超人类主义”旨在为超人类主义者提供一种解决“彻底增强效果问题”的方法，但这是有代价的——为了实现彻底增强而应用多种中度增强的限制性过程很可能会让超人类主义者不满意，但我认为这是目前最好的选择。