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COSHH MC1：湿法蚀刻加工
✓ 对于没有层流的抽气室，开口处的气流应至少为每秒 0.5 米。✓ 对于具有垂直层流的抽气室，使用“烟管”或示踪气体检查工作台内的气流模式。气流计不合适。✓ 在抽气管道上安装压力计或压力表，以显示设备正在工作。将其与视觉或声音警报相连。✓ 抽气管道应短且弯头少。避免使用长段柔性管道。✓ 使用与所用化学品兼容的管道材料。✓ 将清洁的抽气排放到远离窗户、门和进气口的安全位置。✓ 提供适合化学品和任务的良好照明，例如溶剂工作台的防火照明。✓ 通过适合溶剂和非溶剂的排水系统处理使用过的工艺化学品。您可以使用排污阀或抽气机来避免接触化学品吗？✓ 不要在外壳中存放任何可能阻塞抽气的东西。不要在工作台下面存放化学品。
底切蚀刻 - 康奈尔纳米级设施
本文报告了基于氮化铝（ALSCN）的设计，制造和实验验证，基于下一代内在计算机中的多重元素（MAC）操作。女性乘数利用ALSCN中的铁电偏振开关改变了压电系数（D 31），促进了神经网络中的权重的非挥发性，模拟记忆存储。然后，使用膜的压电参数来更改电容差距进行读数。在100V V P（5MV/cm）的电压下，铁电薄膜可以部分极化，并达到216 µC/cm 2的峰值残余极化。对光学测量位移的实验结果证实了ALSCN Unimorph乘数的操作。最大共振模式位移线性取决于极化和输入电压。这项工作为在内存计算中利用ALSCN的利用提供了基本见解，开放了用于高速，低功率和高精度计算应用程序的新途径。
双蚀刻方法用于制造纳米光子...
将范德华（VDW）材料集成到光子设备中，为许多新的量子和光电应用奠定了基础。尽管在VDW晶体的光子构建块的纳米化过程中取得了巨大进展，但仍然存在局限性，特别是在大面积设备和掩蔽中。在这里，我们将重点放在六角硼（HBN）作为VDW材料上，并提出了一种双蚀刻方法，该方法克服了与使用金属膜和基于抗拒膜的方法相关的问题。通过设计和制造一组功能性光子组件（包括波导，环谐振器和光子晶体腔）来证明开发方案的效率。通过在几个关键频谱范围内的光学表征来证明制造结构的功能。这些包括近红外和蓝色范围，其中HBN硼空缺（V b-）旋转缺陷分别和相干B中心量子发射器发射。双蚀刻方法可实现高质量因子光腔的制造，并构成了VDW材料片上整合的有希望的途径。
对宽度比依赖蚀刻率的影响
对etch速率依赖倍数的影响：实验和建模Lingkuan Meng Meng Microectronics，中国科学院，北京100029，P。R.中国作为3D IC技术的演变，TSV（通过Silicon via via via）eTch的发展越来越多
将解离能与聚合物蚀刻速率相关联
超越了ohnishi参数：将解离能与聚合物蚀刻相关联Stanfield Youngwon Lee *，Min Kyung Jang，Jae Yun Ahn，Jae Yun Ahn，Jung Jung June Lee和Jin Hong Park Dupont Electronics＆Internalics＆Internalics＆Industrial，20 Samsung 1-Ro 5gil，Hwaseong-si，Gyeeegi-siea，gyeeeegi-do， *stanfield.lee@dupont.com随着光刻图案的大小继续减少，具有快速蚀刻速率和高蚀刻选择性的功能性子层对于维持良好的长宽比和促进成功的模式转移是必要的。因此，预测聚合物蚀刻速率的方法的研究和开发对于设计聚合物在光刻子层中的成功利用至关重要。从这些方法中，OHNISHI参数通常被称为聚合物在某些蚀刻条件下的易于易于。，尽管O.P.值可以是一个强大的预测工具，在某些单体的实现中发现了实际蚀刻率的差异。试图阐明导致这些变化的因素，计算了一系列具有已知蚀刻速率的聚合物的键解离能。与先前引用的研究结合使用，我们的初始发现概述了采用解离能作为OHNISHI参数的替代方案的优势。关键字：ohnishi参数，蚀刻速率，功能性子公司，债券解离能1。引言随着光刻术继续向较低波长的能源过渡，以满足对较小模式大小的需求[1-3]，因此新的材料设计正在不断变化，以满足每一代的需求。然而，尽管每一代人的逝世经常导致不同的子层要求，但某些关键参数仍然坚定不移。其中一种是具有相对更快的蚀刻速率或更高蚀刻性的材料，而蚀刻性的选择性比构成光蛋白天（PR）层的材料。可以提出，随着光刻堆栈的大小不断缩小[4]，蚀刻率不再是主要因素。的确，对有机单层的研究[5-10]，薄无机子层[11-13]，甚至没有有机子层[14]的研究。然而，诸如涂层均匀性，差的模式转移和粘附等问题以及有机抵抗和底层之间的兼容性问题阻碍了这些方法的广泛应用[15,16]。
对(𝟐̅𝟎𝟏)中蚀刻坑参数的分析......
摘要。将选择性湿法蚀刻技术应用于商用（2 ̅ 01）β-Ga 2 O 3 单晶衬底。一些蚀刻配方使我们能够在衬底表面上显示出尖锐的蚀刻坑。在交付的样品中研究了蚀刻坑的几何形状、方向和密度。对蚀刻坑相互位置的观察表明，加热后可能形成小角度晶界。将选择性湿法蚀刻技术应用于商用（2 ̅ 01）β-Ga 2 O 3 单晶衬底。一些蚀刻配方使我们能够在衬底表面上显示出尖锐的蚀刻坑。在交付的样品中研究了蚀刻坑的几何形状、方向和密度。对蚀刻坑相互位置的观察表明，加热后可能形成小角度晶界。关键词：选择性湿法蚀刻，β-Ga 2 O 3，氧化镓，半导体，晶体衬底，小角度晶界
Bosch 工艺中 Al2O3 硬掩模的蚀刻机理
通过 Bosch 工艺在硅中蚀刻高深宽比结构对于微机电系统 (MEMS) 和硅通孔 (TSV) 制造等现代技术至关重要。由于蚀刻时间长，该工艺对掩模选择性的要求非常高，并且事实证明 Al 2 O 3 硬掩模在这方面非常合适，因为与传统的 SiO 2 或抗蚀剂掩模相比，它提供了高得多的选择性。在这项工作中，我们结合使用扫描电子显微镜 (SEM)、光谱椭圆偏振仪 (SE) 和 X 射线光电子能谱 (XPS) 深度剖析来仔细研究 Al 2 O 3 掩模蚀刻机理，从而探究超高选择性的来源。我们证明，通过增加钝化步骤时间，在 Al 2 O 3 上会形成更厚的氟碳聚合物层，然后以微小的平均蚀刻速率 ~0.01 nm/min 去除 Al 2 O 3。 XPS 深度剖析显示，在采用 Bosch 工艺进行深反应离子蚀刻 (DRIE) 的过程中，聚合物和 Al 2 O 3 之间会形成一层 AlF x 层。由于 AlF x 不挥发，因此需要溅射才能去除。如果聚合物层足够厚，可以衰减进入的离子，使其能量不足以导致 AlF x 解吸（例如当使用较长的钝化时间时），则掩模不会被侵蚀。通过研究不同次数 DRIE 循环后的表面，我们还获得了有关 AlF x 的形成速率以及 DRIE 工艺过程中 Al 2 O 3 和聚合物厚度变化的信息。这些发现进一步扩展了对 DRIE 的认识，并可帮助工艺工程师相应地调整工艺。
具有 5 纳米图案化能力的高抗蚀刻性含二茂铁嵌段共聚物
1.引言在摩尔定律的驱动下，半个多世纪以来半导体产业一直致力于缩小特征尺寸。最近，13.5 纳米极紫外光刻 (EUVL) 技术已经应用于 5 纳米节点 HVM。由于目前 0.33 NA 的限制，EUVL 无法分辨小于 13 纳米线/线距的特征。与 EUVL 相比，定向自组装 (DSA) 表现出高达 5 纳米 L/S 的极精细分辨率，被视为亚 10 纳米甚至亚 5 纳米特征尺寸的潜在图案化技术[1-9]。最近，含金属 EUV 光刻胶已被开发用于提高超薄 EUV 光刻胶膜的抗蚀刻性[10，11]。最近，我们的研究小组报道了一系列具有氟化嵌段的 BCP，经过中等温度下 1 分钟的热退火后迅速形成亚 5 纳米域[12，13]。我们假设氟化侧链对超精细分辨率和图案化速度起着关键作用。然而，由于薄膜超薄，抗蚀刻性是 5 纳米以下 DSA 材料的主要问题。
深硅蚀刻应用的无损斜面工艺集成解决方案
硅制造技术已成功应用于开发芯片实验室应用设备。最近，我们提出了针对单核苷酸多态性 (SNP) 检测的芯片实验室 (LoC) 系统 [1-2]。单核苷酸多态性 (SNP) 是指 DNA 序列中只有一个核苷酸的差异。每个人大约有 5 x 10 6 个 SNP [3- 4]。SNP 会导致人与人之间的差异，例如长度、头发和眼睛的颜色，但更重要的是，SNP 会导致对药物的反应和患病倾向的差异；因此，经济高效的 SNP 检测可以在个性化医疗保健中发挥重要作用。在我们提出的 LoC 系统中，主要组件是微柱过滤器、混合器、聚合酶链反应 (PCR) 腔和储液器。这些结构由 DSiE 制造。这些结构的目标深度为 250-300µm。