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氧化还原响应二硫键交联的聚合物颗粒的合成和表征用于储能应用
摘要：用氧化还原响应的双（5-氨基-L，3,4-噻二二唑-2-基）二二二二氧化物二氧化合物的交联聚（5-氨基-L，3,4-氨基-L）产生功能的氧化还原活性颗粒（RAPS），可通过电化学储能通过逆转2-固定的固定来固定，将其功能储存。与溶液中的小分子拆分类似物相比，所产生的说唱表现出改善的电化学可逆性，这归因于粒子中聚合物接枝的二硫化物的空间配置。旋转式循环用于研究电解质选择对稳定性和特定能力的影响。最终选择了二甲基亚硫氧化二甲基三镁电解质电解质，以其有利的电化学可逆性和特定能力。此外，特定能力显示出对粒径的强烈依赖性，而较小的颗粒产生了更高的特定能力。总的来说，这些实验在设计合成和电化学稳定的材料方向上是有希望的，用于基于有机硫磺的多电体储能，并与MG等Li Ion Systems（例如MG）结合使用。
b-li3ps4固体晶界处的锂动力学...
SSLB中的一个活跃研究领域是发展高性能和实用的SE材料，这些材料表现出高房间温度（RT）Li Ionic电导率（S 300K Z 10 3 S CM 1），对于高速电池充电/放电至关重要。4在各种无机SE类别中，硫化物SES具有较高的S 300K，以及其他所需的SE特性，例如易于加工性和高机械锻造性。5–8硫代磷酸3 PS 4（LPS）是一个有前途的SE，存在于三个已知的多晶型物中：低温G相（PMN 2 1），高温B相（PNMA）和高温A相（CMCM）。8,9，B -lps以其较高的S 300K（最高10 4 s cm 1）和便利合成而闻名。10–13它在[010]晶体学方向上具有2D曲折的li扩散途径，由部分占据的4B – 4C Wyckoff站点链接组成（图1）。13个散装扩散得到了合作PS 4 3
可再生的异糖型半融合芳族芳族醚聚合物
，可以说是生产接近工程塑料性能的材料的最佳可持续单体之一。19 - 21，由于固定的刚性双环ste-旋转和同层的合成多功能性，其作为与已建立的双氟环烷基芳族苯乙烯（TFVE）单体共聚合的反应性，可产生半氟化的芳烯烯丙基乙烯乙烯乙烯（Fienylene vinylene Ethere）Polymers（Faive）。尽管通常使用双酚来生产最喜欢的聚合物，但已经报道了一些使用原发性脂肪族二醇的例子。22 - 25然而，没有以前的报道曾尝试使用二次或环状脂肪族二醇产生氟芳基芳基乙烯基醚（FAVE）聚体。在此，我们报告了与BIS -TFVE单体的商业异糖层的平均，无金属且有效的台阶增长聚合，以生成含有明显（23 - 31 wt。％）可再生且潜在可生物降解含量的最爱的聚合物。这种类型的半氟化物可以在涂料，光学膜和气体分离技术中找到应用。
液态铜上扭曲双层石墨烯的组装生长
自从石墨烯 (tBLG) 被发现以来，各种新奇的物理现象被揭示出来，例如独特的电子特性。 [3] 特别是，根据扭曲角度 (θ)，具有低θ（1.1至5°）的tBLG表现出不同的物理特性，例如莫特绝缘，超导和异常导电行为，这些特性引起了更多的关注。 [4] 此外，tBLG还被发现在电化学，手性和慢等离子体中发挥着重要作用。 [5] tBLG已成为探索物理性质和寻找新应用的有力模型。 因此，可控制备θ范围为0至30°的高质量tBLG是一项艰巨的挑战。 目前，tBLG的制备主要依赖于人工堆叠的方法，例如堆叠单层石墨烯和折叠单层石墨烯。 [6] 但多次转移过程形成的污染和褶皱不可避免地影响tBLG的耦合质量,降低其固有的物理性能。此外,在超高真空条件下,通过热Si升华在氢刻蚀的6H-SiC(000-1)衬底上制备了tBLG。[7] 但这种方法成本不高,并且需要复杂的石墨烯转移程序。化学气相沉积(CVD)被认为是一种制备高质量石墨烯的简便、可扩展的方法[8],其中Cu和Ni被广泛用作直接生长石墨烯的基底。然而,由于Cu中碳含量低,除非采用复杂的工艺,否则很难以Cu为催化剂制备多层石墨烯。[9] 此外,虽然已经利用Cu-Ni合金作为基底来控制石墨烯层的生长,但是很难打破AB堆叠石墨烯的对称性来形成扭曲石墨烯。[10] 最近,Sun等人[11] 在石墨烯层转移过程中,引入了碳和碳键,从而实现了石墨烯的转移。报道了一种在低压 CVD 系统下引入气流扰动的异位成核策略，用于在 Cu 箔上生长石墨烯畴。[11] 因此，迫切需要找到一种简单的方法来制备具有大扭曲角度范围窗口的高质量石墨烯畴，这对于探索石墨烯畴的独特性能非常关键和必要。在本文中，我们开发了一种在环境压力下在液态 Cu 基底上制备石墨烯畴的简便方法。在高于固态 Cu 熔点（1083 ° C）的生长温度下，在液态 Cu 表面生长的石墨烯畴保持对齐取向。通过调节生长温度，对齐状态被打破，在液态 Cu 上生长的石墨烯畴在表面下移动和旋转
水热合成钴钌硫化物作为...
摘要：本文报道了通过简便的水热法成功合成钴钌硫化物。使用 X 射线衍射、X 射线光电子能谱和拉曼光谱对所制备的钴钌硫化物的结构进行了表征。所有制备的材料均呈现纳米晶体形态。通过循环伏安法 (CV)、恒电流充放电 (GCD) 和电化学阻抗谱技术研究了三元金属硫化物的电化学性能。值得注意的是，优化后的三元金属硫化物电极表现出良好的比电容，在 5 mV s -1 时为 95 F g -1，在 1 A g -1 时为 75 F g -1，优异的倍率性能（在 5 A g -1 时为 48 F g -1）和优异的循环稳定性（1000 次循环后电容保持率为 81%）。此外，该电极在功率密度为 600 和 3001.5 W kg -1 时的能量密度分别为 10.5 和 6.7 Wh kg -1。这些诱人的特性使所提出的电极在高性能储能装置中具有巨大的潜力。
对二聚体受体及其聚合物太阳能电池的构象的效率超过18％
摘要：确定寡聚受体（OAS）的分子构象及其对分子填料的影响对于理解其所得聚合物太阳能电池（PSC）的光伏性能至关重要，但尚未得到很好的研究。在此，我们合成了两个二聚体受体材料，dibp3f-se和dibp3f-s，它们分别通过硒和噻吩桥接了Y6衍生物的两个段。理论仿真以及实验1D和2D NMR光谱研究证明，两个二聚体都表现出除S-或U形的相对词以外的O形构象。值得注意的是，这种O形构象可能受到独特的“构象锁定”机制的控制，这是由于其在二聚体内的两个末端组之间的分子内π -π相互作用加剧而产生的。基于Dibp3F-SE的PSC提供的最大效率为18.09％，表现优于基于DIBP3F-S的细胞（16.11％），并且在基于OA的PSC的最高效率中排名。这项工作展示了一种轻松获得OA构象的方法，并突出了二聚体受体对高性能PSC的潜力。
有效的分离和选择性的li回收<...
摘要鉴于对锂离子电池（LIBS）的快速增长需求以及即将到来的自由lib退休的高潮，对用过的LIB的有效回收表明，对经济利益和环境保护的重要性越来越大。使用Lifepo 4（LFP）阴极的LIB占LIB市场的一半，因此必须为用过的LFP（SLFP）电池开发适当的回收方式。在这项工作中，提出了SLFP阴极的闭环再生，其中发明了一种易于的冷刺激途径，以使SLFP层从Al Foil中剥离，然后在基于NACLO的氧化剂的情况下，在果皮SLFP层中选择性地有效地从果皮SLFP层中选择性地提取了Li和Fe元素。元素Li的浸出率可以达到98.3％，并且通过恢复的Li 2 Co 3和FEPO 4合成的重生LFP显示出卓越的性能，排放能力为162.6 mAh g -1，在0.5 C下为162.6 mAh g -1。这种再生路线大大降低了化学型的使用，从而缩短了Inpurity Remaver the Impurity Remaver the Impurity powner，因此，将Slfrity Remerties和Charefore conlef inflip crolection降低了，并将其重新降低。
超微孔钙方酸盐金属有机骨架的气溶胶喷射打印
金属有机骨架 (MOF) 是具有独特吸附性能的微孔结晶配位聚合物。它们在催化、1 气体存储、2 分离 3 和微电子领域显示出了巨大的潜力。4 作为传感器涂层，它们可以将分析物富集在传感器表面，在某些情况下是选择性的。5,6 然而，由于缺乏简便和通用的沉积和图案化技术，它们的集成受到阻碍。7,8 基于溶液的 MOF 沉积技术，例如化学溶液生长或液相外延，可能会导致腐蚀或污染。4 化学气相沉积可以避免这些风险，9 但受到金属前体的反应性和连接剂的挥发性的限制。已经展示了多种用于 MOF 涂层的图案化方法。减法方法（例如剥离图案化 9,10 或无抗蚀剂直接光刻 11）涉及修改整个基板，这增加了残留物污染的风险。相比之下，加法图案化技术（例如选择性生长 12、微接触 12,13 和喷墨打印 14,15）仅将目标材料沉积在基板的有限区域上。喷墨打印特别
水热合成和氧化铁纳米颗粒的表征
氧化铁纳米颗粒是非常有用的材料，因为它们具有珍贵和潜在的应用，丰度，较低的加工成本，稳定性，环境友好的功能和生物相容性[1]。近年来，α-FE 2 O 3已广泛应用于催化剂，气体传感器，色素，光学和电磁，药物递送等，因为它们的增强特性归因于其各种结构[2]。氧化铁纳米颗粒已经通过各种方法合成，但是开发易于环保和环保的合成方法至关重要[3]。赤铁矿（α-FE 2 O 3）的带隙为1.9-2.2 eV，可以充当非常好的半导体催化剂[4]。在合成过程中，材料的带隙的变化可能有助于进一步改善其生物医学应用和光学特性[5]。纳米化材料的最新发展显示出多种用途，例如可充电电池，超级电容器，磁性材料，照片催化降解和电极材料[6]。铁的氧化物以三种常见形式出现，即赤铁矿，磁铁矿和磁铁矿，其中赤铁矿（α-fe 2 O 3）是