卫生部的“提供同性住宿” (DSSA) 计划旨在到 2010 年之前,几乎消除英格兰医院的男女混合住宿。尽管 DSSA 主要是一个运营问题,但医疗设施的设计和布局可以帮助支持提供同性住宿。考虑到这一点,卫生部的《健康建筑说明》 (HBN) 系列出版物已根据 DSSA 要求进行了审查。已对本文件第 3.26 段进行了修订。本评论特别参考了首席护理官和 NHS 财务、绩效和运营总监的来信 (PL/CNO/2009/2),网址为:www.dh.gov.uk/en/Publicationsandstatistics/Lettersandcirculars/Professionalletters/Chiefnursingofficerletters/DH_098894 DSSA 计划的全部详细信息请访问:www.dh.gov.uk/en/Healthcare/Samesexaccommodation/index.htm
石墨烯是一种二维材料,以其出色的电子特性而闻名。然而,为了在实际设备中利用这些特性,必须大大减少与基板和任何周围材料的电子耦合。六方氮化硼 (hBN) 是另一种二维材料,在这方面非常有前景。它既可用于将石墨烯与基板隔离,也可用于作为栅极介电材料。虽然通过机械剥离和转移获得的设备确实证实了石墨烯/hBN 异质结构的强大潜力,但可扩展且可靠的生长技术仍有待证明:开发制造二维异质结构的新方法非常重要。通过结合项目合作伙伴的专业知识和资源,拟议研究的目的是探索和开发在与 Si 微电子兼容的基板上制造石墨烯/hBN 异质结构的各种方法。为了实现这些目标,石墨烯/hBN 异质结构将通过两种主要方法生长:分子束外延和化学气相沉积。该项目过程中开发的特定成核增强横向图案化技术可能会改善该工艺。将应用先进的显微镜和光谱技术来提供有关薄膜形态、晶体学、化学和电学特性的信息。将通过从头算密度泛函理论进行原子计算,并辅以大规模动力学蒙特卡罗模拟,以了解生长机制和最佳工艺条件。
摘要:由于量子技术在量子技术中的潜在应用,六角形氮化硼(HBN)的颜色中心已成为经过深入研究的系统。已经制造出了各种各样的缺陷,但是对于许多缺陷而言,原子来源仍然不清楚。缺陷的直接成像在技术上非常具有挑战性,特别是因为在衍射有限的位置,有许多缺陷,然后必须识别出光学活动的缺陷。另一种方法是将光物理特性与理论模拟进行比较,并确定哪个缺陷具有匹配的签名。已经证明,单个属性不足,导致错误弥补。在这里,我们发布了一个基于功能理论的密度可搜索的在线数据库,涵盖了HBN缺陷的电子结构(257个三重态和211个单元配置),以及它们的光物理指纹(激发态态寿命,量子效率,过渡偶极时间和方向和方向,极化可见度等)。所有数据都是开源的,可以在https://h-bn.info上公开访问,并且可以下载。可以输入实验观察到的缺陷签名,数据库将输出可能的候选物,可以通过输入尽可能多的观察到的属性来缩小候选物。数据库将不断更新,并具有更多的缺陷和新的光物理属性(任何用户也可以专门要求)。因此,数据库允许一个人可靠地识别缺陷,还可以研究哪些缺陷对于磁场传感或量子存储器应用可能有希望。
1 Jara-Fit和第二届物理研究所,RWTH亚尚大学,52074,德国亚兴2彼得·格伦伯格研究所(PGI-9),福尚斯特里姆·尤里奇·吉利希·吉姆布斯(ForschungszentrumJülichGmbh) ForschungszentrumJülichGmbH,52425尤利希,德国5 5号电子和光学材料研究中心,美国国家材料科学研究所,1-1 Namiki,Tsukuba,Tsukuba 305-0044,日本6日6日6研究中心,NANOARCHITONICS,NANOARCHITOCICS,NANOCHITOCITIC物理学,亚太大学的物理学和未来信息技术的Jara基础知识,52062德国亚兴8 Max Planck物质结构与动态研究所,免费电子激光科学中心,22761汉堡,德国,德国1 Jara-Fit和第二届物理研究所,RWTH亚尚大学,52074,德国亚兴2彼得·格伦伯格研究所(PGI-9),福尚斯特里姆·尤里奇·吉利希·吉姆布斯(ForschungszentrumJülichGmbh) ForschungszentrumJülichGmbH,52425尤利希,德国5 5号电子和光学材料研究中心,美国国家材料科学研究所,1-1 Namiki,Tsukuba,Tsukuba 305-0044,日本6日6日6研究中心,NANOARCHITONICS,NANOARCHITOCICS,NANOCHITOCITIC物理学,亚太大学的物理学和未来信息技术的Jara基础知识,52062德国亚兴8 Max Planck物质结构与动态研究所,免费电子激光科学中心,22761汉堡,德国,德国
然而,石墨烯设备物理学的一个重要结果是,有必要将石墨烯单层封装在两片绝缘二维材料六角型硝酸硼(HBN)之间,以实现理想的较高的运输特性。[27,28]此包封可确保在环境条件下进行化学稳定,因为石墨烯受到保护不受大气吸附物的保护。封装还可以确保原子上的石墨烯片,从而实现室温弹道传输。[27]因此,HBN中石墨烯的封装已迅速成为设备社区中的标准平台,并且很可能成为潜在的未来石墨烯设备行业中的主要平台。此外,扭曲的双层石墨烯的生长领域完全取决于HBN封装以生产扭曲的双层。石墨烯和HBN之间的强范德华吸引力是使石墨烯晶体一部分精确的角度堆叠到自身上的方法。[28,29]
1 College of Advanced Interdisciplinary Studies & Hunan Provincial Key Laboratory of Novel Nano-optoelectronic Information Materials and Devices, National University of Defense Technology, Changsha, Hunan 410073, People's Republic of China 2 Nanhu Laser Laboratory, National University of Defense Technology, Changsha, Hunan 410073, People's Republic of China 3 State Key Laboratory of Quantum Optics and Quantum Optics Devices, Institute of Opto-Electronics, Shanxi University, Taiyuan 030006, People's Republic of China 4 Collaborative Innovation Center of Extreme Optics, Shanxi University, Taiyuan 030006, People's Republic of China 5 State Key Laboratory of Quantum Optics and Quantum Optics Devices, Institute of Laser Spectroscopy, Shanxi University, Taiyuan 030006, People's Republic of China 6 Institute for新加坡新加坡国立大学功能智能材料,新加坡117544,新加坡材料科学与工程系,新加坡国立大学,新加坡117575,新加坡
抽象相干量子发射器是高级量子技术的中心资源。六角硼硝酸盐(HBN)容纳了一系列量子发射器,可以使用诸如高温退火,光学掺杂和用电子或离子辐照等技术进行设计。在这里,我们证明了此类过程可以降低HBN中量子发射器的连贯性,从而降解功能。具体来说,我们表明,在HBN纳米化方案中常规使用的HBN退火和掺杂方法会导致B-中心量子发射器的脱谐。详细表征了Decerention,并归因于在SPE激发期间静电波动并诱导光谱扩散的电荷陷阱的缺陷。当发射器是通过HBN生长的原始薄片的电子束照射来设计的,在HBN的电子束辐射中,B-中心线宽接近涉及干扰和纠缠所需的量子应用所需的寿命极限。我们的工作强调了晶格质量对于在HBN中实现相干量子发射器的至关重要性,尽管人们普遍认为HBN晶格和HBN SPE非常稳定,并且对化学和热降解具有弹性。它强调了对纳米制作技术的需求,这些技术在工程HBN SPES和量子交联技术的设备上时避免了晶体损伤。
从散装到单层guillaume cassabois laboratoire查尔斯·库仑(UMR5221)CNRS-montpellier University,F-34095 Montpellier,法国guillaume.cassabois.cassabois@umontpellier.fr Hexagonal Boron Nitride(Hexagonal Boron Nitride(Hbbn)依靠其低介电常数,高导热率和化学惰性。2004年,高质量晶体的生长表明,HBN也是深层硫酸群域中发光设备的有前途的材料,如加速电子激发[1]在215 nm处的激光证明[1],也证明了激光的表现[1],也证明了LASITIOL ELLICTER ELLICTIOL [1],也证明了LASITER IN-type-type-type-type-type-typepe inter-typepe intype intype-ultraviolet [1]。具有类似于石墨烯的蜂窝结构,大量HBN作为具有原子光滑表面的石墨烯的特殊底物获得了极大的关注,更普遍地是范德华异质结构的基本构建块[3]。我将在此处讨论我们的结果,以从批量到单层的HBN的光电特性。i将首先关注散装HBN,这是一个间接的带隙半导体,具有非凡的特性[4]。i将介绍我们最近的测量结果,揭示了散装HBN中巨大的光 - 物质相互作用[5]。然后,我将向单层HBN讲话。在通过高温MBE在石墨上生长的样品中,在与原子上薄的HBN发射的共鸣中发现了最小的反射率,从而证明了单层HBN的直接带隙[6]。最近通过从散装晶体中去除的单层HBN中的深度硫酸盐中的高光谱成像进一步证实了这些结果[7]。参考
摘要:托有室温单光子发射器(SPE)的二维六角硼(HBN)有望用于量子信息应用。朝着HBN实际应用的重要一步是按需,位置控制的SPE。报告的用于确定性创建HBN SPE的策略要么依赖于与综合光子学不兼容的基材纳米图案,要么利用可能引入不可预测的HBN损害或污染的辐射源。在这里,我们报告了一种无辐射和光刻的途径,以确定性地通过纳米引导使用原子力显微镜(AFM)激活HBN SPE。该方法适用于二氧化硅 - 硅底物上的hbn扁曲,可以很容易地集成到片上光子设备中。对于多个凹痕尺寸,所达到的SPE收率高于30%,并且在400 nm左右的凹痕显示最大产量为36%。我们的结果标志着HBN SPE与光子和等离子设备的确定性创建和整合的重要一步。关键字:HBN,单光子发射器,原子力显微镜,纳米凹痕,片上积分■简介
使用粘合带的机械去角质进行了在六角硼(HBN)的天然晶体上进行的(图S1面板A和C),石墨烯(图s1 b)和石墨(图s1 d)在氧化硅晶片(290nm)上。h-bn薄片被用作顶部(图s1 a)和底部(图s1 c)介电层以及15 nm石墨片。通过手写笔轮廓仪中的测量确认了厚度。在异质结构的堆叠过程中,制造了聚碳酸酯(PC)膜并沉积在聚二甲基硅氧烷(PDMS)上。使用不同层的自然边缘对准两种材料的晶体方向,将顶部HBN薄片捡起50-60°,并在190°的石墨烯单层上沉积。之后,清洁HBN/石墨烯异质结构,通过在氯仿中冲洗几分钟来去除聚碳酸酯膜。使用相同的技术将HBN底部薄片沉积到石墨后门上。最后,堆叠的HBN顶部和石墨烯片以类似的方式捡起,并沉积在HBN底部和石墨堆上,并与天然边缘对齐。