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HBN缺陷数据库：六角硼硝酸盐中颜色中心的理论汇编
摘要：由于量子技术在量子技术中的潜在应用，六角形氮化硼（HBN）的颜色中心已成为经过深入研究的系统。已经制造出了各种各样的缺陷，但是对于许多缺陷而言，原子来源仍然不清楚。缺陷的直接成像在技术上非常具有挑战性，特别是因为在衍射有限的位置，有许多缺陷，然后必须识别出光学活动的缺陷。另一种方法是将光物理特性与理论模拟进行比较，并确定哪个缺陷具有匹配的签名。已经证明，单个属性不足，导致错误弥补。在这里，我们发布了一个基于功能理论的密度可搜索的在线数据库，涵盖了HBN缺陷的电子结构（257个三重态和211个单元配置），以及它们的光物理指纹（激发态态寿命，量子效率，过渡偶极时间和方向和方向，极化可见度等）。所有数据都是开源的，可以在https://h-bn.info上公开访问，并且可以下载。可以输入实验观察到的缺陷签名，数据库将输出可能的候选物，可以通过输入尽可能多的观察到的属性来缩小候选物。数据库将不断更新，并具有更多的缺陷和新的光物理属性（任何用户也可以专门要求）。因此，数据库允许一个人可靠地识别缺陷，还可以研究哪些缺陷对于磁场传感或量子存储器应用可能有希望。
来自HBN- ... 的纯共振状态的电致发光 下一代雄激素受体抑制剂的临床药代动力学和药效学-Darolutamide 灵活的内部学系统的组织 扩展了Boltzmann温度计的动态温度范围 高级制造的新欧洲计量网络 由阿尔茨海默氏病与瑞典淀粉样蛋白前体蛋白突变引起的神经毒性机制
宽频段晶体中的抽象缺陷中心对它们在光电和传感器技术中的应用中的潜力引起了人们的兴趣。然而，众所周知，由于钻石，碳化硅或氧化铝的高度绝缘晶体中的缺陷，由于其较大的内部耐药性，因此很难电气兴奋。为了应对这一挑战，我们意识到了基于十六角硼（HBN）的碳中心的垂直隧道连接处令人兴奋的缺陷范式。通过Van der Waals技术的设备的合理设计使我们能够升高和控制与缺陷到波段和intradefect的电致发光有关的光学过程。对隧道事件的基本理解是基于HBN中的谐振缺损状态之间电子波函数振幅转移到石墨烯中金属状态的，这导致由于组成材料的不同条带结构而导致电子特性的巨大变化。在我们的设备中，通过隧道通路的电子衰变与辐射重组竞争，由于特征性隧道时间在屏障的厚度和结构上具有显着的敏感性，导致载体动力学的可调性程度。这使我们能够实现Intrade的过渡的高耐高率电激发，超过了几个数量级，因此在子兰段式方案中光激发的效率。这项工作代表了通用且可扩展的平台的显着进步，用于使用宽带间隙晶体中的缺陷中心的电动设备，其特性通过在设备工程水平上激活不同的隧道机制进行调制。
在相称的扭曲双层石墨烯和sol; hbnmoirélattices
1 Jara-Fit和第二届物理研究所，RWTH亚尚大学，52074，德国亚兴2彼得·格伦伯格研究所（PGI-9），福尚斯特里姆·尤里奇·吉利希·吉姆布斯（ForschungszentrumJülichGmbh） ForschungszentrumJülichGmbH，52425尤利希，德国5 5号电子和光学材料研究中心，美国国家材料科学研究所，1-1 Namiki，Tsukuba，Tsukuba 305-0044，日本6日6日6研究中心，NANOARCHITONICS，NANOARCHITOCICS，NANOCHITOCITIC物理学，亚太大学的物理学和未来信息技术的Jara基础知识，52062德国亚兴8 Max Planck物质结构与动态研究所，免费电子激光科学中心，22761汉堡，德国，德国1 Jara-Fit和第二届物理研究所，RWTH亚尚大学，52074，德国亚兴2彼得·格伦伯格研究所（PGI-9），福尚斯特里姆·尤里奇·吉利希·吉姆布斯（ForschungszentrumJülichGmbh） ForschungszentrumJülichGmbH，52425尤利希，德国5 5号电子和光学材料研究中心，美国国家材料科学研究所，1-1 Namiki，Tsukuba，Tsukuba 305-0044，日本6日6日6研究中心，NANOARCHITONICS，NANOARCHITOCICS，NANOCHITOCITIC物理学，亚太大学的物理学和未来信息技术的Jara基础知识，52062德国亚兴8 Max Planck物质结构与动态研究所，免费电子激光科学中心，22761汉堡，德国，德国
HBN封装的石墨烯通过1D电极偶联到等离子元素，用于光电检测应用
然而，石墨烯设备物理学的一个重要结果是，有必要将石墨烯单层封装在两片绝缘二维材料六角型硝酸硼（HBN）之间，以实现理想的较高的运输特性。[27,28]此包封可确保在环境条件下进行化学稳定，因为石墨烯受到保护不受大气吸附物的保护。封装还可以确保原子上的石墨烯片，从而实现室温弹道传输。[27]因此，HBN中石墨烯的封装已迅速成为设备社区中的标准平台，并且很可能成为潜在的未来石墨烯设备行业中的主要平台。此外，扭曲的双层石墨烯的生长领域完全取决于HBN封装以生产扭曲的双层。石墨烯和HBN之间的强范德华吸引力是使石墨烯晶体一部分精确的角度堆叠到自身上的方法。[28,29]
在悬浮石墨烯/HBN异质结构中的热电子
1 College of Advanced Interdisciplinary Studies & Hunan Provincial Key Laboratory of Novel Nano-optoelectronic Information Materials and Devices, National University of Defense Technology, Changsha, Hunan 410073, People's Republic of China 2 Nanhu Laser Laboratory, National University of Defense Technology, Changsha, Hunan 410073, People's Republic of China 3 State Key Laboratory of Quantum Optics and Quantum Optics Devices, Institute of Opto-Electronics, Shanxi University, Taiyuan 030006, People's Republic of China 4 Collaborative Innovation Center of Extreme Optics, Shanxi University, Taiyuan 030006, People's Republic of China 5 State Key Laboratory of Quantum Optics and Quantum Optics Devices, Institute of Laser Spectroscopy, Shanxi University, Taiyuan 030006, People's Republic of China 6 Institute for新加坡新加坡国立大学功能智能材料，新加坡117544，新加坡材料科学与工程系，新加坡国立大学，新加坡117575，新加坡
2DHetero：hBN/石墨烯 2D 异质结构
石墨烯是一种二维材料，以其出色的电子特性而闻名。然而，为了在实际设备中利用这些特性，必须大大减少与基板和任何周围材料的电子耦合。六方氮化硼 (hBN) 是另一种二维材料，在这方面非常有前景。它既可用于将石墨烯与基板隔离，也可用于作为栅极介电材料。虽然通过机械剥离和转移获得的设备确实证实了石墨烯/hBN 异质结构的强大潜力，但可扩展且可靠的生长技术仍有待证明：开发制造二维异质结构的新方法非常重要。通过结合项目合作伙伴的专业知识和资源，拟议研究的目的是探索和开发在与 Si 微电子兼容的基板上制造石墨烯/hBN 异质结构的各种方法。为了实现这些目标，石墨烯/hBN 异质结构将通过两种主要方法生长：分子束外延和化学气相沉积。该项目过程中开发的特定成核增强横向图案化技术可能会改善该工艺。将应用先进的显微镜和光谱技术来提供有关薄膜形态、晶体学、化学和电学特性的信息。将通过从头算密度泛函理论进行原子计算，并辅以大规模动力学蒙特卡罗模拟，以了解生长机制和最佳工艺条件。