抽象相干量子发射器是高级量子技术的中心资源。六角硼硝酸盐(HBN)容纳了一系列量子发射器,可以使用诸如高温退火,光学掺杂和用电子或离子辐照等技术进行设计。在这里,我们证明了此类过程可以降低HBN中量子发射器的连贯性,从而降解功能。具体来说,我们表明,在HBN纳米化方案中常规使用的HBN退火和掺杂方法会导致B-中心量子发射器的脱谐。详细表征了Decerention,并归因于在SPE激发期间静电波动并诱导光谱扩散的电荷陷阱的缺陷。当发射器是通过HBN生长的原始薄片的电子束照射来设计的,在HBN的电子束辐射中,B-中心线宽接近涉及干扰和纠缠所需的量子应用所需的寿命极限。我们的工作强调了晶格质量对于在HBN中实现相干量子发射器的至关重要性,尽管人们普遍认为HBN晶格和HBN SPE非常稳定,并且对化学和热降解具有弹性。它强调了对纳米制作技术的需求,这些技术在工程HBN SPES和量子交联技术的设备上时避免了晶体损伤。
六角硼硝酸盐(H-BN)由于其令人难以置信的电气,热和机械性能而近期引起了很多关注。其化学成分导致其化学惰性和无毒性,这使其与石墨材料不同(1)。过去,H-BN由于其摩擦学特性,即摩擦,润滑,表面相互作用。例如,这些特性已被理论上有效为航天器上的涂层,因为其在高温下保持其结构的能力(2,3)。对H-BN的分析较小,因为六角硼氮化硼纳米片(BNNS)也很感兴趣。正如已经发现石墨材料具有广泛的应用程序一样,BNN也是如此。bnns可以用作癌症药物递送的一种方法,因为它比基于石墨烯的材料更具生物相容性和毒性,但保留了许多相同的特性(4)。还发现了在量子信息中使用H-BN的动机,将量子通信科学用作“单光子发射器”(5)。我们对H-BN的特定兴趣源于其在高温下用作紫外光探测器的理论上的使用(6)。
C9ORF72基因中的GGGGCC 24+六核苷酸重复膨胀(HRE)是肌萎缩性侧向硬化症(ALS)和额颞痴呆(FTD)最常见的遗传学原因(ALS),致命的神经退行性疾病,没有治疗或不接受疾病的疾病疾病的疾病降低或不得已。神经元死亡的机械基础包括C9orf72单倍依耐酸,核中RNA结合蛋白的隔离以及二肽重复蛋白的产生。在这里,我们使用了腺相关的病毒载体系统来提供CRISPR/CAS9基因编辑机构,以实现从C9ORF72基因组基因座中移除HRE。我们证明了三种含有膨胀的小鼠模型(500 - 600重复)以及患者来源的IPSC运动神经元和脑类动物(450重复)的三种小鼠模型(450个重复)中HRE的成功切除。这导致了RNA焦点,多二肽和单倍耐酸的降低,这是C9-ALS/FTD的主要标志,这使得这是这些疾病的有前途的治疗方法。
从散装到单层guillaume cassabois laboratoire查尔斯·库仑(UMR5221)CNRS-montpellier University,F-34095 Montpellier,法国guillaume.cassabois.cassabois@umontpellier.fr Hexagonal Boron Nitride(Hexagonal Boron Nitride(Hbbn)依靠其低介电常数,高导热率和化学惰性。2004年,高质量晶体的生长表明,HBN也是深层硫酸群域中发光设备的有前途的材料,如加速电子激发[1]在215 nm处的激光证明[1],也证明了激光的表现[1],也证明了LASITIOL ELLICTER ELLICTIOL [1],也证明了LASITER IN-type-type-type-type-type-typepe inter-typepe intype intype-ultraviolet [1]。具有类似于石墨烯的蜂窝结构,大量HBN作为具有原子光滑表面的石墨烯的特殊底物获得了极大的关注,更普遍地是范德华异质结构的基本构建块[3]。我将在此处讨论我们的结果,以从批量到单层的HBN的光电特性。i将首先关注散装HBN,这是一个间接的带隙半导体,具有非凡的特性[4]。i将介绍我们最近的测量结果,揭示了散装HBN中巨大的光 - 物质相互作用[5]。然后,我将向单层HBN讲话。在通过高温MBE在石墨上生长的样品中,在与原子上薄的HBN发射的共鸣中发现了最小的反射率,从而证明了单层HBN的直接带隙[6]。最近通过从散装晶体中去除的单层HBN中的深度硫酸盐中的高光谱成像进一步证实了这些结果[7]。参考
1 Laboratory of Study of Microstructures, Onera-CNRS, University Paris-Saclay, BP 72, 92322 CHECTILLON CEDEX, France 2 University Paris-Saclay, UVSQ, CNRS, GEMAC, 78000, Versailles, France 3 Tim Taylor Department of Chemical Engineering, Kansas State University Manhattan, KS 66506, USA 4 Laboratory of Multimate and Interfaces, UMR CNRS 5615, Univ Lyon University Claude Bernard Lyon 1, F-69622 Villeurbanne, France 5 Laboratory Mateis, UMR CNRS 5510, Univ Lyon, INSA Lyon, F-69621 Villeurbanne, France 6 Research Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044,日本7电子和光学材料研究中心,国家材料科学研究所,1-1 Namiki,Tsukuba,Tsukuba 305-0044,日本(日期:
聚(戊二甲基反式 - 1,4-环己苯甲基甲酯)(PPECE)(PPECE)是一种可生物降解的甲环聚酯多酯(PPECE),使用快速扫描量热法(FSC),这是一种最新的钙化技术,允许在相关的时间上加速型物质变化,从而在相关的放松过程中加速了相关的稳定时间。在温度范围内的衰老温度在60°C的温度范围内改变了不同的机制。在衰老温度以上的温度范围远低于玻璃过渡温度的温度下,证明了几种弛豫机制,可能与次级松弛过程有关(βRaxations)。当老化温度接近玻璃过渡温度时,主要的松弛过程(α弛豫)将成为主导。
我们研究了石墨烯型纤维中磁性边缘具有磁边缘的热电效应。分别采用静态的动态均值轨道理论,我们首先表明磁力出现在曲折边缘,用于库仑相互作用的窗口,随着量的大小增加,磁磁性显着增加。然后,我们在非平衡绿色功能方法的框架中使用Landauer形式主义来计算磁性六边形石墨烯池中的自旋和电荷电流,通过改变连接温度的不同量尺寸。虽然在非磁性封闭式石墨烯中,温度梯度驱动电荷电流,但我们观察到具有磁性锯齿形边缘的六边形石墨烯纤维的显着旋转电流。特别是,我们表明,在六角形的“元”配置中,受到弱库仑相互作用的约束,纯旋转电流只能由温度范围内的温度梯度驱动,这对于设备应用来说是有希望的。发现较大的平流可以产生更大的库仑相互作用的窗口,其中这种自旋电流是由磁性曲折边缘诱导的,并且电流的较大值。
六角硼硝酸盐(HBN)在过去十年中一直是众多研究工作的主题。是在HBN中产生光学活性缺陷,因为它们易于整合,例如在范德华(Van der Waals)异质结构及其室温光子发射。在HBN中创建此类缺陷的许多方法仍在研究中。在这项工作中,我们介绍了使用具有不同等离子体物种的远程等离子体在HBN中创建单个缺陷发射器的方法,并从统计上报告了结果。我们使用了氩气,氮和氧等离子体,并报告了由不同气体物种及其光学特性产生的发射器的统计数据。特别是,我们检查了血浆过程前后的去角质片的发射,而无需退火步骤,以避免产生不受血浆暴露引起的发射器。我们的发现表明,纯物理氩等离子体治疗是通过血浆暴露在HBN中创建光学活性缺陷发射器的最有希望的途径。
a CSIC,全球生态单位 CREAF-CSIC-UAB,08913,贝拉特拉,加泰罗尼亚,西班牙 b CREAF,08913,Cerdanyola del Vall ` es,加泰罗尼亚,西班牙 c 捷克科学院全球变化研究所,Belidla 986/4a,CZ-60300,布尔诺,捷克共和国 d 巴塞罗那自治大学,08193,贝拉特拉,西班牙 e 进化与多样性与生物学实验室(UMR5174 EDB),图卢兹 3 保罗萨巴蒂尔大学,CNRS,IRD,118 route de Narbonne,图卢兹,法国 f 安特卫普大学生物系,Universiteitsplein 1,B-2610,Wilrijk,比利时 g 维也纳大学微生物学和环境系统科学中心,Djarssiplatz 1, 1030,维也纳,奥地利 h 冰岛农业大学,112 Keldnaholt,雷克雅未克,冰岛 i 巴塞罗那大学进化生物学、生态学和环境科学系,08028,巴塞罗那,西班牙
时间有限体积在低维度的蒙特卡洛模拟中诱导了显着影响,例如石墨烯,这是一种以其独特的电子特性和许多潜在应用而闻名的2-D六边形系统。在这项工作中,我们探索了六角形上的费米子的行为,其哈伯德型相互作用以耦合为特征。该系统表现出对有限温度效应高度敏感的零能量激发。我们将校正对自我能源和低能量激发的有效质量进行计算,并达到包括时间有限体积的量化条件。然后对零温度和有限温度进行这些分析。我们的发现表明,一阶O(𝑈)的贡献是不存在的,导致从O(𝑈2)开始进行非平凡的校正。我们根据小晶格上的混合蒙特卡洛模拟获得的精确和数值结果来验证我们的计算。