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破坏了出生的儿童的静止状态脑网络动态极端早产
发育中的大脑必须适应极其早产（EPT）出生后的环境和内在侮辱。正在进行的成熟过程最大程度地适合环境，这可以为神经发育失败提供底物。静止状态功能磁共振成像用于扫描33名出生的EPT儿童，胎龄<27周，在10岁时进行了26个完美控制。我们研究了大脑区域传播神经信息（固有点火）及其跨时间的可变性（节点 - 测素）的能力。该框架是针对背部注意网络（DAN），Frontoparietal，默认模式网络（DMN）以及显着性，边缘，视觉和体感网络计算的。与对照组相比，EPT组在DMN和DAN中显示出固有的点火降低，并且在DMN，DAN和显着性网络中降低了淋巴结量。两组的固有点火和节点 - 渗透率值与12岁的认知性能相关，但在调整后仅在术语组中存活。早产扰乱了3个核心高级网络中休息的功能性脑组织的签名：DMN，显着性和DAN。在EPT诞生后识别脆弱的静止状态网络可能会导致旨在重新平衡大脑功能的干预措施。
RXXXXXX 5 月 23 日 FM COMNAVRESFOR NORFOLK VA 至 NAVRESFOR INFO CNO 华盛顿特区 BT UNCLAS SUBJ/2022 年度海军预备役水手// MSGID/GENADMIN/COMNAVRESFOR/N00FEB// POC/TRACY HUNT/FORCM/CNO 华盛顿特区//N095MC1/EMAIL：TRACY.L.HUNT.MIL(AT)US.NAVY.MIL/TEL：(703)695-3976// RMKS/1。我非常高兴地宣布 CTR1(IW/EXW) Lewis McClintock 被选为 2022 年度海军预备役水手。McClintock 军士来自加利福尼亚州圣地亚哥，目前被分配到 NR C10F NIOCHI NIC (CNIFR)。入选后，CTR1 McClintock 将被推荐给海军人事长，以表彰其晋升为首席士官。 2. 今年我们有五位杰出的候选人，全部获胜。其他入围者包括： -BM1(EXW) Scott Graham，MSRON 8 (NECC)，来自马萨诸塞州西康克。 -RP1(SCW) Michael Pornovets，COMNAVSURFPAC (PACFLT)，来自密西西比州比洛克西。 -MA1 Jose Rivera，NR NSF AUTEC (NAVSEA)，来自佛罗里达州西棕榈滩。 -HM1(FMF) Daniel Vetan，MFR/MFS (第 4 MED 营)，佛罗里达州奥克兰公园。 3. 入围者将于 2023 年 5 月 15 日至 19 日在 FORCM Tracy Hunt 主办的海军预备役年度水手表彰周期间获得表彰。 4. 这一级别的竞争非常激烈。我们的每一位决赛选手都出色地代表了他们的部队和海军，他们应该为自己的职业和个人成就感到自豪。干得好，祝贺这些出色的表现者。你们继续提高标准，激励那些我们期望在未来几年看到的人。5. 我要特别感谢支持每位决赛选手的家人和雇主。6. 由海军预备役部队指挥官 VADM JB Mustin 发布。// BT
RXXXXXX 5 月 23 日 FM COMNAVRESFOR NORFOLK VA 至 NAVRESFOR INFO CNO 华盛顿特区 BT UNCLAS SUBJ/2022 年度海军预备役水手// MSGID/GENADMIN/COMNAVRESFOR/N00FEB// POC/TRACY HUNT/FORCM/CNO 华盛顿特区//N095MC1/EMAIL：TRACY.L.HUNT.MIL(AT)US.NAVY.MIL/TEL：(703)695-3976// RMKS/1。我非常高兴地宣布 CTR1(IW/EXW) Lewis McClintock 被选为 2022 年度海军预备役水手。McClintock 军士来自加利福尼亚州圣地亚哥，目前被分配到 NR C10F NIOCHI NIC (CNIFR)。入选后，CTR1 McClintock 将被推荐给海军人事长，以表彰其晋升为首席士官。 2. 今年我们有五位杰出的候选人，全部获胜。其他入围者包括： -BM1(EXW) Scott Graham，MSRON 8 (NECC)，来自马萨诸塞州西康克。 -RP1(SCW) Michael Pornovets，COMNAVSURFPAC (PACFLT)，来自密西西比州比洛克西。 -MA1 Jose Rivera，NR NSF AUTEC (NAVSEA)，来自佛罗里达州西棕榈滩。 -HM1(FMF) Daniel Vetan，MFR/MFS (第 4 MED 营)，佛罗里达州奥克兰公园。 3. 入围者将于 2023 年 5 月 15 日至 19 日在 FORCM Tracy Hunt 主办的海军预备役年度水手表彰周期间获得表彰。 4. 这一级别的竞争非常激烈。我们的每一位决赛选手都出色地代表了他们的部队和海军，他们应该为自己的职业和个人成就感到自豪。干得好，祝贺这些出色的表现者。你们继续提高标准，激励那些我们期望在未来几年看到的人。5. 我要特别感谢支持每位决赛选手的家人和雇主。6. 由海军预备役部队指挥官 VADM JB Mustin 发布。// BT
极早早期的早期，低剂量的氢化可的松和近期大脑连通性
此预印本版的版权持有人于2023年2月21日发布。 https://doi.org/10.1101/2022.11.25.222282693 doi：medrxiv preprint
SuperFi-Cas9表现出极高的保真度，但哺乳动物细胞的活性降低
。cc-by-nc-nd 4.0国际许可证未通过同行评审获得证明）是作者/资助者，他已授予Biorxiv授予Biorxiv的许可，以永久显示预印本。它是制作
精确控制ZnO纳米颗粒中表面氧空位的精确控制，用于极高的丙酮传感响应
摘要：ZnO由于其高灵敏度和快速响应而对化学传感器进行了深入研究。在这里，我们提出了一种简单的方法，可以精确控制氧气空位含量，以提供商业ZnO纳米植物的丙酮感应性能的显着增强。H 2 O 2处理和热退火的组合可在ZnO纳米颗粒（NPS）上产生最佳的表面缺陷。在400的最佳工作温度下，在0.125 m H 2 O 2中，在0.125 m H 2 O 2中获得了〜27,562的最高响应，在400的最佳工作温度下，基于金属氧化物半管子（MOSS）的各种丙酮传感器中，在各种丙酮传感器中，该ZnO NP的最高响应。此外，第一原理的计算表明，在H 2 O 2处理的ZnO NP的表面上形成的预称o可以提供有利的吸附能，尤其是对于丙酮检测，由于丙酮分子和Zno表面的丙酮和预测o之间的carbonyl C原子之间的强烈双态粘结。我们的研究表明，通过H 2 O 2处理控制表面氧空位并在最佳温度下重新拨动是一种有效的方法，可以提高商业MOS材料的感应特性。关键字：气体传感器；丙酮;金属氧化物半导体（MOSS）； ZnO纳米颗粒（NPS）; H 2 O 2
基于纳米纤纤维纤维素/聚体杂交气凝胶的形式稳定相变复合材料具有极高的能量存储密度和提高的光热转化效率
容量，合适的相变温度和化学稳定性。17 - 20然而，N-烷烃在太阳能利用中的大量应用是在相变期间受到液体泄漏问题的严重限制。将N-烷烃封装以形成核心 - 壳微囊被认为是一种有效的方法。但是，封装过程始终很复杂，并且封装的PCMS的相变焓显着减少。21 - 23因此，迫切需要制造含有高相变焓，形状和热稳定性的PCM的N-烷烃。最近，已引起广泛的关注，以浸入三维（3D）气凝剂中的PCM，以构建形状稳定的防漏PCM复合材料。24 - 26尤其是纳米 - 闪烁的纤维素（NFC）气凝胶不仅可以有效地防止固体 - 液态PCM的泄漏，而且还可以对环境友好。因此，有必要以NFC气凝胶作为支撑材料研究固体 - 液相变化材料。Kim等。 27使用甲基纤维素（CMC）制备的碳泡沫。 此外，复合PCM（CPCM）通过真空浸渍将促红节醇纳入纤维素碳泡沫中。 热循环测试表明，与纯赤丝醇相比，CPCM表现出的相变焓损失要少得多。 这些结果可能发生了，因为碳泡沫的孔可以防止促赤醇的泄漏，从而最大程度地减少了通过毛细管热循环测试期间的潜热损失。 Lei等。 28通过准备了一种新颖的CPCMKim等。27使用甲基纤维素（CMC）制备的碳泡沫。此外，复合PCM（CPCM）通过真空浸渍将促红节醇纳入纤维素碳泡沫中。热循环测试表明，与纯赤丝醇相比，CPCM表现出的相变焓损失要少得多。这些结果可能发生了，因为碳泡沫的孔可以防止促赤醇的泄漏，从而最大程度地减少了通过毛细管热循环测试期间的潜热损失。Lei等。 28通过准备了一种新颖的CPCMLei等。28通过
使用极低频磁异常检测信号进行船舶检测
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利用极低频磁信号检测船舶
交流信号不受地磁噪声污染。磁性 ELF ~ 1/R 2 ，检测距离更长。使用相同标量 MAD 磁强计。磁强计本底噪声低（~ 0.1 pT/ Hz）。检测范围主要受环境噪声限制：1 pT/ Hz 为 400m，0.1 pT/ Hz 为 1200m。这项工作解决了单通道噪声问题
引言 纳米可靠性研究极其...
由于纳米结构组件在成本中占很大比例，并且在新设计的产品中起着关键作用，因此纳米可靠性研究极其重要。将功能性“智能”纳米材料集成到独立的 MEMS 设备中，极大地拓宽了微型系统的功能应用空间，包括用于生物医学应用的微流体和生物兼容微型设备。未来几十年，新兴纳米材料、纳米电子结构和纳米 MEMS 平台的集成水平将达到前所未有的水平。如今，深亚微米 CMOS 技术是开发现代计算机系统的基础，该系统广泛应用于几乎所有应用领域。晶体管尺寸的稳步减小允许高频率、更低的功耗和更高的性能。这提高了 VLSI 系统的性能，但对其可靠性产生了负面影响，大大增加了