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用于红色胶体量子点发光二极管的双功能电子传输剂
摘要：磷化铟 (InP) 量子点使不含重金属、发射线宽窄且物理上可弯曲的发光二极管 (LED) 成为可能。然而，高性能红色 InP/ZnSe/ZnS LED 中的电子传输层 (ETL) ZnO/ZnMgO 存在高缺陷密度，沉积在 InP 上时会猝灭发光，并且由于陷阱从 ETL 迁移到 InP 发光层而导致性能下降。我们推测，ZnS 外壳上 Zn 2+ 陷阱的形成，加上 ZnO/ZnMgO 和 InP 之间的硫和氧空位迁移，可能是造成这一问题的原因。因此，我们合成了一种双功能 ETL（CNT2T，3 ′，3 ′″，3 ′″″-(1,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(([1,1 ′-联苯]-3-腈))，旨在局部和原位钝化 Zn 2+ 陷阱并防止层间空位迁移：小分子 ETL 的主链包含三嗪吸电子单元以确保足够的电子迁移率（6 × 10 − 4 cm 2 V − 1 s − 1），具有多个氰基的星形结构可有效钝化 ZnS 表面。我们报告的红色 InP LED 具有 15% 的 EQE 和超过 12,000 cd m − 2 的亮度；这代表了基于有机 ETL 的红色 InP LED 中的记录。■ 简介
光学连贯的完美吸收和时间 -
时间不变的光子结构根据其内在的材料增益或损失来扩增或吸收光。可以利用多个光束在空间中的连贯干扰，例如，在谐振器中，可以分别使用材料增益或损失来定制波浪相互作用，从而最大程度地提高激光或相干的完美吸收。相比之下，即使在没有物质增益或损失的情况下，时间变化的系统也不受限制地节省能量，并且可以通过参数现象支持放大或吸收探针波。在这里，我们在理论上和实验上演示了如何通过光学泵送进行批量介电常数的亚波长膜（其批量介电常数均质和定期调节），可以通过操纵两种探测器的相对相对相对相对的相对相对的相对相对，从而动态地调节其作为非呼吸器的放大器和完美的吸收仪的作用。这将一致的完美吸收的概念扩展到了时间领域。我们将此结果解释为在定期调制介质的动量带隙中存在的增益和损耗模式之间的选择性切换。通过调整两个探针的相对强度，可以通过高达80％的吸收和400％的扩增来实现高对比度调制。我们的结果表明，在光学频率下对时变介质的增益和损失的控制，并为在Floquet工程化的复杂光子系统中相干操纵光的操纵铺平了道路。
用 HfO 2 /In 2 O 3 栅极堆栈表征超薄原子层沉积氧化物半导体 MOS 电容器中的界面和体陷阱
氧化物半导体重新引起了人们对用于单片三维 (3D) 集成的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 后端 (BEOL) 兼容器件的兴趣。为了获得高质量的氧化物/半导体界面和体半导体，提高氧化物半导体晶体管的性能至关重要。据报道，原子层沉积 (ALD) 氧化铟 (In 2 O 3 ) 具有优异的性能，例如高驱动电流、高迁移率、陡亚阈值斜率和超薄沟道。在本文中，使用 C – V 和电导方法系统地研究了 ALD In 2 O 3 晶体管的 MOS 栅极堆栈中的界面和体陷阱。从 C – V 测量中的积累电容直接获得了 0.93 nm 的低 EOT，表明高质量的栅极氧化物和氧化物/半导体界面。通过 TCAD 对 C – V 和 G – V 特性的模拟，证实了 In 2 O 3 块体中亚带隙能级的缺陷是造成 GP / ω 与 ω 曲线中电导峰的原因。从 C – V 测量中提取了 1×10 20 /cm 3 的高 n 型掺杂。使用电导方法实现了 3.3×10 20 cm − 3 eV − 1 的高亚带隙态密度 (DOS)，这有助于实现高 n 型掺杂和高电子密度。高 n 型掺杂进一步证实了通道厚度缩放的能力，因为电荷中性水平在导带内部深度对齐。
flatchem -ResearchOnline@jcu
无转移的石墨烯透明导电电极（TCE）是有机太阳能电池（OSC）的二锡氧化物（ITO）的有前途替代品。在本工作中，对沉积温度和H 2流速如何影响RF血浆增强化学蒸气沉积的石墨烯Pro的生长，结构，光学和电气性能如何使用可持续来源进行了全面研究。倒置的几何形状OSC具有P3HT：PCBM光活性层在不同条件下开发的无传输石墨烯TCES上制造。此外，还研究了银纳米线（AGNW）与不同石墨烯膜的耦合，用于用于OSC的混合石墨烯-Agnws TCE。基于在低或零H 2流程下制备的石墨烯TCE的设备比H 2的高流量表现出更好的性能。同样，由于垂直定向的石墨烯纳米片的生长高度增加，因此在高温（> 700℃，石英上）预先削减的石墨烯TCES导致了设备的性能恶化，从而大大降低了膜的传播和表面粗糙度。目前的工作提供了对可持续碳源玻璃上RF-PECVD石墨烯的生长机理的扎实理解。更重要的是，对OSC的可持续性，环保，成本和时间效率的生产进行了优化，这为通往无ITO的无光电子学铺平了道路。
09,13薄锌薄膜的光谱与铜 div>
透明导电金属氧化物已成为研究的主题，这要归功于它们的独特物理特性以及潜在的微观和纳米电子设备和显示单元的应用。这些材料的基本实际应用是基于明显的特异性抗性和高可见的透射率。透明的金属氧化物尤其包括诸如碳锡氧化物，氧化锌，氧化镉等化合物。氧化锌半导体作为压电和光纤材料具有实用的应用潜力，可作为功能性气体传感器组件，表面声设备，透明电极和太阳能电池[1-4]。高光带隙值（〜3。3 eV在室温下）和激子结合能（约60 meV）允许将ZnO作为创建下一代紫外线光电设备和彩色显示单元的磷光器的材料。对于上面提到的许多应用，例如，通过合金来控制ZnO薄膜结构的物理参数的不稳定性是必不可少的。在这种情况下，铜合金添加剂更有效，因为铜是半导体中迅速扩散的杂质，它会导致结晶结构和物理性能的修改，例如，表面状态能量参数以及光学特性[5-7]。后者提供了有关光学主动故障的能量结构的其他信息，这具有很高的实际兴趣。这项研究的目的是研究未扎的ZnO铜掺杂（ZnO：Cu）薄膜的光光谱的行为。
逻辑平台上氧化物半导体增益单元存储器的设计指南
摘要 — 我们为氧化物半导体 (OS) 晶体管提供自上而下和自下而上的设计指南，这些晶体管针对逻辑平台上的增益单元存储器进行了优化。利用高密度、高带宽的片上增益单元存储器，通过最大限度地减少对片外动态随机存取存储器 (DRAM) 的访问，深度神经网络 (DNN) 加速器的执行时间可缩短 51-66%。为了平衡保留时间和存储器带宽（自上而下），选择原子层沉积 (ALD) 氧化铟锡 (ITO) 晶体管（自下而上）。经实验优化的器件表现出低关态电流（V GS = -0.5 V 时为 2 × 10 -18 A/µ m）、良好的导通电流（电源 < 2 V 时为 26.8 µ A/µ m）、低亚阈值摆幅 (SS)（70 mV/dec）和良好的迁移率（27 cm 2 V -1 s -1）。利用优化后的器件，在28nm节点、V DD = 0.9 V条件下模拟了一个64行（WL）×256列（BL）的增益单元存储器宏。模拟结果表明，混合OS-Si增益单元存储器实现了0.98倍频率和3倍静态随机存取存储器（SRAM）密度，而OS-OS增益单元存储器预计以N层3-D堆叠在0.5倍频率和N乘以1.15倍SRAM密度下工作。
嵌入的纳米图案，用于在透明导电膜中有选择地抑制导热率和增强的透明度
透明的导电氧化物（TCO）薄膜是许多光电应用中的基石，包括显示器，光伏和触摸屏。在这些设备中，需要同时具有较高光学反式差异和电导率的薄膜。理想情况下，在正常设备操作期间产生的热量必须理想地补偿以实现最佳功能。解决热人类生物问题的一种可能方法是将热电（TE）属性添加到TCO膜中。然而，在保持最佳电导率和光学透明度的同时提高了TE性能是具有挑战性的：热和电运输特性已深深交织在一起。在这里，我们演示了一种方法，可以独立选择光学透明度，电导率和导热率。嵌入的纳米图案结构充满了二锡氧化物（ITO），并将其夹在两个ITO层之间。所得的三层结构表现出降低的导热率和出色的电导率。这是通过嵌入的ITO纳米模式中的电子通道来实现的，该纳米模式在电气连接顶部和底层的情况下，同时限制了声子介导的热传导。调整纳米图案的填充分数和厚度以提高光学传输，从而获得高于裸露膜的透明度。结果是透明的TCO三层层膜，具有同时高的TCO和功绩的热电图。
单色 XPS 光谱
Eu (3+)（氧化铕中的铕，Z=63）..............................................................................................149 F (-)（氟化锂中的氟，Z=9）......................................................................................................155 Fe o（铁金属，Z=26）......................................................................................................................159 Ga o（镓金属，Z=31）......................................................................................................................163 Gd o（钆金属，Z=64）......................................................................................................................169 Ge o（锗金属，Z=32）......................................................................................................................173 Hf o（铪金属，Z=72）......................................................................................................................178 Hg o（汞金属，Z=80）......................................................................................................................182 Ho o（钬金属，Z=67）......................................................................................................................186 I (-)（碘钾碘化物，Z=53)...................................................................................................190 In o (铟金属，Z=49)....................................................................................................................196 Ir o (铱金属，Z=77)...................................................................................................................200 K (+) (氯化钾中的钾，Z=19)......................................................................................................204 Kr (+) (碳中氪，Z=36)......................................................................................................210 La (3+) (氧化镧中的镧，Z=57)......................................................................................................213 Li (+) (氢氧化锂中的锂，Z=3)......................................................................................................219 Lu o (镥金属，Z=71)......................................................................................................................224 Mg o (镁金属，Z=12)......................................................................................................................228 Mn o (锰金属， Z=25)......................................................................................................................233 Mo o（金属钼，Z=42）..................................................................................................................237 N (3-)（氮化硼中的氮，Z=7）..................................................................................................241 Na (+)（氯化钠中的钠，Z=11）........................................................................................247
表征超薄原子层中沉积的氧化物半导体MOS电容器中的界面和块状陷阱，< /div> < /div>
氧化物半导体吸引了对互补金属 - 氧化金属 - 半导体（CMOS）后端（BEOL）兼容设备的兴趣，用于整体3维（3D）集成。要获得高质量的氧化物/半导体界面和大量半导体，至关重要的是增强氧化物半导体晶体管的性能。原子层沉积（ALD）氧化二颗粒（在2 O 3中）的性能卓越，例如高驱动电流，高迁移率，陡峭的亚阈值斜坡和超薄通道。在这项工作中，使用C – V和电导方法系统地研究了ALD的MOS栅极堆栈中ALD的MOS栅极堆栈中的界面和块状陷阱。直接从C – V测量中的累积电容直接实现了0.93 nm的低EOT，表明高质量的门氧化物和氧化物/半导体界面。在2 O 3中的批量缺陷确定了子量的能级，可以通过TCAD模拟C – V和G - V特性来负责G p /ω与ω曲线的电导峰值。从C - V测量中提取1×10 20 /cm 3的高N型掺杂。使用电导法实现了3.3×10 cm-3 ev-1的状态（DOS）的高尺寸（DOS），这有助于高N型掺杂和高电子密度。高N型掺杂进一步确定通道厚度缩放的能力，因为电荷中性水平在导带中深入对齐。
可调激光应用的砷化加仑光子集成电路平台
摘要 - 在1030 nm波长附近的运行的主动循环集成技术已在炮码（GAAS）光子集成电路平台上开发。该技术利用量子井（QW）稍微垂直从波导的中心偏移，然后在上覆层再生之前有选择地去除以形成主动和被动区域。活性区域由砷耐加仑（INGAAS）QWS，砷耐磷化物（GAASP）屏障，GAAS单独的配置异质结构层和铝铝（Algaas）甲板组成。Fabry Perot激光器具有各种宽度和表征，表现出98.8％的高注射效率，内部活跃损失为3.44 cm -1，内部被动损失为3 µm宽波导的4.05 cm -1。3 µm，4 µm和5 µm宽的激光器在100 MA连续波（CW）电流（CW）电流和阈值电流低至9 mA时显示出大于50 MW的输出功率。20 µm宽的宽面积激光器在CW操作下显示240 MW输出功率，35.2 mA阈值电流，低阈值电流密度为94 A/cm 2，长2 mm。此外，这些设备的透明电流密度为85 A/cm 2，良好的热特性具有T 0 = 205 K，Tη= 577K。