最近,人们尝试将能量收集和存储结合起来,制成用于自供电系统的光伏储能模块 (PESM)。13-15然而,外部电路通常用作集成器件中 PV 和电荷存储部分之间的互连,这会导致平面互连导致表面积利用率低,并且与柔性基板上的卷对卷印刷不兼容。探索具有高机械灵活性和光学透明度的设备以满足未来无处不在的电子产品(包括可穿戴设备和交互系统)的需求是一项挑战。16,17该领域的最终目标是通过印刷或卷对卷制造在垂直方向上开发高效、灵活、透明且低成本的 PESM。 18,19 因此,低温下实现的全溶液处理柔性 PESM 非常适合实现升级,并且具有成本效益。光伏设备中常用的透明电极是氧化铟锡 (ITO),它可以提供高透射率和低薄层电阻。然而,ITO 机械脆性大,
III-V 族胶体量子点 (CQDs) 是用于光电应用的有前途的材料,因为它们避免了重金属,同时实现了从可见光到红外 (IR) 的吸收。然而,III-V CQDs 的共价性质要求开发新的钝化策略来制造用于光电器件的导电 CQD 固体:这项工作表明,先前在 II-VI 和 IV-VI 量子点中开发的使用单个配体的配体交换不能完全钝化 CQD,并且这会降低设备效率。在密度泛函理论 (DFT) 模拟的指导下,这项工作开发了一种共钝化策略来制造砷化铟 CQD 光电探测器,该方法采用 X 型甲基乙酸铵 (MaAc) 和 Z 型配体 InBr 3 的组合。这种方法可保持电荷载流子迁移率并改善钝化效果,斯托克斯位移减少 25%,第一激子吸收线宽随时间推移的增宽率降低四倍,并使光致发光 (PL) 寿命增加一倍。所得器件在 950 nm 处显示 37% 的外部量子效率 (EQE),这是 InAs CQD 光电探测器报告的最高值。
近包装组件中的抽象等离子体纳米晶体表现出集体光学的分辨和由于耦合而引起的强烈浓缩电场。从分离的纳米晶体的局部表面等离子体共振(LSPR)到组件的光谱红移反映了耦合强度,这取决于纳米晶体特征和组装结构。将这些转移与纳米晶体间距相关的缩放定律可用于系统地描述等离激子耦合,可用于预先峰值移动材料设计。在这里,我们建立了一种统一的缩放关系,该关系可以考虑到掺杂剂不仅对LSPR频率而且对纳米晶体内游离电子的分布的影响来说明金属氧化等离子纳米晶体的独特特性。,我们提出了一个重新固定的等离子体标尺,并针对存在掺杂剂的耗竭层进行了调整,以描述当组装成近距离填充的超晶格时,胶体依赖性二氧化物氧化物氧化物氧化物纳米晶体的特性移位。该框架可用于指导等离子材料的设计,以根据纳米晶体构建块的合成属性实现特定的光学特性。
要到2050年获得净净值,煤炭,天然气和石油发电厂已被可再生能源取代,以减少碳排放。1在可再生能源中,光伏(PV)能量已成为可靠且广泛使用的可再生能源。它有助于减少温室气体排放并提供低成本的电力。从2000年到2020年,全球光伏容量从1.4 gw增至760 gw。2当前,它产生了近4%的全球电力,预计将来会继续增长。2然而,在他们的生命结束时,太阳能电池板带来了处置的挑战:预计2050年的太阳能电池板废物将为8000万吨。3四种类型的太阳能模块目前在商业上使用:Crys-Talline Silicon(C-SI),Telluride镉(CDTE)(CDTE),铜辅助硅化铜(Cuin X GA 1-X SE 2或CIGS)和无晶硅(A-SI)。4在这些类型中,C-SI太阳能模块占全球光伏市场的90%以上。3因此,C-SI模块回收是最紧迫的。
摘要 — 在本信中,我们介绍了一种适用于高速采样系统的基于磷化铟 (InP) 双异质结双极晶体管 (DHBT) 技术的 24 GSa/s、> 20 GHz 宽带跟踪保持放大器 (THA)。在所提出的方法中,输入级的输出极点被发射极电容/电阻衰减产生的零点抵消,从而扩展了带宽而没有压降。引入了输出级 V be 调制补偿技术以减少失真。单片微波集成电路 (MMIC) 原型仅占用 0.69 mm 2 ,实验结果表明它具有从直流到 22.3 GHz 的 0.112–f T 带宽,比使用 InP 技术的任何报道的紧凑型 THA 解决方案都要宽。此外,在 24 GSa/s 采样率下,无杂散动态范围 (SFDR) 优于 42 dB,总谐波失真 (THD) 小于 − 25 dBc。THA 功耗仅为 374 mW,是 InP 技术中报告的最低直流功耗之一。
最近,人们尝试将能量收集和存储结合起来,制成用于自供电系统的光伏储能模块 (PESM)。13-15然而,外部电路通常用作集成器件中 PV 和电荷存储部分之间的互连,这会导致平面互连导致表面积利用率低,并且与柔性基板上的卷对卷印刷不兼容。探索具有高机械灵活性和光学透明度的设备以满足未来无处不在的电子产品(包括可穿戴设备和交互系统)的需求是一项挑战。16,17该领域的最终目标是通过印刷或卷对卷制造在垂直方向上开发高效、灵活、透明且低成本的 PESM。 18,19 因此,低温下实现的全溶液处理柔性 PESM 非常适合实现升级,并且具有成本效益。光伏设备中常用的透明电极是氧化铟锡 (ITO),它可以提供高透射率和低薄层电阻。然而,ITO 机械脆性大,
红外探测与现代微电子技术的融合为紧凑型高分辨率红外成像提供了独特的机会。然而,作为现代微电子技术的基石,硅由于其带隙为 1.12 eV,只能探测有限波长范围(< 1100 nm)内的光,这限制了其在红外探测领域的应用。本文提出了一种光驱动鳍片场效应晶体管,它打破了传统硅探测器的光谱响应限制,同时实现了灵敏的红外探测。该装置包括用于电荷传输的鳍状硅通道和用于红外光收集的硫化铅薄膜。硫化铅薄膜包裹硅通道形成“三维”红外敏感栅极,使硫化铅-硅结处产生的光电压能够有效调节通道电导。在室温下,该器件实现了从可见光(635 nm)到短波红外区域(2700 nm)的宽带光电探测,超出了常规铟镓砷和锗探测器的工作范围。此外,它表现出 3.2×10 −12 的低等效噪声功率
胶体量子点 (CQDs) 因其可调带隙和溶液处理特性,是用于红外 (IR) 光检测的有前途的材料;然而,到目前为止,CQD IR 光电二极管的时间响应不如 Si 和 InGaAs。据推测,II-VI CQD 的高介电常数会导致由于屏蔽和电容而导致的电荷提取速度变慢,而 III-V 族(如果可以掌握其表面化学性质)则可提供低介电常数,从而增加高速操作的潜力。在初步研究中发现,砷化铟 (InAs) 中的共价特性会导致不平衡的电荷传输,这是未钝化表面和不受控制的重掺杂的结果。报道了使用两性配体配位进行表面管理,并且发现该方法同时解决了 In 和 As 表面悬空键。与 PbS CQD 相比,新型 InAs CQD 固体兼具高迁移率(0.04 cm 2 V − 1 s − 1),介电常数降低了 4 倍。由此产生的光电二极管实现了快于 2 ns 的响应时间——这是之前报道的 CQD 光电二极管中最快的光电二极管——并且在 940 nm 处具有 30% 的外部量子效率 (EQE)。
检测低功率和高功率光的短脉冲 能够在恶劣环境和很宽的温度范围内工作 大动态范围 在感应到明亮目标后,快速过载恢复以检测后续信号 承受高光功率密度,提高探测器的损伤阈值 除了这些标准之外,许多 LRF 和 LiDAR 系统设计都会受益于在传输和接收过程中使用光纤,以改善系统热管理并降低整体系统噪音 (1) 。许多国防应用都需要商用现货 (COTS) 组件,因为 COTS 更容易获得且更具成本效益。CMC 推出了一系列新的 COTS 尾纤 SMT 封装铟镓砷 (InGaAs) 雪崩光电二极管 (APD) LIDAR/LRF 接收器,276-339832-VAR,根据 MIL-STD 规格进行设计、测试和验证。这款 COTS APD 接收器提供的性能可以更准确地检测更长距离的小目标。坚固的光纤尾纤封装有利于节省空间和简化系统集成,同时满足 MIL-STD 环境操作条件。
凝结物和材料的物理学23•CRMNal合金中顺磁和铁磁相变温的临界行为。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。24•pH对通过热液法制备的赤铁矿α -FE 2 O 3的结构,形态和光学特性的影响。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。32•Fe-CO-NB软磁合金的地面结构,磁性和弹性特性:簇扩展方法。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。38•关于Fe和Ni掺杂NAMNPO 4作为钠离子电池的阴极材料的密度功能理论研究。。。。。。。。。。。。。。。。。。。44•探索碱性氧气电池中暴露于氧气后的β-12和CHI-3硼苯基阴极稳定性:一项第一原理研究。。。。。。。。。50•Mn掺杂对Cr 2 O 3纳米颗粒的结构和特征的影响。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。58•使用第一原理计算和实验方法的Ti 70 -nb 10 -ta 15 -ZR 5合金的弹性模量的研究。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。64•在聚乙烯中蚀刻铝的离子轨道蚀刻微孔的结构特性,该元素通过电子底沉积与铝结合。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。70•TOF-SIMS和AES研究从多晶铜中脱离依赖。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。78•机器学习驱动的有机无机钙钛矿的优化用于太阳能电池应用。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。84